公开(公告)号：US20080185612A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12026917

申请日：2008-02-06

申请人： Masahiro FUKUDA ,  Yosuke SHIMAMUNE

发明人： Masahiro FUKUDA ,  Yosuke SHIMAMUNE

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor device has a Si substrate, a gate insulating film over the Si substrate, a gate electrode over the gate insulating film, a source region and a drain region in the Si substrate, wherein each of the source region and the drain region includes a first Si layer including Ge, an interlayer over the first Si layer, and a second Si layer including Ge over the interlayer, wherein the interlayer is composed of Si or Si including Ge, and a Ge concentration of the interlayer is less than a Ge concentration of the first Si layer and a Ge concentration of the second Si layer.

摘要翻译： 半导体器件具有Si衬底，Si衬底上的栅极绝缘膜，栅极绝缘膜上的栅极电极，Si衬底中的源极区域和漏极区域，其中源区域和漏极区域中的每一个包括 包括Ge的第一Si层，在第一Si层上的中间层，以及在中间层上包括Ge的第二Si层，其中中间层由包含Ge的Si或Si构成，并且中间层的Ge浓度小于Ge浓度 的第一Si层和第二Si层的Ge浓度。

公开(公告)号：US20100015774A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12564313

申请日：2009-09-22

申请人： Yosuke SHIMAMUNE ,  Masahiro Fukuda ,  Young Suk Kim ,  Akira Katakami ,  Akiyoshi Hatada ,  Naoyoshi Tamura ,  Hiroyuki Ohta

发明人： Yosuke SHIMAMUNE ,  Masahiro Fukuda ,  Young Suk Kim ,  Akira Katakami ,  Akiyoshi Hatada ,  Naoyoshi Tamura ,  Hiroyuki Ohta

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： A first p-type SiGe mixed crystal layer is formed by an epitaxial growth method in a trench, and a second p-type SiGe mixed crystal layer is formed. On the second SiGe mixed crystal layer, a third p-type SiGe mixed crystal layer is formed. The height of an uppermost surface of the first SiGe mixed crystal layer from the bottom of the trench is lower than the depth of the trench with the surface of the silicon substrate being the standard. The height of an uppermost surface of the second SiGe mixed crystal layer from the bottom of the trench is higher than the depth of the trench with the surface of the silicon substrate being the standard. Ge concentrations in the first and third SiGe mixed crystal layers are lower than a Ge concentration in the second SiGe mixed crystal layer.

摘要翻译： 在沟槽中通过外延生长法形成第一p型SiGe混晶层，形成第二p型SiGe混晶层。 在第二SiGe混晶层上形成第三p型SiGe混晶层。 从沟槽底部开始的第一SiGe混合晶体层的最上表面的高度低于沟槽的深度，硅衬底的表面是标准的。 从沟槽底部开始的第二SiGe混合晶体层的最上表面的高度高于沟槽的深度，硅衬底的表面是标准的。 第一和第三SiGe混晶层中的Ge浓度低于第二SiGe混晶层中的Ge浓度。