公开(公告)号：US08453095B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13176823

申请日：2011-07-06

申请人： Ke-Ying Su ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Huang-Yu Chen ,  Chung-Hsing Wang

发明人： Ke-Ying Su ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Huang-Yu Chen ,  Chung-Hsing Wang

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5036 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5081

摘要： A method includes creating a technology file including data for an integrated circuit including at least one die coupled to an interposer and a routing between the at least one die and the interposer, b) creating a netlist including data approximating at least one of capacitive or inductive couplings between conductors in the at least one die and in the interposer based on the technology file, c) simulating a performance of the integrated circuit based on the netlist, d) adjusting the routing between the at least one die and the interposer based on the simulation to reduce the at least one of the capacitive or the inductive couplings, and e) repeating steps c) and d) to optimize the at least one of the capacitive or inductive couplings.

摘要翻译： 一种方法包括创建包括用于集成电路的数据的技术文件，所述集成电路包括耦合到插入器的至少一个管芯以及所述至少一个管芯和所述插入器之间的布线，b）创建包括接近电容或电感 基于所述技术文件，在所述至少一个管芯中和所述插入器中的导体之间的耦合，c）基于所述网表来模拟所述集成电路的性能，d）基于所述网表调整所述至少一个管芯和所述插入器之间的布线 模拟以减少电容或电感耦合中的至少一个，以及e）重复步骤c）和d）以优化电容或电感耦合中的至少一个。

公开(公告)号：US20130014070A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13176823

申请日：2011-07-06

申请人： Ke-Ying SU ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Huang-Yu Chen ,  Chung-Hsing Wang

发明人： Ke-Ying SU ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Huang-Yu Chen ,  Chung-Hsing Wang

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5036 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5081

摘要： A method includes creating a technology file including data for an integrated circuit including at least one die coupled to an interposer and a routing between the at least one die and the interposer, b) creating a netlist including data approximating at least one of capacitive or inductive couplings between conductors in the at least one die and in the interposer based on the technology file, c) simulating a performance of the integrated circuit based on the netlist, d) adjusting the routing between the at least one die and the interposer based on the simulation to reduce the at least one of the capacitive or the inductive couplings, and e) repeating steps c) and d) to optimize the at least one of the capacitive or inductive couplings.

摘要翻译： 一种方法包括创建包括用于集成电路的数据的技术文件，所述集成电路包括耦合到插入器的至少一个管芯以及所述至少一个管芯和所述插入器之间的布线，b）创建包括接近电容或电感 基于所述技术文件，在所述至少一个管芯中和所述插入器中的导体之间的耦合，c）基于所述网表来模拟所述集成电路的性能，d）基于所述网表调整所述至少一个管芯和所述插入器之间的布线 模拟以减少电容或电感耦合中的至少一个，以及e）重复步骤c）和d）以优化电容或电感耦合中的至少一个。

公开(公告)号：US08495532B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13076649

申请日：2011-03-31

申请人： Ke-Ying Su ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

发明人： Ke-Ying Su ,  Ching-Shun Yang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5036 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method includes approximating a physical characteristic of a semiconductor substrate with a frequency-dependent circuit, and creating a technology file for the semiconductor substrate based on the frequency-dependent circuit. The physical characteristic of the semiconductor substrate identified by one of an electromagnetic simulation or a silicon measurement. The technology file is adapted for use by an electronic design automation tool to create a netlist for the semiconductor substrate and is stored in a non-transient computer readable storage medium.

摘要翻译： 一种方法包括使用频率相关电路近似半导体衬底的物理特性，并且基于频率相关电路创建用于半导体衬底的技术文件。 通过电磁仿真或硅测量之一识别的半导体衬底的物理特性。 技术文件适用于电子设计自动化工具，用于创建半导体衬底的网表，并存储在非瞬态计算机可读存储介质中。

公开(公告)号：US20120054696A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13167905

申请日：2011-06-24

申请人： Ke-Ying Su ,  Chung-Hsing Wang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

发明人： Ke-Ying Su ,  Chung-Hsing Wang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036

摘要： A method includes providing a layout of an integrated circuit design, and generating a plurality of double patterning decompositions from the layout, with each of the plurality of double patterning decompositions including patterns separated to a first mask and a second mask of a double patterning mask set. A maximum shift between the first and the second masks is determined, wherein the maximum shift is a maximum expected mask shift in a manufacturing process for implementing the layout on a wafer. For each of the plurality of double patterning decompositions, a worst-case performance value is simulated using mask shifts within a range defined by the maximum shift. The step of simulating the worst-case performance includes calculating capacitance values corresponding to mask shifts, and the capacitance values are calculated using a high-order equation or a piecewise equation.

