公开(公告)号：US20130082787A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13200844

申请日：2011-10-03

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： H03B7/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  B05D5/00 ,  B05D3/02

CPC分类号： H03B15/006 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  G11C5/005 ,  G11C11/161 ,  Y10T428/1114

摘要： A spin transfer (torque) oscillator (STO) with a non-magnetic spacer formed between a spin injection layer (SIL) and a field generation layer (FGL), and with an interfacial layer comprised of Fe(100-V)CoV where v is from 5 to 100 atomic % formed between the SIL and non-magnetic spacer is disclosed. A composite seed layer made of Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture is used to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in the STO device. The interfacial layer quenches SIL oscillations and thereby stabilizes the SIL against FGL oscillations. The interfacial layer preferably has a thickness from 5 to 50 Angstroms and enhances amplitude (dR/R) in the STO device. The STO device may have a top SIL or bottom SIL configuration. The SIL is typically a laminated structure such as (Co/Ni)X where x is between 5 and 50.

摘要翻译： 具有在自旋注入层（SIL）和场产生层（FGL）之间形成的非磁性间隔物的自旋转移（扭矩）振荡器（STO），以及由Fe（100-V）CoV组成的界面层，其中v 公开了在SIL和非磁性间隔物之间​​形成的5至100原子％。 使用由Ta制成的复合晶种层和具有fcc（111）或hcp（001）结构的金属层来增强STO器件中的垂直磁各向异性（PMA）。 界面层淬灭SIL振荡，从而使SIL稳定于FGL振荡。 界面层优选具有5至50埃的厚度，并且增强STO器件中的振幅（dR / R）。 STO设备可能具有顶部SIL或底部SIL配置。 SIL通常是诸如（Co / Ni）X的层压结构，其中x在5和50之间。

公开(公告)号：US08488373B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13200844

申请日：2011-10-03

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H03B15/006 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  G11C5/005 ,  G11C11/161 ,  Y10T428/1114

摘要： A spin transfer (torque) oscillator (STO) with a non-magnetic spacer formed between a spin injection layer (SIL) and a field generation layer (FGL), and with an interfacial layer comprised of Fe(100-V)CoV where v is from 5 to 100 atomic % formed between the SIL and non-magnetic spacer is disclosed. A composite seed layer made of Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture is used to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in the STO device. The interfacial layer quenches SIL oscillations and thereby stabilizes the SIL against FGL oscillations. The interfacial layer preferably has a thickness from 5 to 50 Angstroms and enhances amplitude (dR/R) in the STO device. The STO device may have a top SIL or bottom SIL configuration. The SIL is typically a laminated structure such as (Co/Ni)X where x is between 5 and 50.

公开(公告)号：US08064244B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12456621

申请日：2009-06-19

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1136 ,  Y10T428/1143

摘要： A spin valve structure for a spintronic device is disclosed and includes a composite seed layer made of at least Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying (Co/Ni)x multilayer. The (Co/Ni)x multilayer is deposited by a low power and high Ar pressure process to avoid damaging Co/Ni interfaces and thereby preserving PMA. As a result, only a thin seed layer is required. PMA is maintained even after annealing at 220° C. for 10 hours. Examples of GMR and TMR spin valves are described and may be incorporated in spin transfer oscillators and spin transfer MRAMs. The free layer is preferably made of a FeCo alloy including at least one of Al, Ge, Si, Ga, B, C, Se, Sn, or a Heusler alloy, or a half Heusler alloy to provide high spin polarization and a low magnetic damping coefficient.

摘要翻译： 公开了一种用于自旋电子器件的自旋阀结构，并且包括至少由Ta制成的复合种子层和具有fcc（111）或hcp（001）织构的金属层，以增强覆盖层（Co）中的垂直磁各向异性（PMA） / Ni）x多层。 （Co / Ni）x多层通过低功率和高Ar压力工艺沉积，以避免损坏Co / Ni界面，从而保留PMA。 结果，仅需要薄的种子层。 即使在220℃退火10小时后也保持PMA。 描述了GMR和TMR自旋阀的实例，并且可以结合在自旋转移振荡器和自旋转移MRAM中。 自由层优选由包括Al，Ge，Si，Ga，B，C，Se，Sn或Heusler合金或Heusler合金中的至少一种的FeCo合金制成，以提供高自旋极化和低磁性 阻尼系数。

公开(公告)号：US20090257151A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12456621

申请日：2009-06-19

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： G11B5/33 ,  B05D5/00 ,  C23C14/35

