公开(公告)号：US20140284743A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US14015966

申请日：2013-08-30

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Sumio IKEGAWA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Sumio IKEGAWA

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic storage device includes an insulating region, a lower electrode including a first portion formed in a hole provided in the insulating region and a second portion protruded from the insulating region, a spacer insulating film formed on a side surface of at least the second portion of the lower electrode, a magnetic tunneling junction portion formed on a top surface of the lower electrode, and an upper electrode formed on the magnetic tunneling junction portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储装置包括绝缘区域，下电极，包括形成在设置在绝缘区域中的孔中的第一部分和从绝缘区域突出的第二部分;隔离绝缘膜，形成在绝缘区域的侧表面上; 至少下电极的第二部分，形成在下电极的顶表面上的磁隧道连接部分和形成在磁隧道连接部分上的上电极。

公开(公告)号：US20150069547A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14200336

申请日：2014-03-07

申请人： Masayoshi IWAYAMA ,  Hisanori AIKAWA

发明人： Masayoshi IWAYAMA ,  Hisanori AIKAWA

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a magnetoresistive effect element provided in a memory cell, the magnetoresistive effect element including a multilayer structure including a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a nonmagnetic layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer, a first electrode provided on an upper portion of the multilayer structure and including a first material, and a first film provided on a side surface of the first electrode and including a second material which is different from the first material of the first electrode.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括设置在存储单元中的磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括多层结构，该多层结构包括第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和非磁性层 磁性层，设置在所述多层结构的上部并包括第一材料的第一电极和设置在所述第一电极的侧表面上并包括与所述第一电极的第一材料不同的第二材料的第一膜 。

公开(公告)号：US20160268502A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US14808347

申请日：2015-07-24

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/66 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C2029/5002 ,  H01L22/14 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a magnetic memory is disclosed. The method includes forming a magnetoresistive element on a substrate. The method further includes measuring an electrical characteristic of the magnetoresistive element, and applying a voltage to the magnetoresistive element which the electrical characteristic is measured.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造磁存储器的方法。 该方法包括在衬底上形成磁阻元件。 该方法还包括测量磁阻元件的电特性，以及向测量电特性的磁阻元件施加电压。

公开(公告)号：US20160055891A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：US14593678

申请日：2015-01-09

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1675

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a memory cell array including magnetoresistive elements, a heater and a temperature sensor provided in the memory cell array, a heater driver which drives the heater, a temperature detector which detects a first temperature sensed by the temperature sensor, and a control circuit which controls the heater driver based on the first temperature.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括存储单元阵列，其包括磁阻元件，设置在存储单元阵列中的加热器和温度传感器，驱动加热器的加热器驱动器，检测由温度感测的第一温度的温度检测器 传感器，以及基于第一温度控制加热器驱动器的控制电路。

公开(公告)号：US20160071776A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14636984

申请日：2015-03-03

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Masayoshi IWAYAMA ,  Akiyuki MURAYAMA

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L27/224 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a manufacturing method of a magnetic memory device, includes obtaining first and second magnetic fields for each of magnetoresistive effect elements, defining a group of the elements, for the first and second magnetic fields of the elements in the group, a highest first magnetic field being lower than a lowest second magnetic field, and a difference between the highest first magnetic field and the lowest second magnetic field being greater than a predetermined difference, determining a maximum applied magnetic field higher than the highest first magnetic field and lower than the lowest second magnetic field, and obtaining magnetic characteristics for each of the elements in the group by applying a magnetic field decreasing from the maximum applied magnetic field after the magnetic field is increased up to the maximum applied magnetic field.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种磁存储器件的制造方法包括为每个磁阻效应元件获得用于组中元件的第一和第二磁场的一组元件的第一和第二磁场， 最高的第一磁场低于最低的第二磁场，并且最高的第一磁场和最低的第二磁场之间的差大于预定的差，确定高于最高的第一磁场的最大施加的磁场和较低的第一磁场 并且通过在磁场增加到最大施加的磁场之后施加从最大施加的磁场减小的磁场来获得组中的每个元件的磁特性。

公开(公告)号：US20130069186A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13618780

申请日：2012-09-14

申请人： Masaru TOKO ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Akihiro NITAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA

发明人： Masaru TOKO ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Akihiro NITAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer having a magnetization direction invariable and perpendicular to a film surface, a tunnel barrier layer formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer formed on the tunnel barrier layer and having a magnetization direction variable and perpendicular to the film surface. The first magnetic layer includes an interface layer formed on an upper side in contact with a lower portion of the tunnel barrier layer, and a main body layer formed on a lower side and serving as an origin of perpendicular magnetic anisotropy. The interface layer includes a first area provided on an inner side and having magnetization, and a second area provided on an outer side to surround the first area and having magnetization smaller than the magnetization of the first area or no magnetization.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括具有不变且垂直于膜表面的磁化方向的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道势垒层，以及形成在隧道势垒层上的第二磁性层，并且具有 磁化方向可变并垂直于膜表面。 第一磁性层包括形成在与隧道势垒层的下部相接触的上侧的界面层，以及形成在下侧并用作垂直磁各向异性的原点的主体层。 界面层包括设置在内侧并具有磁化的第一区域和设置在外侧以围绕第一区域并且具有小于第一区域的磁化或不具有磁化的磁化的第二区域。

