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34 条记录 (耗时 0.032 秒)

    Program Method, Data Recovery Method, and Flash Memory Using the Same
    1.
    发明申请
    Program Method, Data Recovery Method, and Flash Memory Using the Same 有权
    程序方法，数据恢复方法和使用其的闪存

    公开(公告)号：US20120265923A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：US13086988

    申请日：2011-04-14

    申请人： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

    发明人： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

    IPC分类号： G06F12/02

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/00 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C2211/5648

    摘要： A program method for a multi-level cell (MLC) flash memory is provided. The memory array includes a plurality of pages and a plurality of paired pages, which correspond to the respective pages. The program method includes the following steps. Firstly, a program address command is obtained. Next, whether the program address command corresponding to any one of the paired pages is determined. When the program address command corresponds to a first paired page, which corresponds to a first page among the pages, among the paired pages, data stored in the first page to a non-volatile memory are copied. After that, the first paired page is programmed.

    摘要翻译： 提供了一种用于多级单元（MLC）闪速存储器的程序方法。 存储器阵列包括对应于各个页面的多个页面和多个配对页面。 程序方法包括以下步骤。 首先，获得程序地址命令。 接下来，确定与配对页中的任何一个对应的程序地址命令。 当程序地址命令对应于对应于页面中的第一页的第一配对页面时，在配对页面中，复制存储在第一页面中的非易失性存储器的数据。 之后，第一个配对的页面被编程。

    Program method, data recovery method, and flash memory using the same
    2.
    发明授权
    Program method, data recovery method, and flash memory using the same 有权
    程序方法，数据恢复方法和闪存使用相同

    公开(公告)号：US08738844B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US13086988

    申请日：2011-04-14

    申请人： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

    发明人： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28 ,  G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G06F11/00

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/00 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C2211/5648

    摘要： A program method for a multi-level cell (MLC) flash memory is provided. The memory array includes a plurality of pages and a plurality of paired pages, which correspond to the respective pages. The program method includes the following steps. Firstly, a program address command is obtained. Next, whether the program address command corresponding to any one of the paired pages is determined. When the program address command corresponds to a first paired page, which corresponds to a first page among the pages, among the paired pages, data stored in the first page to a non-volatile memory are copied. After that, the first paired page is programmed.

    摘要翻译： 提供了一种用于多级单元（MLC）闪速存储器的程序方法。 存储器阵列包括对应于各个页面的多个页面和多个配对页面。 程序方法包括以下步骤。 首先，获得程序地址命令。 接下来，确定与配对页中的任何一个对应的程序地址命令。 当程序地址命令对应于对应于页面中的第一页的第一配对页面时，在配对页面中，复制存储在第一页面中的非易失性存储器的数据。 之后，第一个配对的页面被编程。

    Memory device and operation method thereof
    3.
    发明授权
    Memory device and operation method thereof 有权
    存储器件及其操作方法

    公开(公告)号：US08924819B2

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US12358900

    申请日：2009-01-23

    申请人： Wen-Chiao Ho ,  Chin-Hung Chang ,  Shuo-Nan Hung ,  Chun-Hsiung Hung

    发明人： Wen-Chiao Ho ,  Chin-Hung Chang ,  Shuo-Nan Hung ,  Chun-Hsiung Hung

    IPC分类号： G11C29/00 ,  G06F11/10 ,  G11C29/04

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  G11C29/00 ,  G11C2029/0411

    摘要： A method for operating a memory device is provided and includes the following steps. A first error correction code is generated according to user data. Then, the user data is written to the memory device. Moreover, the user data in the memory device is read, and a second error correction code is generated according to the read user data. Further, the first and the second error correction codes are written to the memory device.

    摘要翻译： 提供了一种操作存储器件的方法，包括以下步骤。 根据用户数据生成第一个纠错码。 然后，将用户数据写入存储器件。 此外，读取存储器件中的用户数据，并根据读取的用户数据生成第二纠错码。 此外，将第一和第二纠错码写入存储器件。

    Method and apparatus for reducing read disturb in memory
    4.
    发明授权
    Method and apparatus for reducing read disturb in memory 有权
    用于减少存储器中读取干扰的方法和装置

    公开(公告)号：US08526235B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13406215

    申请日：2012-02-27

    申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Tseng-Yi Liu

    发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Tseng-Yi Liu

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/10

    摘要： Various aspects of a NAND memory include have multiple versions of a high threshold voltage distribution—a version with a reduced maximum, and another version. The version with a reduced maximum has a reduced word line pass voltage.

