公开(公告)号：US20080303103A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11932620

申请日：2007-10-31

申请人： Kuo Chung CHEN ,  Jen-Jui HUANG ,  Hong Wen LEE

发明人： Kuo Chung CHEN ,  Jen-Jui HUANG ,  Hong Wen LEE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66613

摘要： The present invention provides a semiconductor structure and a method of forming the same. The method includes the steps of providing a substrate, forming a mask layer with an opening on the substrate, locally oxidizing the substrate to form an oxide layer within the opening, removing the oxide layer, such that a partial surface of the substrate becomes a curve surface, forming a sacrificial layer on the curve surface, forming a first doped region in the substrate and under the hard mask layer, forming a gate stack within the opening, removing the hard mask layer, forming a spacer on a sidewall of the gate stack, and forming a second doped region in the substrate and under the spacer. The second doped region has a dopant concentration is larger than that of the first doped region. Therefore, the oxide layer increases the surface area of the substrate so as to increase the channel length. Thus, the leakage between the source region and the drain region can be improved.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成具有开口的掩模层，局部氧化衬底以在开口内形成氧化物层，去除氧化物层，使得衬底的部分表面变为曲线 在所述曲面上形成牺牲层，在所述衬底中并在所述硬掩模层之下形成第一掺杂区域，在所述开口内形成栅叠层，去除所述硬掩膜层，在所述栅叠层的侧壁上形成间隔物 并且在所述衬底中并在所述间隔物之下形成第二掺杂区域。 第二掺杂区域的掺杂浓度大于第一掺杂区域的掺杂浓度。 因此，氧化物层增加了衬底的表面积，从而增加了沟道长度。 因此，可以提高源极区域和漏极区域之间的泄漏。

公开(公告)号：US20080286934A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11953481

申请日：2007-12-10

申请人： Kuo-Yao CHO ,  Wen-Bin WU ,  Chiang-Lin SHIH ,  Jen-Jui HUANG

发明人： Kuo-Yao CHO ,  Wen-Bin WU ,  Chiang-Lin SHIH ,  Jen-Jui HUANG

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/945 ,  H01L29/66181

摘要： A method of forming a ring-type capacitor is provided. The method includes providing a substrate; forming a patterned mask layer on the substrate, the patterned mask layer defining a ring pattern; removing the substrate by using the patterned mask layer as a mask to form a ring-type trench in the substrate; the ring-type trench including an inner wall and an outer wall; and forming a capacitor structure on the inner wall and the outer wall of the ring-type trench.

摘要翻译： 提供一种形成环型电容器的方法。 该方法包括提供基板; 在所述衬底上形成图案化掩模层，所述图案化掩模层限定环形图案; 通过使用图案化掩模层作为掩模去除衬底，以在衬底中形成环型沟槽; 所述环形沟槽包括内壁和外壁; 并在环形沟槽的内壁和外壁上形成电容器结构。

公开(公告)号：US20080206684A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11742272

申请日：2007-04-30

申请人： Kuo-Yao CHO ,  Jen-Jui HUANG

发明人： Kuo-Yao CHO ,  Jen-Jui HUANG

IPC分类号： C23F1/02 ,  G03C5/56

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337

摘要： A method for forming a ring pattern is disclosed. The ring pattern has a first wall and a second wall. The method includes the following steps: (a) providing a substrate; (b) forming a dielectric layer on the substrate; (c) forming a first patterned photoresist layer on the dielectric layer, the first patterned photoresist layer defining the first wall; (d) etching the dielectric layer to a predetermined depth by using the first patterned photoresist as a mask, and then removing the first patterned photoresist layer; (e) forming a second patterned photoresist layer on the dielectric layer, the second patterned photoresist layer defining the second wall; (f) etching the dielectric layer by using the second patterned photoresist layer as a mask so as to form the ring pattern having the first wall and the second wall.

摘要翻译： 公开了一种形成环形图案的方法。 环形图案具有第一壁和第二壁。 该方法包括以下步骤：（a）提供衬底; （b）在基板上形成电介质层; （c）在所述电介质层上形成第一图案化光致抗蚀剂层，所述第一图案化光刻胶层限定所述第一壁; （d）通过使用第一图案化的光致抗蚀剂作为掩模将电介质层蚀刻到预定的深度，然后去除第一图案化的光致抗蚀剂层; （e）在所述电介质层上形成第二图案化光致抗蚀剂层，所述第二图案化光致抗蚀剂层限定所述第二壁; （f）通过使用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模蚀刻介电层，以便形成具有第一壁和第二壁的环形图案。