公开(公告)号：US20060228851A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11093801

申请日：2005-03-30

申请人： Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Dejan Jovanovic ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White

发明人： Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Dejan Jovanovic ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： According to the embodiments to the present disclosure, the process of making a dual strained channel semiconductor device includes integrating strained Si and compressed SiGe with trench isolation for achieving a simultaneous NMOS and PMOS performance enhancement. As described herein, the integration of NMOS and PMOS can be implemented in several ways to achieve NMOS and PMOS channels compatible with shallow trench isolation.

摘要翻译： 根据本公开的实施例，制造双应变通道半导体器件的过程包括将应变Si和压缩SiGe与沟槽隔离相集成，以实现同时的NMOS和PMOS性能增强。 如本文所述，NMOS和PMOS的集成可以以几种方式实现，以实现与浅沟槽隔离兼容的NMOS和PMOS沟道。

公开(公告)号：US20050070056A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10670928

申请日：2003-09-25

申请人： Chun-Li Liu ,  Marius Orlowski ,  Matthew Stoker ,  Philip Tobin ,  Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White

发明人： Chun-Li Liu ,  Marius Orlowski ,  Matthew Stoker ,  Philip Tobin ,  Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White

IPC分类号： H01L20060101 ,  H01L21/00 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

摘要： A vacancy injecting process for injecting vacancies in template layer material of an SOI substrate. The template layer material has a crystalline structure that includes, in some embodiments, both germanium and silicon atoms. A strained silicon layer is then epitaxially grown on the template layer material with the beneficial effects that straining has on electron and hole mobility. The vacancy injecting process is performed to inject vacancies and germanium atoms into the crystalline structure wherein germanium atoms recombine with the vacancies. One embodiment, a nitridation process is performed to grow a nitride layer on the template layer material and consume silicon in a way that injects vacancies in the crystalline structure while also allowing germanium atoms to recombine with the vacancies. Other examples of a vacancy injecting processes include silicidation processes, oxynitridation processes, oxidation processes with a chloride bearing gas, or inert gas post bake processes subsequent to an oxidation process.

摘要翻译： 用于在SOI衬底的模板层材料中注入空位的空位注入工艺。 模板层材料具有在一些实施方案中包括锗和硅原子的晶体结构。 然后在模板层材料上外延生长应变硅层，具有应力对电子和空穴迁移率的有益效果。 进行空位注入处理以将空位和锗原子注入晶格结构中，其中锗原子与空位重新组合。 一个实施方案中，进行氮化处理以在模板层材料上生长氮化物层，并以注入晶体结构中的空位并且还允许锗原子与空位复合的方式消耗硅。 空位注入方法的其它实例包括硅化工艺，氧氮化工艺，含氯化物气体的氧化工艺或氧化工艺之后的惰性气体后烘烤工艺。

公开(公告)号：US20060040433A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US10919952

申请日：2004-08-17

申请人： Mariam Sadaka ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Chun-Li Liu ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

发明人： Mariam Sadaka ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Chun-Li Liu ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78687 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66742

摘要： A process for forming a semiconductor device. The process includes forming a template layer for forming a layer of strained silicon. In one example a layer of graded silicon germanium is formed where the germanium is at a higher concentration at the lower portion and at a lower concentration at a top portion. When subject to a condensation process, the germanium of the top portion of the layer diffuses to a remaining portion of the silicon germanium layer. Because the silicon germanium layer has a higher concentration of germanium at lower portions, germanium pile up after condensation may be reduced at the upper portion of the remaining portion of the silicon germanium layer.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成应变硅层的模板层。 在一个示例中，形成梯度硅锗层，其中锗在下部处具有较高的浓度，在顶部处的浓度较低。 当进行冷凝处理时，层的顶部的锗扩散到硅锗层的剩余部分。 由于硅锗层在下部具有较高的锗浓度，所以在硅锗层的剩余部分的上部可以减少在冷凝后堆积的锗。

公开(公告)号：US20050070057A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10919784

申请日：2004-08-17

申请人： Chun-Li Liu ,  Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Qianghua Xie

发明人： Chun-Li Liu ,  Mariam Sadaka ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Qianghua Xie

IPC分类号： H01L20060101 ,  H01L21/00 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

摘要： A process for forming strained semiconductor layers. The process include flowing a chlorine bearing gas (e.g. hydrogen chloride, chlorine, carbon tetrachloride, and trichloroethane) over the wafer while heating the wafer. In one example, the chorine bearing gas is flowed during a condensation process on a semiconductor layer that is used as a template layer for forming a strain semiconductor layer (e.g. strain silicon). In other examples, the chlorine bearing gas is flowed during a post bake of the wafer after the condensation operation.