    摘要翻译： NAND存储器的各个方面包括具有高阈值电压分布的多个版本 - 具有减小的最大值的版本和另一版本。 具有减小的最大值的版本具有减小的字线通过电压。

    Temperature compensation circuit and method for sensing memory
    6.
    发明授权
    Temperature compensation circuit and method for sensing memory 有权
    温度补偿电路和感应存储器的方法

    公开(公告)号：US08208332B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US12870313

    申请日：2010-08-27

    申请人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    发明人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    IPC分类号： G11C7/04

    CPC分类号： G11C7/08 ,  G11C7/04

    摘要： A compensation circuit includes a comparator and an emulation circuit. The comparator has a first terminal, and a second terminal for receiving a reference voltage. The emulation circuit is coupled to the first terminal of the comparator. The emulation circuit responses to the temperature, so that the comparator outputs a read timing control signal at a first time spot, or outputs the read timing control signal at a second time spot, the first time spot is later than the second time spot.

    摘要翻译： 补偿电路包括比较器和仿真电路。 比较器具有第一端子和用于接收参考电压的第二端子。 仿真电路耦合到比较器的第一端。 仿真电路响应于温度，使得比较器在第一时间点输出读定时控制信号，或者在第二时间点输出读定时控制信号，第一时间点晚于第二时间点。

    Method and Apparatus for Reducing Read Disturb in Memory
    7.
    发明申请
    Method and Apparatus for Reducing Read Disturb in Memory 有权
    用于减少存储器中读取干扰的方法和装置

    公开(公告)号：US20120155181A1

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：US13406215

    申请日：2012-02-27

    申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Tseng-Yi Liu

    发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Tseng-Yi Liu

    IPC分类号： G11C16/26

    CPC分类号： G11C16/10

    摘要： Various aspects of a NAND memory include have multiple versions of a high threshold voltage distribution—a version with a reduced maximum, and another version. The version with a reduced maximum has a reduced word line pass voltage.

    摘要翻译： NAND存储器的各个方面包括具有高阈值电压分布的多个版本 - 具有减小的最大值的版本和另一版本。 具有减小的最大值的版本具有减小的字线通过电压。

    Temperature Compensation Circuit and Method for Sensing Memory
    8.
    发明申请
    Temperature Compensation Circuit and Method for Sensing Memory 有权
    温度补偿电路和感应存储器的方法

    公开(公告)号：US20100322018A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：US12870313

    申请日：2010-08-27

    申请人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    发明人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    IPC分类号： G11C7/04

    CPC分类号： G11C7/08 ,  G11C7/04

    摘要： A compensation circuit includes a comparator and an emulation circuit. The comparator has a first terminal, and a second terminal for receiving a reference voltage. The emulation circuit is coupled to the first terminal of the comparator. The emulation circuit responses to the temperature, so that the comparator outputs a read timing control signal at a first time spot, or outputs the read timing control signal at a second time spot, the first time spot is later than the second time spot.

    摘要翻译： 补偿电路包括比较器和仿真电路。 比较器具有第一端子和用于接收参考电压的第二端子。 仿真电路耦合到比较器的第一端。 仿真电路响应于温度，使得比较器在第一时间点输出读定时控制信号，或者在第二时间点输出读定时控制信号，第一时间点晚于第二时间点。

    TEMPERATURE COMPENSATION CIRCUIT AND METHOD FOR SENSING MEMORY
    9.
    发明申请
    TEMPERATURE COMPENSATION CIRCUIT AND METHOD FOR SENSING MEMORY 有权
    温度补偿电路和感应记忆的方法

    公开(公告)号：US20100124136A1

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：US12271022

    申请日：2008-11-14

    申请人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    发明人： Wen-Chiao Ho ,  Ji-Yu Hung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung

    IPC分类号： G11C7/04 ,  H03K3/02

    CPC分类号： G11C7/08 ,  G11C7/04

    摘要： A temperature compensation circuit includes a voltage generator, a comparator and an emulation cell array. The voltage generator provides a predetermined voltage and a reference voltage. The comparator has a first terminal for receiving the predetermined voltage, and a second terminal for receiving the reference voltage. The emulation cell array is coupled to the first terminal of the comparator. When a voltage of the first terminal of the comparator is discharged, via the emulation cell array, to be lower than the reference voltage, the comparator outputs a read timing control signal to control a sense amplifier to perform a sensing operation.

    摘要翻译： 温度补偿电路包括电压发生器，比较器和仿真单元阵列。 电压发生器提供预定电压和参考电压。 比较器具有用于接收预定电压的第一端子和用于接收参考电压的第二端子。 仿真单元阵列耦合到比较器的第一端。 当比较器的第一端子的电压经由仿真单元阵列放电到低于参考电压时，比较器输出读取定时控制信号以控制读出放大器执行感测操作。