公开(公告)号：US20100092599A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12575834

申请日：2009-10-08

申请人： Kosta S. Selinidis ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin ,  Douglas J. Resnick

发明人： Kosta S. Selinidis ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： B29C59/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7042 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084

摘要： Systems and methods for minimizing overlay error during alignment of a template with a substrate are described. Templates generally include two distinct types of alignment marks: buried alignment marks and complementary alignment marks. Buried marks may be fabricated separately from the patterning surface, and the complementary marks may be fabricated in the same step as the patterning surface.

摘要翻译： 描述了在模板与衬底对准期间最小化覆盖误差的系统和方法。 模板通常包括两种不同类型的对准标记：掩埋对准标记和互补对准标记。 掩埋标记可以与图案化表面分开制造，并且补充标记可以在与图案化表面相同的步骤中制造。

公开(公告)号：US20090250840A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12464487

申请日：2009-05-12

申请人： Kosta S. Selinidis ,  Byung-Jin Choi ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin

发明人： Kosta S. Selinidis ,  Byung-Jin Choi ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin

IPC分类号： B29C59/02

CPC分类号： G03F9/7042 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/1838 ,  G03F7/0002 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084

摘要： Imprint lithography substrates may include alignment marks formed of high contrast material. Exemplary methods for forming alignment marks having high contrast material are described.

摘要翻译： 压印光刻基板可以包括由高对比度材料形成的对准标记。 描述用于形成具有高对比度材料的对准标记的示例性方法。

公开(公告)号：US08012395B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12464487

申请日：2009-05-12

申请人： Kosta S. Selinidis ,  Byung-Jin Choi ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin

发明人： Kosta S. Selinidis ,  Byung-Jin Choi ,  Gerard M. Schmid ,  Ecron D. Thompson ,  Ian Matthew McMackin

IPC分类号： B28B11/08

CPC分类号： G03F9/7042 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/1838 ,  G03F7/0002 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084

摘要： Imprint lithography substrates may include alignment marks formed of high contrast material. Exemplary methods for forming alignment marks having high contrast material are described.

摘要翻译： 压印光刻基板可以包括由高对比度材料形成的对准标记。 描述用于形成具有高对比度材料的对准标记的示例性方法。

公开(公告)号：US20100078846A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12568730

申请日：2009-09-29

申请人： Douglas J. Resnick ,  Ian Matthew McMackin ,  Gerard M. Schmid ,  Niyaz Khusnatdinov ,  Ecron D. Thompson ,  Sidlgata V. Sreenivasan

发明人： Douglas J. Resnick ,  Ian Matthew McMackin ,  Gerard M. Schmid ,  Niyaz Khusnatdinov ,  Ecron D. Thompson ,  Sidlgata V. Sreenivasan

IPC分类号： B29C47/76 ,  B29C59/02

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0017

摘要： Particles may be present on substrates and/or templates during nano-lithographic imprinting. Particles may be mitigated and/or removed using localized removal techniques and/or imprinting techniques as described.

摘要翻译： 在纳米光刻印迹过程中，颗粒可能存在于底物和/或模板上。 可以使用如所述的局部去除技术和/或印记技术来减轻和/或去除颗粒。

公开(公告)号：US20140117574A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US14150261

申请日：2014-01-08

申请人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung- Jin Choi

发明人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung- Jin Choi

IPC分类号： B29C37/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B29C37/0003 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： Systems and methods for improving robust layer separation during the separation process of an imprint lithography process are described. Included are methods of matching strains between a substrate to be imprinted and the template, varying or modifying the forces applied to the template and/or the substrate during separation, or varying or modifying the kinetics of the separation process.

摘要翻译： 描述了在压印光刻工艺的分离过程期间改进鲁棒层分离的系统和方法。 包括在待印刷的基底与模板之间匹配应变的方法，改变或改变在分离期间施加到模板和/或基底的力，或改变或改变分离过程的动力学。

公开(公告)号：US20100102469A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12604517

申请日：2009-10-23

申请人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung-Jin Choi

发明人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung-Jin Choi

IPC分类号： B29C45/76

CPC分类号： B29C37/0003 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： Systems and methods for improving robust layer separation during the separation process of an imprint lithography process are described. Included are methods of matching strains between a substrate to be imprinted and the template, varying or modifying the forces applied to the template and/or the substrate during separation, or varying or modifying the kinetics of the separation process.

