公开(公告)号：US20120015490A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13183630

申请日：2011-07-15

申请人： Kwan-Heum LEE ,  Soon-Wook JUNG ,  Jung-Hyun PARK ,  Wook-Je KIM ,  Jong-Sang BAN

发明人： Kwan-Heum LEE ,  Soon-Wook JUNG ,  Jung-Hyun PARK ,  Wook-Je KIM ,  Jong-Sang BAN

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7848

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a gate structure on a substrate; forming a sacrificial spacer may be formed on a sidewall of the gate substrate; implanting first impurities into portions of the substrate by a first ion implantation process using the gate structure and the sacrificial spacer as ion implantation masks to form source and drain regions; removing the sacrificial spacer; and implanting second impurities and carbon atoms into portions of the substrate by a second ion implantation process using the gate structure as an ion implantation mask to form source and drain extension regions and carbon doping regions, respectively.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极结构; 形成牺牲隔离物可以形成在栅极衬底的侧壁上; 通过使用栅极结构和牺牲隔离物作为离子注入掩模的第一离子注入工艺将第一杂质注入到衬底的部分中以形成源区和漏区; 去除牺牲隔离物; 以及通过使用所述栅极结构作为离子注入掩模的第二离子注入工艺将第二杂质和碳原子注入到所述衬底的部分中，以分别形成源极和漏极延伸区域和碳掺杂区域。

公开(公告)号：US20120015489A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13181907

申请日：2011-07-13

申请人： Kwan-Heum LEE ,  Wook-Je KIM ,  Soon-Wook JUNG ,  Sang-Bom KANG ,  Ki-Hong KIM

发明人： Kwan-Heum LEE ,  Wook-Je KIM ,  Soon-Wook JUNG ,  Sang-Bom KANG ,  Ki-Hong KIM

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device are provided. In a method of manufacturing a semiconductor device, a gate structure is formed on a substrate. An epitaxial layer is formed on a top surface of the substrate adjacent to the gate structure. An elevated source/drain (ESD) layer and an impurity region are formed by implanting impurities and carbon in the epitaxial layer and an upper portion of the substrate using the gate structure as an ion implantation mask. A metal silicide layer is formed on the ESD layer.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 在制造半导体器件的方法中，在衬底上形成栅极结构。 在与栅极结构相邻的衬底的顶表面上形成外延层。 通过使用栅极结构作为离子注入掩模，将外延层中的杂质和碳注入到衬底的上部，形成升高的源极/漏极（ESD）层和杂质区。 在ESD层上形成金属硅化物层。

公开(公告)号：US20160049511A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14826439

申请日：2015-08-14

申请人： Jin-Bum KIM ,  Seok-Hoon KIM ,  Chul KIM ,  Kwan-Heum LEE ,  Byeong-Chan LEE ,  Cho-Eun LEE ,  Su-Jin JUNG ,  Bon-Young KOO

发明人： Jin-Bum KIM ,  Seok-Hoon KIM ,  Chul KIM ,  Kwan-Heum LEE ,  Byeong-Chan LEE ,  Cho-Eun LEE ,  Su-Jin JUNG ,  Bon-Young KOO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785

摘要： Provided are semiconductor devices that include an active pattern on a substrate, first and second gate electrodes on the active pattern and arranged in a first direction relative to one another and a first source/drain region in a first trench that extends into the active pattern between the first and second gate electrodes. The first source/drain region includes a first epitaxial layer that is configured to fill the first trench and that includes at least one plane defect that originates at a top portion of the first epitaxial layer and extends towards a bottom portion of the first epitaxial layer.

摘要翻译： 提供了在衬底上包括有源图案的半导体器件，在有源图案上的第一和第二栅电极，并且相对于彼此在第一方向上布置，并且第一沟槽中的第一源/漏区延伸到有源图案之间 第一和第二栅电极。 第一源极/漏极区域包括第一外延层，其被配置为填充第一沟槽并且包括起始于第一外延层的顶部并延伸朝向第一外延层的底部的至少一个平面缺陷。

公开(公告)号：US20150333061A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14576368

申请日：2014-12-19

申请人： Seok-Hoon KIM ,  Jin-Bum KIM ,  Kwan-Heum LEE ,  Byeong-Chan LEE ,  Cho-Eun LEE ,  Jin-Hee HAN ,  Bon-Young KOO

发明人： Seok-Hoon KIM ,  Jin-Bum KIM ,  Kwan-Heum LEE ,  Byeong-Chan LEE ,  Cho-Eun LEE ,  Jin-Hee HAN ,  Bon-Young KOO

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first active fin and a second active fin on the substrate, respectively, a plurality of first epitaxial layers on the first active fin and on the second active fin, respectively, a plurality of second epitaxial layers on the plurality of first epitaxial layers, a bridge layer connecting the plurality of second epitaxial layers to each other, and a third epitaxial layer on the bridge layer.

摘要翻译： 半导体器件分别在衬底上包括衬底，第一有源鳍片和第二有源鳍片，分别在第一有源鳍片和第二有源鳍片上的多个第一外延层，多个第二外延层， 多个第一外延层，将多个第二外延层彼此连接的桥接层以及桥接层上的第三外延层。