公开(公告)号：US20160072045A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14593611

申请日：2015-01-09

申请人： Hiroyuki KANAYA ,  Hisanori AIKAWA ,  Keisuke NAKATSUKA

发明人： Hiroyuki KANAYA ,  Hisanori AIKAWA ,  Keisuke NAKATSUKA

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory is disclosed. The magnetic memory comprises an interconnect layer, a first conductive layer on the interconnect layer, the first conductive layer including a metal, an oxide layer on the first conductive layer, a second conductive layer on the oxide layer, a magnetoresistive element on the second conductive layer, the magnetoresistive element including a first magnetic layer, a second magnetic layer and a nonmagnetic layer between the first and second magnetic layers, and a deposited material on a sidewall of the oxide layer, the deposited material including the metal.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁存储器。 磁存储器包括互连层，互连层上的第一导电层，第一导电层包括金属，第一导电层上的氧化物层，氧化物层上的第二导电层，第二导电层上的磁阻元件 层，磁阻元件包括在第一和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和非磁性层，以及在氧化物层的侧壁上的沉积材料，沉积材料包括金属。

公开(公告)号：US20130069184A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13618410

申请日：2012-09-14

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer, in which a magnetization direction is variable and is perpendicular to a film surface, a tunnel barrier layer that is formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer that is formed on the tunnel barrier layer, a magnetization direction of the second magnetic layer being variable and being perpendicular to the film surface. The second magnetic layer comprises a body layer that constitutes an origin of perpendicular magnetic anisotropy, and an interface layer that is formed between the body layer and the tunnel barrier layer. The interface layer has a permeability higher than that of the body layer and a planar size larger than that of the body layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括其中磁化方向可变并且垂直于膜表面的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道势垒层和形成的第二磁性层 在隧道势垒层上，第二磁性层的磁化方向是可变的并垂直于膜表面。 第二磁性层包括构成垂直磁各向异性的原点的主体层以及形成在主体层与隧道势垒层之间的界面层。 界面层的透过率比体层高，平面尺寸比体层大。

公开(公告)号：US20120230091A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13426139

申请日：2012-03-21

申请人： Satoshi YANAGI ,  Eiji KITAGAWA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Jyunichi OZEKI ,  Hisanori AIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Minoru AMANO ,  Shigeki TAKAHASHI ,  Hiroaki YODA

发明人： Satoshi YANAGI ,  Eiji KITAGAWA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Jyunichi OZEKI ,  Hisanori AIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Minoru AMANO ,  Shigeki TAKAHASHI ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes at least one memory cell including a magnetoresistive element, and first and second electrodes. The element includes a first magnetic layer, a tunnel barrier layer, a second magnetic layer, and a third magnetic layer provided on the second magnetic layer and having a magnetization antiparallel to the magnetization direction of the second magnetic layer. A diameter of an upper surface of the first magnetic layer is smaller than that of a lower surface of the tunnel barrier layer. A diameter of a lower surface of the second magnetic layer is not more than that of an upper surface of the tunnel barrier layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括至少一个包括磁阻元件的存储单元以及第一和第二电极。 元件包括第一磁性层，隧道势垒层，第二磁性层和设置在第二磁性层上并且具有与第二磁性层的磁化方向反平行的磁化的第三磁性层。 第一磁性层的上表面的直径小于隧道势垒层的下表面的直径。 第二磁性层的下表面的直径不大于隧道势垒层的上表面的直径。

公开(公告)号：US20080180859A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12014522

申请日：2008-01-15

申请人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

发明人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive element includes: a magnetization free layer having a first plane and a second plane located on the opposite side from the first plane, and having a variable magnetization direction; a magnetization pinned layer provided on the first plane side of the magnetization free layer, and having a pinned magnetization direction; a first tunnel barrier layer provided between the magnetization free layer and the magnetization pinned layer; a second tunnel barrier layer provided on the second plane of the magnetization free layer; and a non-magnetic layer provided on a plane on the opposite side of the second tunnel barrier layer from the magnetization free layer. The magnetization direction of the magnetization free layer is variable by applying current between the magnetization pinned layer and the non-magnetic layer, and a resistance ratio between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer is in a range of 1:0.25 to 1:4.

摘要翻译： 磁阻元件包括：无磁化层，其具有第一平面和位于与第一平面相反的一侧的第二平面，并且具有可变的磁化方向; 磁化固定层，设置在所述磁化自由层的所述第一平面侧上，并且具有钉扎磁化方向; 设置在所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的第一隧道势垒层; 设置在无磁化层的第二平面上的第二隧道势垒层; 以及设置在与磁化自由层相反的第二隧道势垒层的相对侧上的平面上的非磁性层。 磁化自由层的磁化方向通过在磁化被钉扎层和非磁性层之间施加电流而变化，并且第一隧道势垒层和第二隧道势垒层之间的电阻比在1:0.25至 1：4。