摘要翻译： 描述了在压印光刻工艺的分离过程期间改进鲁棒层分离的系统和方法。 包括在待印刷的基底与模板之间匹配应变的方法，改变或改变在分离期间施加到模板和/或基底的力，或改变或改变分离过程的动力学。

公开(公告)号：US08652393B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US12604517

申请日：2009-10-23

申请人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung-Jin Choi

发明人： Niyaz Khusnatdinov ,  Frank Y. Xu ,  Mario Johannes Meissl ,  Michael N. Miller ,  Ecron D. Thompson ,  Gerard M. Schmid ,  Pawan Kumar Nimmakayala ,  Xiaoming Lu ,  Byung-Jin Choi

IPC分类号： B29C45/76

CPC分类号： B29C37/0003 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： Systems and methods for improving robust layer separation during the separation process of an imprint lithography process are described. Included are methods of matching strains between a substrate to be imprinted and the template, varying or modifying the forces applied to the template and/or the substrate during separation, or varying or modifying the kinetics of the separation process.

摘要翻译： 描述了在压印光刻工艺的分离过程期间改进鲁棒层分离的系统和方法。 包括在待印刷的基底与模板之间匹配应变的方法，改变或改变在分离期间施加到模板和/或基底的力，或改变或改变分离过程的动力学。

公开(公告)号：US20100259745A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12820542

申请日：2010-06-22

申请人： Anshuman Cherala ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Byung-Jin Choi ,  Ecron D. Thompson

发明人： Anshuman Cherala ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Byung-Jin Choi ,  Ecron D. Thompson

IPC分类号： G03B27/32

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/703 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7092

摘要： The present invention is directed towards a method for determining deformation parameters that a patterned device would undergo to minimize dimensional variations between a recorded pattern thereon and a reference pattern, the method including, inter alia, comparing spatial variation between features of the recorded pattern with respect to corresponding features of the reference pattern; and determining deformation forces to apply to the patterned device to attenuate the dimensional variations, with the forces having predetermined constraints, wherein a summation of a magnitude of the forces is substantially zero and a summation of moment of the forces is substantially zero.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于确定图案化装置将经历以使其上的记录图案与参考图案之间的尺寸变化最小化的变形参数的方法，该方法尤其包括将记录图案的特征与相对于 参考图案的相应特征; 以及确定施加到所述图案化装置上的变形力以衰减所述尺寸变化，其中所述力具有预定的约束，其中所述力的大小的总和基本上为零，并且所述力的力矩的总和基本上为零。

公开(公告)号：US07768624B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11695469

申请日：2007-04-02

申请人： Anshuman Cherala ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Byung-Jin Choi ,  Ecron D. Thompson

发明人： Anshuman Cherala ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Byung-Jin Choi ,  Ecron D. Thompson

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/703 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7092

摘要： The present invention is directed towards a method for determining deformation parameters that a patterned device would undergo to minimize dimensional variations between a recorded pattern thereon and a reference pattern, the method including, inter alia, comparing spatial variation between features of the recorded pattern with respect to corresponding features of the reference pattern; and determining deformation forces to apply to the patterned device to attenuate the dimensional variations, with the forces having predetermined constraints, wherein a summation of a magnitude of the forces is substantially zero and a summation of moment of the forces is substantially zero.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于确定图案化装置将经历以使其上的记录图案与参考图案之间的尺寸变化最小化的变形参数的方法，该方法尤其包括将记录图案的特征与相对于 参考图案的相应特征; 以及确定施加到所述图案化装置上的变形力以衰减所述尺寸变化，其中所述力具有预定的约束，其中所述力的大小的总和基本上为零，并且所述力的力矩的总和基本上为零。

公开(公告)号：US07122482B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10694284

申请日：2003-10-27

申请人： Frank Y. Xu ,  Nicholas E. Stacey ,  Michael P. C. Watts ,  Ecron D. Thompson

发明人： Frank Y. Xu ,  Nicholas E. Stacey ,  Michael P. C. Watts ,  Ecron D. Thompson

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： B29C43/003 ,  B29C2043/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： One embodiment of the present invention is a method for generating patterned features on a substrate that includes: (a) forming a first layer on at least a portion of a surface of the substrate, the first layer comprising at least one layer of a first material, which one layer abuts the surface of the substrate; (b) forming a second layer of a second material on at least a portion of the first layer, which second layer is imprinted with the patterned features; (c) removing at least portions of the second layer to extend the patterned features to the first layer; and (d) removing at least portions of the first layer to extend the patterned features to the substrate; wherein the first layer and the second layer may be exposed to an etching process that undercuts the patterned features, and the first material may be lifted-off.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是一种用于在衬底上产生图案化特征的方法，其包括：（a）在衬底的表面的至少一部分上形成第一层，第一层包括至少一层第一材料 其中一层邻接衬底的表面; （b）在所述第一层的至少一部分上形成第二材料的第二层，所述第二层被印刷所述图案化特征; （c）去除所述第二层的至少一部分以将所述图案化特征延伸到所述第一层; 和（d）去除所述第一层的至少一部分以将所述图案化特征延伸到所述基底; 其中第一层和第二层可以暴露于蚀刻过程，其蚀刻图案化的特征，并且第一材料可以被剥离。