公开(公告)号：US06334929B1

公开(公告)日：2002-01-01

申请号：US08282295

申请日：1994-07-29

申请人： Kelly W. Kyler ,  Fred Clayton ,  James H. Williams ,  Jaeshin Cho ,  Craig L. Jasper

发明人： Kelly W. Kyler ,  Fred Clayton ,  James H. Williams ,  Jaeshin Cho ,  Craig L. Jasper

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： A process for improving uniformity across the surface of a substrate during a plasma process such as plasma etching. A conductive plane is formed at the back surface of the substrate. A plasma process is then performed to the front surface of the substrate. The conductive plane may then be removed upon completion of the plasma process and before final processing steps.

摘要翻译： 一种在诸如等离子体蚀刻的等离子体工艺期间改善衬底表面的均匀性的方法。 在基板的背面形成导电平面。 然后对基板的前表面进行等离子体处理。 然后可以在完成等离子体处理之后和在最终处理步骤之前去除导电平面。

公开(公告)号：US5185273A

公开(公告)日：1993-02-09

申请号：US767756

申请日：1991-09-30

申请人： Craig L. Jasper

发明人： Craig L. Jasper

IPC分类号： G01N21/63 ,  G01N25/72 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  G01N21/636 ,  G01N25/72 ,  Y10S148/056

摘要： A method is provided for correlating ion implantation from a silicon wafer (13) to a gallium arsenide wafer. A first dose of a predetermined amount of silicon ions is implanted into a silicon wafer (13). The first dose of the implanted silicon ions in the silicon wafer (13) is evaluated by a measuring system (10) that monitors a modulated reflected signal from the silicon wafer (13) and quantifies the signal as to the number of implanted silicon ions in the silicon wafer. If the measured quantity of implanted silicon ions is a desired amount of implanted silicon ions the same number of silicon ions is then implanted into the gallium arsenide wafer.

摘要翻译： 提供了一种用于使从硅晶片（13）到砷化镓晶片的离子注入相关的方法。 将预定量的硅离子的第一剂量注入到硅晶片（13）中。 硅晶片（13）中注入的硅离子的第一剂量通过监测来自硅晶片（13）的经调制的反射信号的测量系统（10）来评估，并量化关于硅中的植入硅离子的数量的信号 硅晶片。 如果所测量的注入的硅离子是所需量的注入的硅离子，则将相同数量的硅离子注入到砷化镓晶片中。

公开(公告)号：US5306920A

公开(公告)日：1994-04-26

申请号：US980062

申请日：1992-11-23

申请人： Jerry S. King ,  Carl E. D'Acosta ,  Craig L. Jasper ,  Dan A. Banks

发明人： Jerry S. King ,  Carl E. D'Acosta ,  Craig L. Jasper ,  Dan A. Banks

IPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/09

CPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31701

摘要： An ion implantation apparatus including a resolving aperture-shutter assembly (31) placed in the ion beam path (18). The resolving aperture-shutter assembly includes a movable shutter (34) and a shutter housing surrounding the movable shutter (34). Selected ions in an ion beam path (18) pass through a hole (44) in movable shutter (34) when the movable shutter (34) is in a first position, and are blocked by the solid surfaces when the movable shutter (34) is in a second position. The enclosure (32, 33, 39) completely surrounds the movable shutter (34). The enclosure (32, 33, 39) includes a first aperture (42) aligned with the ion beam path (18) for allowing the selected ions to enter the enclosure and a second aperture (41) aligned with the ion beam path (18) for allowing the selected ions to exit the enclosure after passing through the hole (44) in the movable shutter.

摘要翻译： 一种离子注入装置，包括放置在离子束路径（18）中的分辨孔径光阑组件（31）。 分辨孔径光阑组件包括活动快门（34）和围绕活动快门（34）的快门壳体。 当活动快门（34）处于第一位置时，离子束路径（18）中的选定离子通过活动快门（34）中的孔（44），并且当活动快门（34）被固定时被固体表面阻挡， 处于第二位置。 外壳（32,33,39）完全包围活动活门（34）。 外壳（32,33,39）包括与离子束路径（18）对准的用于允许所选择的离子进入外壳的第一孔（42）和与离子束路径（18）对准的第二孔（41） 用于允许所选择的离子在通过可移动快门中的孔（44）之后离开外壳。