公开(公告)号：US08912617B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13283379

申请日：2011-10-27

申请人： Lan Zhang ,  Ewelina N. Lucow ,  Onur Fidaner ,  Michael W. Wiemer

发明人： Lan Zhang ,  Ewelina N. Lucow ,  Onur Fidaner ,  Michael W. Wiemer

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A semiconductor light detection device fabrication technique is provided in which the cap etch and anti-reflection coating steps are performed in a single, self-aligned lithography module.

摘要翻译： 提供一种半导体光检测器件制造技术，其中帽蚀刻和抗反射涂覆步骤在单个自对准光刻模块中执行。

公开(公告)号：US20130105930A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13283379

申请日：2011-10-27

申请人： Lan Zhang ,  Ewelina N. Lucow ,  Onur Fidaner ,  Michael W. Wiemer

发明人： Lan Zhang ,  Ewelina N. Lucow ,  Onur Fidaner ,  Michael W. Wiemer

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A semiconductor light detection device fabrication technique is provided in which the cap etch and anti-reflection coating steps are performed in a single, self-aligned lithography module.

摘要翻译： 提供一种半导体光检测器件制造技术，其中帽蚀刻和抗反射涂覆步骤在单个自对准光刻模块中执行。

公开(公告)号：US09337360B1

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US12944361

申请日：2010-11-11

申请人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Ting Liu ,  Pranob Misra ,  Michael J. Sheldon ,  Onur Fidaner

发明人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Ting Liu ,  Pranob Misra ,  Michael J. Sheldon ,  Onur Fidaner

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

摘要： A multi junction solar cell is provided with a non-alloyed ohmic contact metallization stack by inversion of the top semiconductor layer from n-type to p-type and including the utilization of a tunnel junction. Alternatively, the non-alloyed ohmic contact can be achieved by changing the top semiconductor layer from a higher bandgap material to a lower bandgap material.

摘要翻译： 多结太阳能电池通过顶部半导体层从n型到p型反转并且包括利用隧道结而设置有非合金欧姆接触金属化堆叠。 或者，非合金欧姆接触可以通过将顶部半导体层从较高带隙材料改变为较低带隙材料来实现。

公开(公告)号：US20110114163A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12944439

申请日：2010-11-11

申请人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Michael J. Sheldon

发明人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Michael J. Sheldon

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

摘要： An “n-on-p” type multijunction solar cell structure is disclosed using an n-type substrate for the epitaxial growth of III-V semiconductor material, wherein a “p-on-n” tunnel junction diode is disposed between the substrate and one or more heteroepitaxial layers of III-V semiconductor materials.

摘要翻译： 公开了一种“n-on-p”型多结太阳能电池结构，其使用用于III-V半导体材料的外延生长的n型衬底，其中“p-on-n”隧道结二极管设置在衬底和 III-V族半导体材料的一个或多个异质外延层。

公开(公告)号：US20100319764A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12819534

申请日：2010-06-21

申请人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Michael J. Sheldon ,  Ilya Fushman

发明人： Michael W. Wiemer ,  Homan B. Yuen ,  Vijit A. Sabnis ,  Michael J. Sheldon ,  Ilya Fushman

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  Y02E10/544

摘要： Tunnel junctions are improved by providing a rare earth-Group V interlayer such as erbium arsenide (ErAs) to yield a mid-gap state-assisted tunnel diode structure. Such tunnel junctions survive thermal energy conditions (time/temperature) in the range required for dilute nitride material integration into III-V multi-junction solar cells.

摘要翻译： 通过提供稀土-V族中间层（例如砷砷化物（ErAs））来改善隧道结，以产生中间隙状态辅助隧道二极管结构。 这种隧道结可以在将稀氮化物材料集成到III-V多结太阳能电池中所需的范围内的热能条件（时间/温度）下存活。