公开(公告)号：US06631154B2

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09935000

申请日：2001-08-21

申请人： Larry A. Coldren ,  Guilhem Almuneau

发明人： Larry A. Coldren ,  Guilhem Almuneau

IPC分类号： H01S5187

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306

摘要： A distributed Bragg reflector (DBR) for a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) includes alternating layers of different semiconductor materials to improve thermal and electrical characteristics for the VCSEL. Use of particular materials reduces the thermal resistivity of the DBR and allows heat to dissipate quickly during operation of the VCSEL.

摘要翻译： 用于垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的分布式布拉格反射器（DBR）包括不同半导体材料的交替层，以改善VCSEL的热和电特性。 使用特定的材料降低了DBR的热阻，并允许在VCSEL的运行期间快速散热。

公开(公告)号：US06841407B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US09935352

申请日：2001-08-21

申请人： Larry A. Coldren ,  Eric M. Hall ,  Shigeru Nakagawa ,  Guilhem Almuneau

发明人： Larry A. Coldren ,  Eric M. Hall ,  Shigeru Nakagawa ,  Guilhem Almuneau

IPC分类号： H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34306

摘要： A method for aperturing a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), for increasing the external quantum efficiency and decreasing the threshold current, involves an etching mixture that is applied to the active region of the VCSEL. The etching mixture is designed in a manner to selectively etch the active region of the VCSEL at a rate substantially faster than the etch rate of at least one of the multiple DBRS associated with the VCSEL.

摘要翻译： 用于增加垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的方法，用于增加外部量子效率和降低阈值电流，涉及施加到VCSEL的有源区的蚀刻混合物。 蚀刻混合物的设计方法是选择性地以比VCSEL相关联的多个DBRS中的至少一个蚀刻速率快的速率选择性地刻蚀VCSEL的有源区。

公开(公告)号：US06798817B2

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US09935012

申请日：2001-08-21

申请人： Larry A. Coldren ,  Eric M. Hall ,  Guilhem Almuneau

发明人： Larry A. Coldren ,  Eric M. Hall ,  Guilhem Almuneau

IPC分类号： H01S308

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34306

摘要： A distributed Bragg reflector (DBR) for a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) has a semiconductor material system including the elements aluminum, gallium, arsenic, and antimony. Use of antimony in the DBR structure allows current to be pumped through the DBRs into an active region to provide for long wavelength, continuous wave operation of the VCSEL.

摘要翻译： 用于垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的分布式布拉格反射器（DBR）具有包括铝，镓，砷和锑元素的半导体材料系统。 在DBR结构中使用锑允许电流通过DBR泵送到有源区域，以提供VCSEL的长波长连续波动操作。

公开(公告)号：US07932160B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US11883706

申请日：2006-02-02

申请人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Véronique Bardinal-Delagnes

发明人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Véronique Bardinal-Delagnes

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31666

摘要： The invention relates to a method of producing a semiconductor device, comprising the following steps consisting in: forming first, second and third semiconductor layers (1, 2, 3), whereby the first and second layers (1, 3) contain a smaller concentration of oxidizable species than the second layer (2); forming a mask (4) on the third layer (3); and oxidizing the second layer (2) with the diffusion of oxidizing species through the third layer (3).

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成第一，第二和第三半导体层（1,2,3），由此第一和第二层（1,3）含有较小的浓度 的可氧化物质比第二层（2）; 在所述第三层（3）上形成掩模（4）; 以及氧化物质通过第三层（3）的扩散来氧化第二层（2）。

公开(公告)号：US20080164560A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11883706

申请日：2006-02-02

申请人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Veronique Bardinal-Delagnes

发明人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Veronique Bardinal-Delagnes

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31666

摘要： The invention relates to a method of producing a semiconductor device, comprising the following steps consisting in: forming first, second and third semiconductor layers (1, 2, 3), whereby the first and second layers (1, 3) contain a smaller concentration of oxidisable species than the second layer (2); forming a mask (4) on the third layer (3); and oxidising the second layer (2) with the diffusion of oxidising species through the third layer (3).

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成第一，第二和第三半导体层（1,2,3），由此第一和第二层（1,3）含有较小的浓度 的可氧化物质比第二层（2）; 在所述第三层（3）上形成掩模（4）; 以及氧化物质通过第三层（3）的扩散来氧化第二层（2）。

公开(公告)号：US06721348B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10244343

申请日：2002-09-16

申请人： Michael Moser ,  Guilhem Almuneau

发明人： Michael Moser ,  Guilhem Almuneau

IPC分类号： H01S308

CPC分类号： H01S5/18358 ,  H01S5/1039

摘要： A vertical-cavity surface-emitting laser comprises one or more quantum well layers and one or more barrier layers to define an gain region, a first mirror means and a second mirror means, wherein the first and second mirror means define a resonator. Moreover, the vertical-cavity surface-emitting laser further comprises a first indium phosphide layer adjacent to the gain region and a second indium phosphide layer adjacent to the gain region to define a laser cavity.

摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器包括一个或多个量子阱层和一个或多个阻挡层以限定增益区域，第一反射镜装置和第二反射镜装置，其中第一和第二反射镜装置限定谐振器。 此外，垂直腔表面发射激光器还包括与增益区域相邻的第一磷化铟层和邻近增益区域的第二磷化铟层以限定激光腔。

公开(公告)号：US06583033B2

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US09934789

申请日：2001-08-21

申请人： Eric M. Hall ,  Guilhem Almuneau

发明人： Eric M. Hall ,  Guilhem Almuneau

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34306

摘要： A distributed Bragg reflector for a vertical cavity surface emitting laser has a semiconductor material system including the elements aluminum, gallium, arsenic, and antimony. Accurate control of the composition of the semiconductor material system must be maintained to result in a distributed Bragg reflector suitable for use in a VCSEL. A method of fabricating the distributed Bragg reflector includes calibrating the incorporation of at least one of the elements into the material system as different semiconductor materials are grown on a substrate.

摘要翻译： 用于垂直腔表面发射激光器的分布式布拉格反射器具有包括元素铝，镓，砷和锑的半导体材料系统。 必须保持准确控制半导体材料系统的组成，以产生适用于VCSEL的分布布拉格反射镜。 一种制造分布式布拉格反射器的方法包括：在衬底上生长不同的半导体材料，校准将至少一个元件结合到材料系统中。