公开(公告)号：US20110214812A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13043055

申请日：2011-03-08

申请人： MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE ,  JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  SEONG-DAE CHOI

发明人： MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE ,  JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  SEONG-DAE CHOI

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  B67D7/06 ,  B23P17/00

CPC分类号： B23P17/00 ,  B67D7/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23F1/08 ,  Y10T29/49401

摘要： A substrate processing apparatus includes a process chamber having a chamber lid and a chamber body to provide a reaction space and a gas distributing means including a plate and an injection part in the process chamber. The injection part includes a plurality of through holes in the plate and a discharge portion capable of being in fluid communication with the plurality of through holes. The discharge portion has a matrix shape and provides a space where a plasma is discharged. The apparatus additionally includes a susceptor in the process chamber. The susceptor faces the gas distributing means.

摘要翻译： 基板处理装置包括具有室盖和室主体以提供反应空间的处理室和在处理室中包括板和注入部分的气体分配装置。 注射部分包括板中的多个通孔和能够与多个通孔流体连通的排出部分。 放电部分具有矩阵形状并且提供等离子体放电的空间。 该装置还包括处理室中的基座。 基座面对气体分配装置。

公开(公告)号：US20110315320A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13167287

申请日：2011-06-23

申请人： JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE

发明人： JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

摘要： A gas distribution device for a substrate treating apparatus includes a plurality of plasma source electrodes having a first side surface; a plurality of plasma ground electrodes having a second side surface facing the first side surface, the plurality of plasma ground electrodes being alternately arranged with the plurality of plasma source electrodes; and a first gas providing part disposed at each plasma source electrode and including a first space, a plurality of first through-holes in communication with the first space for providing a first process gas between one of the plurality of plasma source electrodes and a corresponding ones of the plurality of plasma ground electrodes, and a first discharging portion at the first side surface.

摘要翻译： 一种用于基板处理装置的气体分配装置，包括具有第一侧表面的多个等离子体源电极; 多个等离子体接地电极，其具有与所述第一侧面对置的第二侧面，所述多个等离子体接地电极与所述多个等离子体源电极交替配置; 以及设置在每个等离子体源电极处并包括第一空间的第一气体提供部分，与第一空间连通的多个第一通孔，用于在多个等离子体源极之一之间提供第一处理气体， 的多个等离子体接地电极，以及在第一侧表面处的第一排出部。