公开(公告)号：US20070295944A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11806064

申请日：2007-05-29

申请人： Kyong-hwa Song ,  Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam

发明人： Kyong-hwa Song ,  Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： H05B33/28 ,  B82Y30/00 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G19/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/457 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/77 ,  H01J29/085 ,  H01J2329/00

摘要： A method for manufacturing an indium tin oxide (ITO) target and methods for preparing indium oxide powder (In2O3) and tin oxide powder (SnO2). The method for manufacturing an ITO (indium tin oxide) target includes preparing an In2O3 powder having a surface area of about 10-18 m2/g and an average particle diameter of between about 40 to 80 nm; preparing a SnO2 powder having a surface area of about 8-15 m2/g and an average particle diameter of about 60-100 nm; molding a mixture of the In2O3 powder and the SnO2 powder; and sintering the mixture at atmospheric pressure under oxidation atmosphere. The ITO target is applicable for a high-quality, transparent electrode for a display, such as a liquid crystal display, electroluminescent display, or field emission display.

摘要翻译： 一种氧化铟锡（ITO）靶的制造方法及其制造方法，其中，氧化铟粉末（N 2 O 3 O 3）和氧化锡粉末（SnO 2 O 3） / SUB>）。 制造ITO（氧化铟锡）靶的方法包括制备表面积约10-18m 2 / cm 2的In 2 O 3 O 3 3粉末， SUP> / g，平均粒径为约40〜80nm; 制备表面积为约8-15m 2 / g且平均粒径为约60-100nm的SnO 2 N 2粉末; 模制In 2 N 3 O 3 N 3粉末和SnO 2 N 2粉末的混合物; 并在大气压下在氧化气氛下烧结混合物。 ITO靶可用于液晶显示器，电致发光显示器或场致发射显示器等用于显示器的高品质透明电极。

公开(公告)号：US07799312B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11806064

申请日：2007-05-29

申请人： Kyong-hwa Song ,  Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam

发明人： Kyong-hwa Song ,  Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam

IPC分类号： C01G19/00

CPC分类号： H05B33/28 ,  B82Y30/00 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G19/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/457 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/77 ,  H01J29/085 ,  H01J2329/00

摘要： A method for manufacturing an indium tin oxide (ITO) target and methods for preparing indium oxide powder (In2O3) and tin oxide powder (SnO2). The method for manufacturing an ITO (indium tin oxide) target includes preparing an In2O3 powder having a surface area of about 10-18 m2/g and an average particle diameter of between about 40 to 80 nm; preparing a SnO2 powder having a surface area of about 8-15 m2/g and an average particle diameter of about 60-100 nm; molding a mixture of the In2O3 powder and the SnO2 powder; and sintering the mixture at atmospheric pressure under oxidation atmosphere. The ITO target is applicable for a high-quality, transparent electrode for a display, such as a liquid crystal display, electroluminescent display, or field emission display.

摘要翻译： 铟锡氧化物（ITO）靶的制造方法和氧化铟粉末（In 2 O 3）和氧化锡粉末（SnO 2）的制造方法。 制造ITO（氧化铟锡）靶的方法包括制备表面积约10-18m 2 / g，平均粒径在约40至80nm之间的In2O3粉末; 制备表面积约8-15m 2 / g，平均粒径约60-100nm的SnO 2粉末; 模制In2O3粉末和SnO2粉末的混合物; 并在大气压下在氧化气氛下烧结混合物。 ITO靶可用于液晶显示器，电致发光显示器或场致发射显示器等用于显示器的高品质透明电极。

公开(公告)号：US07816713B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12053740

申请日：2008-03-24

申请人： Kyu-sik Kim ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  O-hyun Kwon ,  Jung-gyu Nam ,  Hye-suk Jo

发明人： Kyu-sik Kim ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  O-hyun Kwon ,  Jung-gyu Nam ,  Hye-suk Jo

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/307 ,  H01L27/14647 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0085

摘要： Provided is a CMOS image sensor that uses thiophene derivatives. The CMOS image sensor includes first through third photoelectric conversion units vertically and sequentially stacked on a semiconductor substrate. The first photoelectric conversion unit detects blue light and comprises a first electrode, a second electrode, and a p-type thiophene derivative layer between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 提供了使用噻吩衍生物的CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器包括垂直且顺序堆叠在半导体衬底上的第一至第三光电转换单元。 第一光电转换单元检测蓝光，并且包括在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和p型噻吩衍生物层。

公开(公告)号：US20060163567A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11336818

申请日：2006-01-23

申请人： Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam ,  Won-cheol Jung ,  Young-jun Park

发明人： Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam ,  Won-cheol Jung ,  Young-jun Park

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01G9/2031 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/1884 ,  H01M14/005 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

摘要： Provided are a continuous-phase semiconductor electrode that can provide better photoelectric conversion efficiency by improving a pathway for electron transport, a method of manufacturing the same, and a solar cell employing the same. The semiconductor electrode includes a transparent conductive electrode, formed on a substrate, including a metal or a metal nitride; and a metal oxide layer continuously formed on the transparent conductive electrode.

摘要翻译： 提供了一种连续相半导体电极，其可以通过改进电子传输途径，其制造方法和使用该途径的太阳能电池来提供更好的光电转换效率。 半导体电极包括形成在包括金属或金属氮化物的基板上的透明导电电极; 以及连续形成在透明导电电极上的金属氧化物层。

公开(公告)号：US20060157104A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11334360

申请日：2006-01-19

申请人： Won-cheol Jung ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  Jung-gyu Nam

发明人： Won-cheol Jung ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  Jung-gyu Nam

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  H01G9/2027 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a semiconductor anode including: a metal oxide semiconductor formed on a conductive substrate; a dye formed on a surface of the metal oxide semiconductor; and a polymer self-assembled on a surface of the metal oxide semiconductor. Provided are also a dye-sensitized solar cell, a method of manufacturing the dye-sensitized solar cell, and a polymer composition used for the method of manufacturing the dye-sensitized solar cell. The dye-sensitized solar cell includes an organic material-incorporated metal oxide semiconductor. Therefore, the transfer of electrons in the semiconductor to an electrolyte can be prevented, thereby increasing photocurrent and photovoltage, resulting in enhancement in energy conversion efficiency.