摘要翻译： 一种方法包括提供集成电路设计的布局，以及从布局生成多个双重图案化分解，多个双重图案化分解中的每一个包括分离到第一掩模的图案和双图案掩模组的第二掩模 。 确定第一和第二掩模之间的最大偏移，其中最大偏移是用于在晶片上实现布局的制造过程中的最大预期掩模移位。 对于多个双重图案化分解中的每一个，使用由最大偏移限定的范围内的掩模移位来模拟最坏情况的性能值。 模拟最坏情况性能的步骤包括计算与掩模移位相对应的电容值，并且使用高阶方程或分段方程计算电容值。

公开(公告)号：US08252489B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13167905

申请日：2011-06-24

申请人： Ke-Ying Su ,  Chung-Hsing Wang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

发明人： Ke-Ying Su ,  Chung-Hsing Wang ,  Jui-Feng Kuan ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

IPC分类号： G03F9/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036

摘要： A method includes providing a layout of an integrated circuit design, and generating a plurality of double patterning decompositions from the layout, with each of the plurality of double patterning decompositions including patterns separated to a first mask and a second mask of a double patterning mask set. A maximum shift between the first and the second masks is determined, wherein the maximum shift is a maximum expected mask shift in a manufacturing process for implementing the layout on a wafer. For each of the plurality of double patterning decompositions, a worst-case performance value is simulated using mask shifts within a range defined by the maximum shift. The step of simulating the worst-case performance includes calculating capacitance values corresponding to mask shifts, and the capacitance values are calculated using a high-order equation or a piecewise equation.

摘要翻译： 一种方法包括提供集成电路设计的布局，以及从布局生成多个双重图案化分解，多个双重图案化分解中的每一个包括分离到第一掩模的图案和双图案掩模组的第二掩模 。 确定第一和第二掩模之间的最大偏移，其中最大偏移是用于在晶片上实现布局的制造过程中的最大预期掩模移位。 对于多个双重图案化分解中的每一个，使用由最大偏移限定的范围内的掩模移位来模拟最坏情况的性能值。 模拟最坏情况性能的步骤包括计算与掩模移位相对应的电容值，并且使用高阶方程或分段方程计算电容值。

公开(公告)号：US20110072405A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12831982

申请日：2010-07-07

申请人： Huang-Yu Chen ,  Ho Che Yu ,  Chung-Hsing Wang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Lee-Chung Lu

发明人： Huang-Yu Chen ,  Ho Che Yu ,  Chung-Hsing Wang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Lee-Chung Lu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  H01L27/0207

摘要： In a method of forming an integrated circuit, a layout of a chip representation including a first intellectual property (IP) is provided. Cut lines that overlap, and extend out from, edges of the first IP, are generated. The cut lines divide the chip representation into a plurality of circuit regions. The plurality of circuit regions are shifted outward with relative to a position of the first IP to generate a space. The first IP is blown out into the space to generate a blown IP. A direct shrink is then performed.

摘要翻译： 在形成集成电路的方法中，提供包括第一知识产权（IP）的芯片表示的布局。 生成与第一个IP重叠并从第一个IP边缘延伸出来的切割线。 切割线将芯片表示划分成多个电路区域。 多个电路区域相对于第一IP的位置向外偏移以产生空间。 第一个IP被吹入空间，产生一个IP地址。 然后执行直接收缩。

公开(公告)号：US08448100B1

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13444158

申请日：2012-04-11

申请人： Hung Lung Lin ,  Chin-Chang Hsu ,  Ying-Yu Shen ,  Wen-Ju Yang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Chin-Hsiung Hsu ,  Huang-Yu Chen ,  Yi-Chuin Tsai ,  Yuan-Te Hou ,  Chung-Hsing Wang

发明人： Hung Lung Lin ,  Chin-Chang Hsu ,  Ying-Yu Shen ,  Wen-Ju Yang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Chin-Hsiung Hsu ,  Huang-Yu Chen ,  Yi-Chuin Tsai ,  Yuan-Te Hou ,  Chung-Hsing Wang

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70

摘要： A computer implemented system comprises: a tangible, non-transitory computer readable storage medium encoded with data representing an initial layout of an integrated circuit pattern layer having a plurality of polygons. A special-purpose computer is configured to perform the steps of: analyzing in the initial layout of an integrated circuit pattern layer having a plurality of polygons, so as to identify a plurality of multi-patterning conflict cycles in the initial layout; constructing in the computer a respective multi-patterning conflict cycle graph representing each identified multi-patterning conflict cycle; classifying each identified multi-patterning conflict cycle graph in the computer according to a number of other multi-patterning conflict cycle graphs which enclose that multi-patterning conflict cycle graph; and causing a display device to graphically display the plurality of multi-patterning conflict cycle graphs according to their respective classifications.