摘要翻译： 一种形成应变半导体层的工艺。 该方法包括在加热晶片的同时使含氯气体（例如氯化氢，氯气，四氯化碳和三氯乙烷）流过晶片。 在一个实例中，在用作形成应变半导体层（例如应变硅）的模板层的半导体层上的冷凝过程中，含有轴承气体流动。 在其他实例中，在冷凝操作之后，在晶片的后烘烤期间，含氯气体流动。

公开(公告)号：US20060228872A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11093645

申请日：2005-03-30

申请人： Bich-Yen Nguyen ,  Shawn Thomas ,  Lubomir Cergel ,  Mariam Sadaka ,  Voon-Yew Thean ,  Peter Wennekers ,  Ted White ,  Andreas Wild ,  Detlev Gruetzmacher ,  Oliver Schmidt

发明人： Bich-Yen Nguyen ,  Shawn Thomas ,  Lubomir Cergel ,  Mariam Sadaka ,  Voon-Yew Thean ,  Peter Wennekers ,  Ted White ,  Andreas Wild ,  Detlev Gruetzmacher ,  Oliver Schmidt

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78687

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a local strain-inducing structure of a first semiconductor material at a point location within a dielectric layer. The local strain-inducing structure has a prescribed geometry with a surface disposed above a surface of the dielectric layer. A second semiconductor material is formed over the dielectric layer and the local strain inducing structure, wherein formation of a first portion of the second material over the dielectric layer provides a poly crystalline structure of the second material and wherein formation of a second portion of the second material over the local strain-inducing structure provides a single crystalline structure of the second material subject to mechanical strain by the surface of the local strain-inducing structure. The single crystalline structure serves as a strained semiconductor layer of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在电介质层内的点位置形成第一半导体材料的局部应变诱导结构。 局部应变诱导结构具有规定的几何形状，其表面设置在电介质层的表面之上。 第二半导体材料形成在电介质层和局部应变诱导结构之上，其中第二材料的第一部分在电介质层上的形成提供了第二材料的多晶结构，并且其中形成第二材料的第二部分 局部应变诱导结构上的材料提供由局部应变诱导结构的表面经受机械应变的第二材料的单晶结构。 单晶结构用作半导体器件的应变半导体层。

公开(公告)号：US20060226492A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11094008

申请日：2005-03-30

申请人： Bich-Yen Nguyen ,  Shawn Thomas ,  Lubomir Cergel ,  Mariam Sadaka ,  Voon-Yew Thean ,  Peter Wennekers ,  Ted White ,  Andreas Wild ,  Detlev Gruetzmacher ,  Oliver Schmidt

发明人： Bich-Yen Nguyen ,  Shawn Thomas ,  Lubomir Cergel ,  Mariam Sadaka ,  Voon-Yew Thean ,  Peter Wennekers ,  Ted White ,  Andreas Wild ,  Detlev Gruetzmacher ,  Oliver Schmidt

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor device includes a mechanically strained channel, wherein the channel comprises of a single crystalline structure of a strained semiconductor layer having a non-linear geometry, the non-linear geometry including a portion of an arch shape. The semiconductor device further includes a dielectric layer, wherein a first portion of the channel is disposed overlying a point location within the dielectric layer and a second portion of the channel is disposed overlying a portion of the dielectric layer proximate to and outside of the point location. In addition, a gate is disposed proximate to the channel for controlling current flow through the channel between first and second current handling electrodes that are coupled to the channel.

摘要翻译： 半导体器件包括机械应变通道，其中通道包括具有非线性几何形状的应变半导体层的单晶结构，非线性几何形状包括拱形部分。 所述半导体器件还包括介电层，其中所述沟道的第一部分设置在所述电介质层内的点位置上方，并且所述沟道的第二部分设置在所述电介质层的靠近所述点位置和外部的位置 。 此外，栅极靠近通道设置，用于控制电流通过耦合到通道的第一和第二电流处理电极之间的通道。

公开(公告)号：US20110047170A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12916410

申请日：2010-10-29

申请人： Shawn Thomas ,  Gregory Gray ,  Michael Woodfin ,  Warner Mizell ,  Brian Thomas

发明人： Shawn Thomas ,  Gregory Gray ,  Michael Woodfin ,  Warner Mizell ,  Brian Thomas

IPC分类号： G06F15/16 ,  G06F17/30 ,  G06F9/44

CPC分类号： G06F17/30864 ,  G06F9/4451 ,  G06F17/211 ,  G06F17/24 ,  G06F17/30 ,  G06Q10/06 ,  G06Q30/02 ,  G06Q40/02 ,  G06Q99/00 ,  Y10S707/99948

摘要： The method and system of the present invention provides an improved technique for replacing, implementing and managing computer-related assets. A technician accesses the World Wide Web through a user's computer. The information resident on the computer, including information regarding the computer and the user's preferences, are downloaded to a remote storage medium through the World Wide Web. Once downloaded, all information may be removed from the user's computer. Subsequently, the technician accesses another computer such as, for example, a new computer that has been assigned to the same user. The technician accesses the World Wide Web through the new computer and downloads the information previously stored on the remote storage medium. This information can then be used to install the user's prior applications, settings and preferences on the new computer.

