公开(公告)号：US5414669A

公开(公告)日：1995-05-09

申请号：US119719

申请日：1993-09-10

申请人： Kerry D. Tedrow ,  Robert E. Larsen ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Cesar Galindo ,  Jahanshir J. Jayanifard ,  Mase J. Taub

发明人： Kerry D. Tedrow ,  Robert E. Larsen ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Cesar Galindo ,  Jahanshir J. Jayanifard ,  Mase J. Taub

IPC分类号： G11C17/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/30 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C16/30

摘要： An integrated circuit arrangement for providing erase voltages to a flash EEPROM memory array including one charge pump for generating a first high voltage with substantial current which may be used for application to the source terminals of flash EEPROM memory cells during erase and to the gate terminals of flash EEPROM memory cells during programming, and another charge pump for generating a second lower voltage which may be used for application to the drain terminals of flash EEPROM memory cells during programming.

摘要翻译： 一种用于向闪存EEPROM存储器阵列提供擦除电压的集成电路装置，包括一个电荷泵，用于产生具有大量电流的第一高电压，其可用于在擦除期间应用于闪存EEPROM存储器单元的源极端子，并将栅极端子 编程期间的快闪EEPROM存储单元，以及用于产生可在编程期间用于快速EEPROM存储单元的漏极端子的第二较低电压的另一个电荷泵。

公开(公告)号：US07386654B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10966183

申请日：2004-10-15

申请人： Lance W. Dover ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Robert E. Larsen

发明人： Lance W. Dover ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Robert E. Larsen

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C7/1045 ,  G11C7/20

摘要： Various embodiments of the invention may provide one or more non-volatile storage entities, such as a register or a storage array, to store configuration information for a memory device. The specified configuration may then be enabled at the occurrence of a specified event, such as power-up and/or reset.

摘要翻译： 本发明的各种实施例可以提供一个或多个非易失性存储实体，诸如寄存器或存储阵列，以存储用于存储器设备的配置信息。 然后可以在发生指定事件（例如上电和/或复位）时启用指定的配置。

公开(公告)号：US07191295B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US10610478

申请日：2003-06-30

申请人： Shekoufeh Qawami ,  Chaitanya S. Rajguru

发明人： Shekoufeh Qawami ,  Chaitanya S. Rajguru

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C7/1042 ,  G06F13/4243

摘要： In one embodiment of the present invention, a method includes sensing a first burst length of data equal to half of a sense width of a plurality of sense amplifiers of a memory, and sensing a second burst length of data equal to the half of the sense width during a latency while sensing the first burst length of data.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，一种方法包括感测等于存储器的多个读出放大器的感测宽度的一半的数据的第一突发长度，以及感测等于该感测的一半的数据的第二突发长度 在等待时间期间的宽度，同时感测数据的第一突发长度。

公开(公告)号：US06920539B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10183234

申请日：2002-06-26

申请人： Shekoufeh Qawami ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Sanjay S. Talreja

发明人： Shekoufeh Qawami ,  Chaitanya S. Rajguru ,  Sanjay S. Talreja

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F13/161

摘要： Briefly, in accordance with an embodiment of the invention, a method and system to retrieve information from a memory is provided. The method may include transferring information from the memory in response to at least two synchronous burst read requests using pipelining.

摘要翻译： 简而言之，根据本发明的实施例，提供了一种从存储器检索信息的方法和系统。 该方法可以包括响应于使用流水线化的至少两个同步突发读取请求从存储器传送信息。

公开(公告)号：US06937948B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US09993336

申请日：2001-11-13

申请人： Chaitanya S. Rajguru

发明人： Chaitanya S. Rajguru

IPC分类号： G06F19/00 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C16/30

摘要： A flash memory device includes a charge pump having a capacity that is preset to a particular value. The flash memory device includes a measuring circuit to measure the actual capacity of the charge pump and to reset the capacity of the charge pump to a value based on the measured capacity.

摘要翻译： 闪存器件包括具有预设为特定值的容量的电荷泵。 闪存器件包括测量电路，用于测量电荷泵的实际容量并根据测量的容量将电荷泵的容量重置为一个值。