摘要翻译： 计算机实现的系统包括：编码有表示具有多个多边形的集成电路图案层的初始布局的数据的有形的，非暂时性的计算机可读存储介质。 专用计算机被配置为执行以下步骤：在具有多个多边形的集成电路图案层的初始布局中进行分析，以便在初始布局中识别多个多图案化冲突循环; 在计算机中构建表示每个识别的多图案化冲突周期的相应的多图案化冲突循环图; 根据围绕该多图案化冲突循环图的其他多图案化冲突循环图的数量，在计算机中分类每个识别的多图案化冲突循环图; 并且使得显示装置根据它们各自的分类图形地显示多个多图案化冲突循环图。

公开(公告)号：US08418117B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12831982

申请日：2010-07-07

申请人： Huang-Yu Chen ,  Ho Che Yu ,  Chung-Hsing Wang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Lee-Chung Lu

发明人： Huang-Yu Chen ,  Ho Che Yu ,  Chung-Hsing Wang ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Lee-Chung Lu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  H01L27/0207

摘要： In a method of forming an integrated circuit, a layout of a chip representation including a first intellectual property (IP) is provided. Cut lines that overlap, and extend out from, edges of the first IP, are generated. The cut lines divide the chip representation into a plurality of circuit regions. The plurality of circuit regions are shifted outward with relative to a position of the first IP to generate a space. The first IP is blown out into the space to generate a blown IP. A direct shrink is then performed.

摘要翻译： 在形成集成电路的方法中，提供包括第一知识产权（IP）的芯片表示的布局。 生成与第一个IP重叠并从第一个IP边缘延伸出来的切割线。 切割线将芯片表示划分成多个电路区域。 多个电路区域相对于第一IP的位置向外偏移以产生空间。 第一个IP被吹入空间，产生一个IP地址。 然后执行直接收缩。

公开(公告)号：US08887106B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13370994

申请日：2012-02-10

申请人： Chia-Ming Ho ,  Ke-Ying Su ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

发明人： Chia-Ming Ho ,  Ke-Ying Su ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G06F17/5072

摘要： A method of generating a bias-adjusted layout design of a conductive feature includes receiving a layout design of the conductive feature. If a geometry configuration of the layout design is within a first set of predetermined criteria, the bias-adjusted layout design of the conductive feature is generated according to a first layout bias rule. If the geometry configuration of the layout design is within a second set of predetermined criteria, the bias-adjusted layout design of the conductive feature is generated according to a second layout bias rule.

摘要翻译： 产生导电特征的偏置调节布局设计的方法包括接收导电特征的布局设计。 如果布局设计的几何配置在预定标准的第一组内，则根据第一布局偏置规则产生导电特征的偏置调整布局设计。 如果布局设计的几何结构在预定标准的第二组内，则根据第二布局偏差规则产生导电特征的偏置调节布局设计。

公开(公告)号：US20120226479A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13039730

申请日：2011-03-03

申请人： Ke-Ying Su ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Yung-Chin Hou

发明人： Ke-Ying Su ,  Hsiao-Shu Chao ,  Yi-Kan Cheng ,  Yung-Chin Hou

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F17/5081

摘要： A method of generating resistance-capacitance (RC) technology files is disclosed. The method comprises receiving a plurality of metal schemes from an IC foundry and dividing the plurality of metal schemes into one or more modular RC groups. The method further comprises identifying a modular RC structure; calculating capacitance values of the modular RC structure by means of a field solver; calculating an equivalent dielectric constant and an equivalent height of the RC structure based upon a variety of interconnect layers not having interconnects; calculating an equivalent dielectric constant and an equivalent height for each of the plurality of metal schemes; and deriving capacitance values of each of the plurality of metal schemes from the capacitance values of the modular RC structure.

摘要翻译： 公开了一种产生电阻 - 电容（RC）技术文件的方法。 该方法包括从IC铸造接收多个金属方案并将多个金属方案分成一个或多个模块化RC组。 该方法还包括识别模块化RC结构; 通过场解算器计算模块RC结构的电容值; 基于不具有互连的各种互连层计算RC结构的等效介电常数和等效高度; 计算所述多个金属方案中的每一种的等效介电常数和等效高度; 以及从所述模块化RC结构的电容值导出所述多个金属方案中的每一个的电容值。