CPC分类号： G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1136 ,  Y10T428/1143

摘要： A spin valve structure for a spintronic device is disclosed and includes a composite seed layer made of at least Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying (Co/Ni)x multilayer. The (Co/Ni)x multilayer is deposited by a low power and high Ar pressure process to avoid damaging Co/Ni interfaces and thereby preserving PMA. As a result, only a thin seed layer is required. PMA is maintained even after annealing at 220° C. for 10 hours. Examples of GMR and TMR spin valves are described and may be incorporated in spin transfer oscillators and spin transfer MRAMs. The free layer is preferably made of a FeCo alloy including at least one of Al, Ge, Si, Ga, B, C, Se, Sn, or a Heusler alloy, or a half Heusler alloy to provide high spin polarization and a low magnetic damping coefficient.

摘要翻译： 公开了一种用于自旋电子器件的自旋阀结构，并且包括至少由Ta制成的复合种子层和具有fcc（111）或hcp（001）织构的金属层，以增强覆盖层（Co）中的垂直磁各向异性（PMA） / Ni）x多层。 （Co / Ni）x多层通过低功率和高Ar压力工艺沉积，以避免损坏Co / Ni界面，从而保留PMA。 结果，仅需要薄的种子层。 即使在220℃退火10小时后也保持PMA。 描述了GMR和TMR自旋阀的实例，并且可以结合在自旋转移振荡器和自旋转移MRAM中。 自由层优选由包括Al，Ge，Si，Ga，B，C，Se，Sn或Heusler合金或Heusler合金中的至少一种的FeCo合金制成，以提供高自旋极化和低磁性 阻尼系数。

公开(公告)号：US20100142088A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12588176

申请日：2009-10-06

申请人： Hitoshi Iwasaki ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Kenichiro Yamada

发明人： Hitoshi Iwasaki ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Kenichiro Yamada

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3146 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0024 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  H03B15/006

摘要： A spin torque oscillator includes an amorphous soft magnetic layer, a nonmagnetic layer and a hard magnetic layer. The nonmagnetic layer with a close-packed crystal structure is provided on the amorphous soft magnetic layer. The hard magnetic layer with a close-packed crystal structure and perpendicular magnetic anisotropy is provided on the nonmagnetic layer.

摘要翻译： 自旋转矩振荡器包括非晶软磁层，非磁性层和硬磁层。 在非晶软磁层上提供具有紧密结晶结构的非磁性层。 在非磁性层上提供具有紧密堆积晶体结构和垂直磁各向异性的硬磁性层。

公开(公告)号：US20100007996A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12457657

申请日：2009-06-17

申请人： Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Shimizu ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui

发明人： Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Shimizu ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/3996

摘要： It is made possible to reduce the write magnetic field generated from the main magnetic pole toward the spin torque oscillator, so as to reduce the variation in the oscillation characteristics of the spin torque oscillator, and reduce the current required for oscillation. The magnetic head assembly includes: a recording magnetic pole; a spin torque oscillator that has first and second magnetic layers, and an intermediate layer interposed between the first and second magnetic layers, the spin torque oscillator generating a high-frequency magnetic field by applying a current between the first and second magnetic layers; and a third magnetic layer that is placed adjacent to at least part of a side face of the second magnetic layer.

摘要翻译： 可以将从主磁极产生的写入磁场减小到自旋转矩振荡器，从而减小自旋转矩振荡器的振荡特性的变化，并且降低振荡所需的电流。 磁头组件包括：记录磁极; 旋转扭矩振荡器，其具有第一和第二磁性层，以及介于所述第一和第二磁性层之间的中间层，所述自旋扭矩振荡器通过在所述第一和第二磁性层之间施加电流而产生高频磁场; 以及与第二磁性层的侧面的至少一部分相邻配置的第三磁性层。

公开(公告)号：US08467148B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12588176

申请日：2009-10-06

申请人： Hitoshi Iwasaki ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Kenichiro Yamada

发明人： Hitoshi Iwasaki ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Kenichiro Yamada

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3146 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0024 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  H03B15/006

摘要： A spin torque oscillator includes an amorphous soft magnetic layer, a nonmagnetic layer and a hard magnetic layer. The nonmagnetic layer with a close-packed crystal structure is provided on the amorphous soft magnetic layer. The hard magnetic layer with a close-packed crystal structure and perpendicular magnetic anisotropy is provided on the nonmagnetic layer.

