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    Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
    1.
    发明授权
    Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form 有权
    以超像素形式使用倾斜镜的光图案形成装置

    公开(公告)号：US07400382B2

    公开(公告)日：2008-07-15

    申请号：US11116338

    申请日：2005-04-28

    申请人： Nabila Baba-Ali ,  Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost

    发明人： Nabila Baba-Ali ,  Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost

    IPC分类号： G03B27/54

    CPC分类号： G03F7/70291 ,  G02B26/0833 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308 ,  G09G3/346 ,  H04N5/7458

    摘要： A light patterning system comprises an illumination system that supplies a beam of radiation having a certain wavelength (λ). An array of reflective pixels patterns the beam, wherein the array includes pixels having at least a first tilting mirror that is logically coupled to a second tilting mirror. In an embodiment, the first and second tilting mirrors are (i) substantially adjacent to each other; and (ii) offset in height from each other by a first mirror displacement. A projection system is included that projects the patterned beam onto a target. In alternate embodiment, the array of reflective pixels includes pixels having first through fourth tilting mirrors that are logically coupled to each other. The first through fourth tilting mirrors are (i) respectively offset in height from a reference plane by first through fourth mirror displacements, and (ii) are respectively arranged clockwise in a substantially square pattern.

    摘要翻译： 光图案化系统包括提供具有一定波长（λ）的辐射束的照明系统。 反射像素阵列对光束进行图案化，其中阵列包括至少具有逻辑耦合到第二倾斜镜的第一倾斜镜的像素。 在一个实施例中，第一和第二倾斜镜是（i）基本上彼此相邻; 和（ii）通过第一反射镜位移使高度彼此抵消。 包括将图案化的光束投影到目标上的投影系统。 在替代实施例中，反射像素阵列包括具有彼此逻辑耦合的第一至第四倾斜镜的像素。 第一至第四倾斜镜（i）分别通过第一至第四反射镜位移而偏离参考平面，并且（ii）分别以基本上正方形的图案顺时针地布置。

    Lithographic apparatus and method utilizing dose control
    4.
    发明授权
    Lithographic apparatus and method utilizing dose control 有权
    利用剂量控制的平版印刷设备和方法

    公开(公告)号：US07123348B2

    公开(公告)日：2006-10-17

    申请号：US10862876

    申请日：2004-06-08

    申请人： Kars Zeger Troost ,  Arno Jan Bleeker

    发明人： Kars Zeger Troost ,  Arno Jan Bleeker

    IPC分类号： G03B27/54 ,  G03B27/72

    CPC分类号： G03F7/70058 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70425

    摘要： A system and method are used to manufacture a device using at least one exposure step. Each exposure step projects a patterned beam of radiation onto a substrate. The patterned beam includes a plurality of pixels. Each pixel delivers a radiation dose no greater than a predetermined normal maximum dose to the target portion in the exposure step and/or at least one selected pixel delivers an increased radiation dose, greater than the normal maximum dose. The increased dose may be delivered to compensate for the effect of a defective element at a known position in the array on a pixel adjacent a selected pixel or compensate for underexposure of the target portion at the location of a selected pixel resulting from exposure of that location to a pixel affected by a known defective element in another exposure step.

    摘要翻译： 使用系统和方法来制造使用至少一个曝光步骤的装置。 每个曝光步骤将图案化的辐射束投射到衬底上。 图案化的波束包括多个像素。 每个像素在曝光步骤中向目标部分提供不大于预定正常最大剂量的辐射剂量，和/或至少一个所选择的像素传递大于正常最大剂量的增加的辐射剂量。 可以递送增加的剂量以补偿阵列中与已选择像素相邻的像素上的已知位置处的有缺陷元件的影响，或补偿由于该位置的曝光导致的所选像素位置处的目标部分的曝光不足 涉及在另一曝光步骤中受已知缺陷元件影响的像素。

    Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
    5.
    发明授权
    Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data 有权
    使用存储图案变化数据的数据缓冲器在衬底上利用多个管芯设计的平版印刷设备和器件制造方法

    公开(公告)号：US07728956B2

    公开(公告)日：2010-06-01

    申请号：US11098607

    申请日：2005-04-05

    申请人： Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost ,  Adrianus Johannes Henricus Maas

    发明人： Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost ,  Adrianus Johannes Henricus Maas

    IPC分类号： G03B27/32

    CPC分类号： G03F7/70508 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70291

    摘要： A lithographic system and method are provided that allow for variations of a basic device design to be generated without substantially increasing the cost of the data path hardware. The lithographic apparatus includes an array of individually controllable elements, a control system, a first data buffer, and a second data buffer. The control system provides control signals to the array of individually controllable elements. The first data buffer stores pattern data that corresponds to a pattern to be exposed on a plurality of areas on the substrate. The second data buffer stores pattern variation data, corresponding to at least one change to a part of the pattern. The control system is configured, such that at least one variation of the pattern is exposed on one of the areas on the substrate with the pattern variation data.

    摘要翻译： 提供了一种光刻系统和方法，其允许在不显着增加数据路径硬件的成本的情况下生成基本设备设计的变化。 光刻设备包括独立可控元件阵列，控制系统，第一数据缓冲器和第二数据缓冲器。 控制系统向独立可控元件阵列提供控制信号。 第一数据缓冲器存储对应于要暴露在基板上的多个区域上的图案的图案数据。 第二数据缓冲器存储对应于图案的一部分的至少一个改变的图案变化数据。 控制系统被配置为使得图案的至少一个变化在图案变化数据的基板上的一个区域上露出。

    Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
    9.
    发明授权
    Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units 有权
    使用干涉式和无掩模曝光单元的平版印刷设备和器件制造方法

    公开(公告)号：US07440078B2

    公开(公告)日：2008-10-21

    申请号：US11311640

    申请日：2005-12-20

    申请人： Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost

    发明人： Arno Jan Bleeker ,  Kars Zeger Troost

    IPC分类号： G03B27/42

    CPC分类号： G03F7/7045 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70408 ,  G03F7/70466

    摘要： A lithographic system combining an interference exposure unit and a lithography unit. The lithography unit can comprise an array of individually controllable elements. The lithography system can be arranged such that a pitch of the lines exposed by the interference exposure unit is an integer multiple of a size of an exposure area of the lithography unit corresponding to a single individually controllable element.

    摘要翻译： 组合干涉曝光单元和光刻单元的光刻系统。 光刻单元可以包括单独可控元件的阵列。 光刻系统可以布置成使得由干涉曝光单元曝光的线的间距是与单个可单独控制的元件对应的光刻单元的曝光区域的尺寸的整数倍。