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    GAS DISTRIBUTING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME
    3.
    发明申请
    GAS DISTRIBUTING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME 有权
    气体分配装置和基板加工装置，包括它们

    公开(公告)号：US20110315320A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：US13167287

    申请日：2011-06-23

    申请人： JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE

    发明人： JAE-CHUL DO ,  BU-IL JEON ,  MYUNG-GON SONG ,  JUNG-RAK LEE

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/50

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

    摘要： A gas distribution device for a substrate treating apparatus includes a plurality of plasma source electrodes having a first side surface; a plurality of plasma ground electrodes having a second side surface facing the first side surface, the plurality of plasma ground electrodes being alternately arranged with the plurality of plasma source electrodes; and a first gas providing part disposed at each plasma source electrode and including a first space, a plurality of first through-holes in communication with the first space for providing a first process gas between one of the plurality of plasma source electrodes and a corresponding ones of the plurality of plasma ground electrodes, and a first discharging portion at the first side surface.

    摘要翻译： 一种用于基板处理装置的气体分配装置，包括具有第一侧表面的多个等离子体源电极; 多个等离子体接地电极，其具有与所述第一侧面对置的第二侧面，所述多个等离子体接地电极与所述多个等离子体源电极交替配置; 以及设置在每个等离子体源电极处并包括第一空间的第一气体提供部分，与第一空间连通的多个第一通孔，用于在多个等离子体源极之一之间提供第一处理气体， 的多个等离子体接地电极，以及在第一侧表面处的第一排出部。

    APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE
    4.
    发明申请
    APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE 审中-公开
    加工基材的装置

    公开(公告)号：US20110120375A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12950928

    申请日：2010-11-19

    申请人： Myung-Gon SONG ,  Jung-Rak Lee ,  Jae-Chul Do ,  Bu-Il Jeon

    发明人： Myung-Gon SONG ,  Jung-Rak Lee ,  Jae-Chul Do ,  Bu-Il Jeon

    IPC分类号： C23C16/453

    CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541

    摘要： An apparatus for processing a substrate includes: a process chamber providing a reaction space by a combination of a lid and a body; a susceptor in the reaction space and having a substrate thereon; a plurality of plasma source electrodes over the reaction space; a plurality of first lower protruding portions under the lid; and a plurality of first gas injecting means corresponding to the plurality of plasma source electrodes and a plurality of second gas injecting means alternately disposed with the plurality of first gas injecting means.

    摘要翻译： 一种用于处理衬底的设备包括：处理室，其通过盖和主体的组合提供反应空间; 反应空间中的基座，其上具有基板; 在反应空间上的多个等离子体源电极; 盖下方的多个第一下突出部; 以及与多个等离子体源电极对应的多个第一气体注入装置和与多个第一气体注入装置交替设置的多个第二气体注入装置。

    Gas distributing device and substrate processing apparatus including the same
    6.
    发明授权
    Gas distributing device and substrate processing apparatus including the same 有权
    气体分配装置和包括该气体分配装置的基板处理装置

    公开(公告)号：US08968514B2

    公开(公告)日：2015-03-03

    申请号：US13167287

    申请日：2011-06-23

    申请人： Jae-Chul Do ,  Bu-Il Jeon ,  Myung-Gon Song ,  Jung-Rak Lee

    发明人： Jae-Chul Do ,  Bu-Il Jeon ,  Myung-Gon Song ,  Jung-Rak Lee

    IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/505 ,  C23C16/50 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

    摘要： A gas distribution device for a substrate treating apparatus includes a plurality of plasma source electrodes having a first side surface; a plurality of plasma ground electrodes having a second side surface facing the first side surface, the plurality of plasma ground electrodes being alternately arranged with the plurality of plasma source electrodes; and a first gas providing part disposed at each plasma source electrode and including a first space, a plurality of first through-holes in communication with the first space for providing a first process gas between one of the plurality of plasma source electrodes and a corresponding ones of the plurality of plasma ground electrodes, and a first discharging portion at the first side surface.

    摘要翻译： 一种用于基板处理装置的气体分配装置，包括具有第一侧表面的多个等离子体源电极; 多个等离子体接地电极，其具有与所述第一侧面对置的第二侧面，所述多个等离子体接地电极与所述多个等离子体源电极交替配置; 以及设置在每个等离子体源电极处并包括第一空间的第一气体提供部分，与第一空间连通的多个第一通孔，用于在多个等离子体源极之一之间提供第一处理气体， 的多个等离子体接地电极，以及在第一侧表面处的第一排出部。

    SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS
    7.
    发明申请
    SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS 审中-公开
    基板处理设备

    公开(公告)号：US20110036499A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：US12702188

    申请日：2010-02-08

    申请人： Jung-Rak LEE ,  Myung-Gon SONG ,  Jae-Chul DO ,  Bu-Il JEON

    发明人： Jung-Rak LEE ,  Myung-Gon SONG ,  Jae-Chul DO ,  Bu-Il JEON

    IPC分类号： C23C16/513 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449

    摘要： A substrate treatment apparatus includes a process chamber providing a reaction region and including a body and a lid, the lid having a plurality of openings, a plurality of insulating plates sealing the plurality of openings, respectively, a plurality of antennas over the plurality of insulating plates, respectively, a gas injection unit over the lid and the plurality of insulating plates, and a substrate holding unit in the reaction region, wherein a substrate is disposed on the substrate holding unit.

    摘要翻译： 基板处理装置包括：处理室，其设置反应区域并且包括主体和盖子，所述盖子具有多个开口;多个绝缘板，分别密封所述多个开口;多个绝缘体，多个绝缘体 分别在盖和多个绝缘板上的气体注入单元和反应区中的基板保持单元，其中基板设置在基板保持单元上。