公开(公告)号：US20140281150A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13926633

申请日：2013-06-25

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7208

Abstract: A method for maintaining a data set includes storing a base copy of the data set in a first non-volatile memory having a first writing speed, storing changes to the data set in a first change data set in a second non-volatile memory having a second writing speed, and generating a current copy of the data set by reading the base copy and the changes. If a threshold number of entries in the first change data set is reached, then part or all of the first change data set is moved into a second change data set in the first non-volatile memory, where the generating step includes reading the second change data set. If a threshold number of entries in the second change data set is reached, then the current copy is generated by reading the base copy and the changes in the first and the second non-volatile memory.

Abstract translation: 一种用于维护数据集的方法包括将数据集的基本副本存储在具有第一写入速度的第一非易失性存储器中，将具有第一非易失性存储器的第一变化数据集中的数据集的改变存储在具有第 第二写入速度，并通过读取基本副本和更改来生成数据集的当前副本。 如果达到第一改变数据集中的阈值数目，则将第一变化数据集的部分或全部移动到第一非易失性存储器中的第二变化数据集中，其中生成步骤包括读取第二变化 数据集。 如果达到第二改变数据集中的阈值数目，则通过读取基本副本和第一和第二非易失性存储器中的改变来生成当前副本。

公开(公告)号：US09471485B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US13926633

申请日：2013-06-25

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7208

Abstract: A method for maintaining a data set includes storing a base copy of the data set in a first non-volatile memory having a first writing speed, storing changes to the data set in a first change data set in a second non-volatile memory having a second writing speed, and generating a current copy of the data set by reading the base copy and the changes. If a threshold number of entries in the first change data set is reached, then part or all of the first change data set is moved into a second change data set in the first non-volatile memory, where the generating step includes reading the second change data set. If a threshold number of entries in the second change data set is reached, then the current copy is generated by reading the base copy and the changes in the first and the second non-volatile memory.

Abstract translation: 一种用于维护数据集的方法包括将数据集的基本副本存储在具有第一写入速度的第一非易失性存储器中，将具有第一非易失性存储器的第一变化数据集中的数据集的改变存储在具有第 第二写入速度，并通过读取基本副本和更改来生成数据集的当前副本。 如果达到第一改变数据集中的阈值数目，则将第一变化数据集的部分或全部移动到第一非易失性存储器中的第二变化数据集中，其中生成步骤包括读取第二变化 数据集。 如果达到第二改变数据集中的阈值数目，则通过读取基本副本和第一和第二非易失性存储器中的改变来生成当前副本。

公开(公告)号：US20140281175A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14265400

申请日：2014-04-30

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F11/00 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C2211/5648

Abstract: A program method for a multi-level cell (MLC) flash memory is provided. The memory array includes a plurality of pages and a plurality of paired pages, which correspond to the respective pages. The program method includes the following steps. Firstly, a program address command is obtained. Next, whether the program address command corresponding to any one of the paired pages is determined. When the program address command corresponds to a first paired page, which corresponds to a first page among the pages, among the paired pages, data stored in the first page to a non-volatile memory are copied. After that, the first paired page is programmed.

Abstract translation: 提供了一种用于多级单元（MLC）闪速存储器的程序方法。 存储器阵列包括对应于各个页面的多个页面和多个配对页面。 程序方法包括以下步骤。 首先，获得程序地址命令。 接下来，确定与配对页中的任何一个对应的程序地址命令。 当程序地址命令对应于对应于页面中的第一页的第一配对页面时，在配对页面中，复制存储在第一页面中的非易失性存储器的数据。 之后，第一个配对的页面被编程。

公开(公告)号：US09152557B2

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：US14265400

申请日：2014-04-30

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Lung-Yi Kuo ,  Hsin-Yi Ho ,  Chun-Hsiung Hung ,  Shuo-Nan Hung ,  Han-Sung Chen

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G06F11/00

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F11/00 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105 ,  G11C2211/5648

Abstract: A program method for a multi-level cell (MLC) flash memory is provided. The memory array includes a plurality of pages and a plurality of paired pages, which correspond to the respective pages. The program method includes the following steps. Firstly, a program address command is obtained. Next, whether the program address command corresponding to any one of the paired pages is determined. When the program address command corresponds to a first paired page, which corresponds to a first page among the pages, among the paired pages, data stored in the first page to a non-volatile memory are copied. After that, the first paired page is programmed.

Abstract translation: 提供了一种用于多级单元（MLC）闪速存储器的程序方法。 存储器阵列包括对应于各个页面的多个页面和多个配对页面。 程序方法包括以下步骤。 首先，获得程序地址命令。 接下来，确定与配对页中的任何一个对应的程序地址命令。 当程序地址命令对应于对应于页面中的第一页的第一配对页面时，在配对页面中，复制存储在第一页面中的非易失性存储器的数据。 之后，第一个配对的页面被编程。