摘要翻译： 自旋转矩振荡器包括非晶软磁层，非磁性层和硬磁层。 在非晶软磁层上提供具有紧密结晶结构的非磁性层。 在非磁性层上提供具有紧密堆积晶体结构和垂直磁各向异性的硬磁性层。

公开(公告)号：US08446691B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13459610

申请日：2012-04-30

申请人： Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Kitazaki ,  Soichi Oikawa

发明人： Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Kitazaki ,  Soichi Oikawa

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3146 ,  G11B5/02 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/65 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0024 ,  H01F10/123 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic recording device includes a magnetic recording head and a magnetic recording medium. The magnetic recording head includes a main magnetic pole, a shield and a stacked structure. The main magnetic pole has a medium facing surface and a main magnetic pole side surface. The shield has a shield side surface. The stacked structure is provided between the main magnetic pole and shield, and includes first and second magnetic layers, and an intermediate layer. The magnetic recording medium includes a backing layer and a magnetic recording layer. A distance between an end portion of the medium facing surface on a side of the stacked structure and the backing layer is twice or more of a distance between the main magnetic pole side surface and the shield side surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录装置包括磁记录头和磁记录介质。 磁记录头包括主磁极，屏蔽和堆叠结构。 主磁极具有中等面向表面和主磁极侧表面。 屏蔽有屏蔽侧面。 堆叠结构设置在主磁极和屏蔽之间，并且包括第一和第二磁性层以及中间层。 磁记录介质包括背衬层和磁记录层。 层叠结构一侧的介质相对表面的端部与背衬层之间的距离是主磁极侧表面和屏蔽侧表面之间的距离的两倍或更多。

公开(公告)号：US08320079B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12457657

申请日：2009-06-17

申请人： Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Shimizu ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui

发明人： Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Mariko Shimizu ,  Soichi Oikawa ,  Katsuhiko Koui

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/187

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/3996

摘要： It is made possible to reduce the write magnetic field generated from the main magnetic pole toward the spin torque oscillator, so as to reduce the variation in the oscillation characteristics of the spin torque oscillator, and reduce the current required for oscillation. The magnetic head assembly includes: a recording magnetic pole; a spin torque oscillator that has first and second magnetic layers, and an intermediate layer interposed between the first and second magnetic layers, the spin torque oscillator generating a high-frequency magnetic field by applying a current between the first and second magnetic layers; and a third magnetic layer that is placed adjacent to at least part of a side face of the second magnetic layer.

摘要翻译： 可以将从主磁极产生的写入磁场减小到自旋转矩振荡器，从而减小自旋转矩振荡器的振荡特性的变化，并且降低振荡所需的电流。 磁头组件包括：记录磁极; 旋转扭矩振荡器，其具有第一和第二磁性层，以及介于所述第一和第二磁性层之间的中间层，所述自旋扭矩振荡器通过在所述第一和第二磁性层之间施加电流而产生高频磁场; 以及与第二磁性层的侧面的至少一部分相邻配置的第三磁性层。

公开(公告)号：US08472140B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13404046

申请日：2012-02-24

申请人： Kenichiro Yamada ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Katsuhiko Koui ,  Mariko Kitazaki ,  Soichi Oikawa

发明人： Kenichiro Yamada ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masayuki Takagishi ,  Tomomi Funayama ,  Masahiro Takashita ,  Katsuhiko Koui ,  Mariko Kitazaki ,  Soichi Oikawa

IPC分类号： G11B5/147

CPC分类号： G11B5/3146 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/02 ,  G11B5/3133 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic recorder includes: a magnetic recording medium; a reproducing head; a magnetic recording head including: a main magnetic pole; a first magnetic layer containing a TM alloy; a second magnetic layer containing a TM alloy or an RE-TM alloy; a third magnetic layer containing an RE-TM alloy; a first intermediate layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer; and a second intermediate layer provided between the second magnetic layer and the third magnetic layer; and a signal processing portion which performs signal writing into the magnetic recording medium by using the magnetic recording head and reading from the magnetic recording medium by using the reproducing head.

摘要翻译： 磁记录器包括：磁记录介质; 再现头 磁记录头，包括：主磁极; 含有TM合金的第一磁性层; 含有TM合金或RE-TM合金的第二磁性层; 含有RE-TM合金的第三磁性层; 设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的第一中间层; 以及设置在所述第二磁性层和所述第三磁性层之间的第二中间层; 以及信号处理部分，其通过使用磁记录头并通过使用再现头从磁记录介质读取来执行信号写入磁记录介质。