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    Piezoelectric thin film element
    1.
    发明申请
    Piezoelectric thin film element 审中-公开
    压电薄膜元件

    公开(公告)号：US20120025668A1

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：US13137580

    申请日：2011-08-26

    申请人： Kazufumi Suenaga ,  Kenji Shibata ,  Fumihito Oka ,  Hideki Sato

    发明人： Kazufumi Suenaga ,  Kenji Shibata ,  Fumihito Oka ,  Hideki Sato

    IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/113 ,  H01L41/09

    CPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

    摘要： A piezoelectric thin film element includes a bottom electrode, a piezoelectric layer, and a top electrode on a substrate. The piezoelectric layer includes, as a main phase, a perovskite-type oxide. The bottom electrode has a surface roughness of not more than 0.86 nm in arithmetic mean roughness Ra or not more than 1.1 nm in root mean square roughness Rms. The bottom electrode has a (111) preferential orientation in a direction perpendicular to the substrate.

    摘要翻译： 压电薄膜元件包括底电极，压电层和衬底上的顶电极。 作为主相，压电体层包含钙钛矿型氧化物。 底部电极在算术平均粗糙度Ra中的表面粗糙度不大于0.86nm，均方根粗糙度Rms下的表面粗糙度不大于1.1nm。 底部电极在垂直于衬底的方向上具有（111）优先取向。

    Piezoelectric thin film element
    2.
    发明授权
    Piezoelectric thin film element 有权
    压电薄膜元件

    公开(公告)号：US08058779B2

    公开(公告)日：2011-11-15

    申请号：US12588484

    申请日：2009-10-16

    申请人： Kazufumi Suenaga ,  Kenji Shibata ,  Fumihito Oka ,  Hideki Sato

    发明人： Kazufumi Suenaga ,  Kenji Shibata ,  Fumihito Oka ,  Hideki Sato

    IPC分类号： H01L41/187

    CPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

    摘要： A piezoelectric thin film element includes a bottom electrode, a piezoelectric layer and a top electrode on a substrate. The piezoelectric layer includes as a main phase a perovskite-type oxide represented by (NaxKyLiz)NbO3 (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦z≦0.2, x+y+z=1), and the bottom electrode includes a surface roughness of not more than 0.86 nm in arithmetic mean roughness Ra or not more than 1.1 nm in root mean square roughness Rms.

    摘要翻译： 压电薄膜元件包括底电极，压电层和衬底上的顶电极。 压电层包括由（NaxKyLiz）NbO 3（0＆nlE; x＆nlE; 1,0＆amp; nlE; y＆nlE; 1,0＆amp; nlE; z＆nlE; 0.2，x + y + z = 1）表示的钙钛矿型氧化物， 电极包括算术平均粗糙度Ra不大于0.86nm的表面粗糙度或均方根粗糙度Rms不大于1.1nm的表面粗糙度。

    Physical quantity detecting sensor and actuator
    5.
    发明授权
    Physical quantity detecting sensor and actuator 有权
    物理量检测传感器和执行器

    公开(公告)号：US08035281B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12963222

    申请日：2010-12-08

    申请人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    发明人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    IPC分类号： H01L41/187

    CPC分类号： H01L41/1873 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/094

    摘要： A sensor for detecting a physical quantity includes a piezoelectric thin film device having a lower electrode, a piezoelectric thin film and an upper electrode, and a voltage detecting device connected between the lower and upper electrodes of the piezoelectric thin film device. The piezoelectric thin film is formed of an alkali niobium oxide-based perovskite material expressed by (K1-xNax)NbO3 (0

    摘要翻译： 用于检测物理量的传感器包括具有下电极，压电薄膜和上电极的压电薄膜器件，以及连接在压电薄膜器件的下电极和上电极之间的电压检测器件。 压电薄膜由（K1-xNax）NbO3（0

    Piezoelectric thin film device
    6.
    发明授权
    Piezoelectric thin film device 有权
    压电薄膜器件

