公开(公告)号：US07377976B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11210240

申请日：2005-08-22

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： C30B25/18

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US20060068992A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11210240

申请日：2005-08-22

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： H01L39/24

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US06632279B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09687355

申请日：2000-10-13

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： C30B2514

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US06932867B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10618429

申请日：2003-07-10

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/316 ,  C30B23/06

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。