公开(公告)号：US07127421B1

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US09696544

申请日：2000-10-25

申请人： Michael L. Beacham ,  Scott M. Lobel ,  Wendy Yan ,  Roy T. Ortman

发明人： Michael L. Beacham ,  Scott M. Lobel ,  Wendy Yan ,  Roy T. Ortman

IPC分类号： G06Q40/00

CPC分类号： G06Q10/00 ,  G06Q40/00

摘要： A method and system for assessing the ability of a securities processing system to apply straight through processing to securities transactions includes identifying one or more assessment issues in an issue and resolution log and capturing process and technology performance information for the securities processing system. The method also includes analyzing the process and technology performance information with respect to the one or more assessment issues and capturing information regarding the ability of at least one system external to the securities processing system to apply straight through processing to securities transactions. The method also includes formulating at least one recommendation, prioritizing the at least one recommendation, and developing an implementation plan.

摘要翻译： 一种用于评估证券交易系统对证券交易进行直接处理的能力的方法和系统，包括在证券交易系统的问题和解决方案日志中识别一个或多个评估问题和捕获过程和技术绩效信息。 该方法还包括分析关于一个或多个评估问题的过程和技术性能信息，并且捕获关于证券处理系统外部的至少一个系统的能力的信息，以将直接处理应用于证券交易。 该方法还包括至少制定一个建议，优先考虑至少一个建议，并制定实施计划。

公开(公告)号：US06903023B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10244362

申请日：2002-09-16

申请人： Richard S. Wise ,  Sadanand V. Deshpande ,  Wendy Yan ,  Soctt D. Allen ,  Arpan P. Mahorowala

发明人： Richard S. Wise ,  Sadanand V. Deshpande ,  Wendy Yan ,  Soctt D. Allen ,  Arpan P. Mahorowala

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/09 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： A method for removing carbon from or stripping a TERA layer. The method includes exposing the TERA layer to a plasma containing an effective amount of nitrogen, and, optionally, oxygen or fluorine. The method is compatible with fluorine based etching systems, and may thus be performed in the same etching system as other etching steps. For example, the method may be performed in the same system as a fluorine based plasma etch for oxide or nitride. The invention includes the method of stripping a TERA layer, etching an oxide layer, and etching a nitride layer in situ in the same etching system. The method is performed at low ion energies to avoid damaging oxide or nitride layers under the TERA film and to provide good selectivity.

摘要翻译： 从TERA层去除或剥离碳的方法。 该方法包括将TERA层暴露于含有有效量的氮，以及任选的氧或氟的等离子体。 该方法与氟基蚀刻系统兼容，因此可以在与其它蚀刻步骤相同的蚀刻系统中进行。 例如，该方法可以在与用于氧化物或氮化物的基于氟的等离子体蚀刻相同的系统中进行。 本发明包括在相同的蚀刻系统中剥离TERA层，蚀刻氧化物层和原位蚀刻氮化物层的方法。 该方法以低离子能量进行，以避免损坏TERA膜下的氧化物或氮化物层并提供良好的选择性。

公开(公告)号：US06686296B1

公开(公告)日：2004-02-03

申请号：US09723529

申请日：2000-11-28

申请人： Gregory Costrini ,  Peter D. Hoh ,  Richard S. Wise ,  Wendy Yan

发明人： Gregory Costrini ,  Peter D. Hoh ,  Richard S. Wise ,  Wendy Yan

IPC分类号： H01L213065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0276

摘要： A method of etching an organic antireflective film layer underlying a patterned resist layer on a semiconductor substrate by contacting the exposed organic film with a fluorocarbon and nitrogen etchant in the presence of a plasma-generated energy and removing exposed areas of the organic film with the etchant. An oxide layer underlying the organic film layer is substantially undamaged after contact with the etchant. The plasma is a high density plasma and preferably contains argon, C4F8, and nitrogen.

摘要翻译： 一种通过在等离子体产生的能量存在下使暴露的有机膜与碳氟化合物和氮气蚀刻剂接触来蚀刻半导体衬底下的图案化抗蚀剂层下面的有机抗反射膜层的方法，并用蚀刻剂去除有机膜的暴露区域 。 在与蚀刻剂接触之后，有机薄膜层下面的氧化物层基本上没有损坏。 等离子体是高密度等离子体，优选含有氩，C 4 F 8和氮。

公开(公告)号：US06228279B1

公开(公告)日：2001-05-08

申请号：US09156065

申请日：1998-09-17

申请人： Michael Armacost ,  Peter Hoh ,  Richard S. Wise ,  Wendy Yan

发明人： Michael Armacost ,  Peter Hoh ,  Richard S. Wise ,  Wendy Yan

IPC分类号： H01L213065

CPC分类号： H01L21/31138

摘要： By providing a photoresist material with a protective polymer layer during the etching of an organic anti-reflective coating, undue damage to the photoresist material can be avoided during opening of the anti-reflective coating without the need for an oxidant. The preferred polymer chemistry system for producing such a result includes a fluorohydrocarbon-containing polymer mixture with a strong source of CF3, preferably C2F6. The etchant also includes a source of hydrogen selected from CH3F, C2HF5, or CH2F2, and a diluent selected from Ar, He or N2.

摘要翻译： 在蚀刻有机抗反射涂层期间通过提供具有保护性聚合物层的光致抗蚀剂材料，可以在打开抗反射涂层期间避免对光致抗蚀剂材料的过度损坏而不需要氧化剂。 用于产生这种结果的优选聚合物化学体系包括具有强的CF 3源，优选C 2 F 6的含氟代烃的聚合物混合物。 蚀刻剂还包括选自CH 3 F，C 2 H 5或CH 2 F 2的氢源和选自Ar，He或N 2的稀释剂。