    公开(公告)号：US07902730B2

    公开(公告)日：2011-03-08

    申请号：US12771173

    申请日：2010-04-30

    申请人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    发明人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    IPC分类号： H01L41/083

    CPC分类号： G01C19/5663 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

    摘要： A sensor or actuator includes a piezoelectric thin film device including a lower electrode, a piezoelectric thin film and an upper electrode, and a voltage detecting device connected between the lower and upper electrodes of the piezoelectric thin film device. The piezoelectric thin film is formed of an alkali niobium oxide-based perovskite material expressed by (K1-xNax)NbO3 (0

    摘要翻译： 传感器或致动器包括压电薄膜器件，其包括下电极，压电薄膜和上电极，以及连接在压电薄膜器件的下电极和上电极之间的电压检测器件。 压电薄膜由（K1-xNax）NbO3（0

    Substrate with a piezoelectric thin film
    7.
    发明授权
    Substrate with a piezoelectric thin film 有权
    具有压电薄膜的基板

    公开(公告)号：US07710003B2

    公开(公告)日：2010-05-04

    申请号：US12073237

    申请日：2008-03-03

    申请人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    发明人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    IPC分类号： H01L41/187

    CPC分类号： H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

    摘要： A substrate has a first thermal expansion coefficient and a piezoelectric thin film has a second thermal expansion coefficient. The piezoelectric thin film is mainly composed of a potassium sodium niobate (K,Na)NbO3 with a perovskite structure. A curvature radius of a warping of the substrate provided with the piezoelectric thin film due to difference between the first and the second thermal expansion coefficients is 10 m or more at room temperature.

    摘要翻译： 基板具有第一热膨胀系数，并且压电薄膜具有第二热膨胀系数。 压电薄膜主要由具有钙钛矿结构的铌酸钾钠（K，Na）NbO 3组成。 由于第一和第二热膨胀系数之间的差异，设置有压电薄膜的基板的翘曲的曲率半径在室温下为10μm以上。

    Piezoelectric Thin Film Device
    9.
    发明申请
    Piezoelectric Thin Film Device 有权
    压电薄膜器件

    公开(公告)号：US20090189490A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12358379

    申请日：2009-01-23

    申请人： Kenji SHIBATA ,  Fumihito Oka

    发明人： Kenji SHIBATA ,  Fumihito Oka

    IPC分类号： H01L41/04

    CPC分类号： H01L41/1873 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/094

    摘要： A piezoelectric thin film device according to the present invention comprises a lower electrode, a piezoelectric thin film and a upper electrode, in which the piezoelectric thin film is formed of an alkali niobium oxide-based perovskite material expressed by (K1-xNax)NbO3 (0

    摘要翻译： 根据本发明的压电薄膜器件包括下部电极，压电薄膜和上部电极，其中压电薄膜由（K1-xNax）NbO3表示的碱性铌氧化物基钙钛矿材料形成（ 0

    Substrate with a piezoelectric thin film
    10.
    发明申请
    Substrate with a piezoelectric thin film 有权
    具有压电薄膜的基板

    公开(公告)号：US20090096328A1

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：US12073237

    申请日：2008-03-03

    申请人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    发明人： Kenji Shibata ,  Fumihito Oka

    IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187

    CPC分类号： H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

    摘要： A substrate has a first thermal expansion coefficient and a piezoelectric thin film has a second thermal expansion coefficient. The piezoelectric thin film is mainly composed of a potassium sodium niobate (K,Na)NbO3 with a perovskite structure. A curvature radius of a warping of the substrate provided with the piezoelectric thin film due to deference between the first and the second thermal expansion coefficients is 10 m or more at room temperature.

    摘要翻译： 基板具有第一热膨胀系数，并且压电薄膜具有第二热膨胀系数。 压电薄膜主要由具有钙钛矿结构的铌酸钾钠（K，Na）NbO 3组成。 由于第一和第二热膨胀系数之间的差异，由于设置有压电薄膜的基板的翘曲的曲率半径在室温下为10μm以上。