摘要翻译： 提供一种半导体阳极，包括：形成在导电基板上的金属氧化物半导体; 形成在所述金属氧化物半导体的表面上的染料; 以及在金属氧化物半导体的表面上自组装的聚合物。 还提供染料敏化太阳能电池，染料敏化太阳能电池的制造方法和用于制造染料敏化太阳能电池的方法的聚合物组合物。 染料敏化太阳能电池包括掺入有机材料的金属氧化物半导体。 因此，可以防止半导体中的电子转移到电解质中，从而增加光电流和光电压，从而提高能量转换效率。

公开(公告)号：US08610129B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13220232

申请日：2011-08-29

申请人： Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park ,  Kyu-sik Kim ,  Young-jun Park

发明人： Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park ,  Kyu-sik Kim ,  Young-jun Park

IPC分类号： H01L31/0256

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/541

摘要： A stack-type image sensor using a compound semiconductor. The stack-type image sensor includes a stack of photoelectric conversion units which are sequentially arranged in a light incident direction and which absorb light in ascending order of a wavelength from shortest to longest.

摘要翻译： 使用化合物半导体的堆叠型图像传感器。 堆叠型图像传感器包括沿光入射方向依次布置并以从最短到最长的波长的升序吸收光的光电转换单元的堆叠。

公开(公告)号：US20120145244A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13403406

申请日：2012-02-23

申请人： Won-cheol Jung ,  Kyung-sang Cho ,  Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park

发明人： Won-cheol Jung ,  Kyung-sang Cho ,  Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park

IPC分类号： H01L31/0216 ,  B05D5/06 ,  C09D7/12

CPC分类号： H01G9/2063 ,  H01G9/2031 ,  Y02E10/542

摘要： A photoreceptive layer including heterogeneous dyes is provided. The dye fill density is enhanced and light absorption is achieved at a broad wavelength range, which enables the beneficial utilization of the photoreceptive layer in a dye-sensitized solar cell.

摘要翻译： 提供了包含异质染料的感光层。 染料填充密度增强，并且在宽波长范围内实现光吸收，这使得能够有益地利用染料敏化太阳能电池中的感光层。

公开(公告)号：US08138414B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US11334360

申请日：2006-01-19

申请人： Won-cheol Jung ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  Jung-gyu Nam

发明人： Won-cheol Jung ,  Sang-cheol Park ,  Young-jun Park ,  Jung-gyu Nam

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  H01G9/2027 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a semiconductor anode including: a metal oxide semiconductor formed on a conductive substrate; a dye formed on a surface of the metal oxide semiconductor; and a polymer self-assembled on a surface of the metal oxide semiconductor. Provided are also a dye-sensitized solar cell, a method of manufacturing the dye-sensitized solar cell, and a polymer composition used for the method of manufacturing the dye-sensitized solar cell. The dye-sensitized solar cell includes an organic material-incorporated metal oxide semiconductor. Therefore, the transfer of electrons in the semiconductor to an electrolyte can be prevented, thereby increasing photocurrent and photovoltage, resulting in enhancement in energy conversion efficiency.

摘要翻译： 提供一种半导体阳极，包括：形成在导电基板上的金属氧化物半导体; 形成在所述金属氧化物半导体的表面上的染料; 以及在金属氧化物半导体的表面上自组装的聚合物。 还提供染料敏化太阳能电池，染料敏化太阳能电池的制造方法和用于制造染料敏化太阳能电池的方法的聚合物组合物。 染料敏化太阳能电池包括掺入有机材料的金属氧化物半导体。 因此，可以防止半导体中的电子转移到电解质中，从而增加光电流和光电压，从而提高能量转换效率。

公开(公告)号：US20060185714A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11346212

申请日：2006-02-03

申请人： Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park ,  Won-cheol Jung ,  Young-jun Park

发明人： Jung-gyu Nam ,  Sang-cheol Park ,  Won-cheol Jung ,  Young-jun Park

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01G9/2068 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2086 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542

摘要： Provided are a cylindrical flexible solar cell which is made of only flexible materials so that the cell can freely bend, has a cylindrical shape which allows the cell to absorb solar light at any angle of illumination, and has a large surface area and high efficiency; and a method of producing the same.

摘要翻译： 提供一种仅由柔性材料制成的圆柱形柔性太阳能电池，使得电池可以自由弯曲，具有允许电池在任何照明角度吸收太阳光的圆柱形形状，并且具有大的表面积和高效率; 及其制造方法。

公开(公告)号：US20060180193A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11337550

申请日：2006-01-24

申请人： Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam ,  Ki-yong Song ,  Chang-ho Noh

发明人： Sang-cheol Park ,  Jung-gyu Nam ,  Ki-yong Song ,  Chang-ho Noh

IPC分类号： H02N6/00

CPC分类号： H01G9/2027 ,  H01G9/2031 ,  Y02E10/542 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/521

摘要： A photoacceptive layer having a core-shell structure and a solar cell using the same are provided. More specifically, a photoacceptive layer including a metal oxide of a core-shell structure which can improve photoconversion efficiency by improving a electron migration path, and a solar cell using the same are provided.