摘要翻译： 本发明的方法和系统提供了一种用于替换，实施和管理计算机相关资产的改进技术。 技术人员通过用户的计算机访问万维网。 计算机上驻留的信息（包括有关计算机的信息和用户的偏好）通过万维网下载到远程存储介质。 一旦下载，所有信息可能会从用户的计算机中删除。 随后，技术人员访问另一台计算机，例如已分配给同一用户的新计算机。 技术人员通过新计算机访问万维网，并下载先前存储在远程存储介质上的信息。 然后，可以将此信息用于在新计算机上安装用户的先前应用程序，设置和首选项。

公开(公告)号：US20090327352A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12147668

申请日：2008-06-27

申请人： Shawn Thomas ,  Gautam Pulla ,  Yamin Wang ,  Naveen Chand ,  Jeffrey Kay

发明人： Shawn Thomas ,  Gautam Pulla ,  Yamin Wang ,  Naveen Chand ,  Jeffrey Kay

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06Q10/107 ,  H04L51/22 ,  H04L51/30

摘要： Techniques for reconciliation and remediation of messages sent by a server for storage in an archive are described. Some techniques may comprise receiving a message to be reconciled corresponding to a message sent by a server to be stored in an archive. The received message may be categorized for reconciliation, and a delivery confirmation query may be issued to the archive according to categorization of the message for reconciliation. Based on the response to the delivery confirmation query, it can be determined with certainty whether the message sent to the archive for storage is indeed stored at the archive. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述用于协调和修复由服务器发送以存储在归档中的消息的技术。 一些技术可以包括接收对应于由服务器发送以存储在归档中的消息来协调的消息。 接收的消息可以被分类用于对账，并且可以根据用于对帐的消息的分类向存档发出递送确认查询。 基于对送达确认查询的响应，可以确定地确定发送到存档的消息是否确实存储在归档中。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US09191235B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US12701314

申请日：2010-02-05

申请人： Steve Clagg ,  Philip Y. Chan ,  Durlabh Malik ,  Shawn Thomas ,  Yamin Wang ,  Elroy John Dyksen ,  Sara Manning ,  Jiaming Wang ,  Daniel Godbout

发明人： Steve Clagg ,  Philip Y. Chan ,  Durlabh Malik ,  Shawn Thomas ,  Yamin Wang ,  Elroy John Dyksen ,  Sara Manning ,  Jiaming Wang ,  Daniel Godbout

IPC分类号： H04L12/28 ,  H04L12/58 ,  G06Q10/10 ,  G06F17/30

CPC分类号： H04L12/585 ,  G06F17/30507 ,  G06Q10/107 ,  H04L12/2874 ,  H04L51/12 ,  H04L51/22

摘要： A method for moderating an electronic message includes intercepting the electronic message at a server computing device, and evaluating content of the electronic message at the server computing device to determine if the electronic message is required to enter a moderation workflow prior to delivering the electronic message to at least one recipient. The method also includes sending an approval request message from the server computing device to at least one moderator device, receiving a first moderation decision message at the server computing device from the at least one moderator, sending an update message from the server computing device to the at least one moderator to update the approval request message to include one or more properties of the first moderation decision, and removing the approval request message from the moderation workflow.

摘要翻译： 一种用于调节电子消息的方法包括在服务器计算设备处拦截电子消息，以及评估服务器计算设备处的电子消息的内容，以确定在将电子消息传递到电子消息之前是否需要电子消息进入审核工作流程 至少一个收件人。 该方法还包括将批准请求消息从服务器计算设备发送到至少一个主持人设备，从服务器计算设备从至少一个主持人接收第一审核确定消息，从服务器计算设备发送更新消息到 至少一个主持人来更新批准请求消息以包括第一审核决定的一个或多个属性，以及从审核工作流中移除批准请求消息。

公开(公告)号：US08732265B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12147668

申请日：2008-06-27

申请人： Shawn Thomas ,  Gautam Pulla ,  Yamin Wang ,  Naveen Chand ,  Jeffrey Kay

发明人： Shawn Thomas ,  Gautam Pulla ,  Yamin Wang ,  Naveen Chand ,  Jeffrey Kay

IPC分类号： G06F15/16

CPC分类号： G06Q10/107 ,  H04L51/22 ,  H04L51/30

摘要： Techniques for reconciliation and remediation of messages sent by a server for storage in an archive are described. Some techniques may comprise receiving a message to be reconciled corresponding to a message sent by a server to be stored in an archive. The received message may be categorized for reconciliation, and a delivery confirmation query may be issued to the archive according to categorization of the message for reconciliation. Based on the response to the delivery confirmation query, it can be determined with certainty whether the message sent to the archive for storage is indeed stored at the archive. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述用于协调和修复由服务器发送以存储在归档中的消息的技术。 一些技术可以包括接收对应于由服务器发送以存储在归档中的消息来协调的消息。 接收的消息可以被分类用于对账，并且可以根据用于对帐的消息的分类向存档发出递送确认查询。 基于对送达确认查询的响应，可以确定地确定发送到存档的消息是否确实存储在归档中。 描述和要求保护其他实施例。