公开(公告)号：US20120042750A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13285035

申请日：2011-10-31

申请人： Mineko OHSUGI ,  Toshiharu HARADA ,  Takahiro MATSUO ,  Yosuke YAMAMOTO ,  Kazuyuki HAYASHI

发明人： Mineko OHSUGI ,  Toshiharu HARADA ,  Takahiro MATSUO ,  Yosuke YAMAMOTO ,  Kazuyuki HAYASHI

IPC分类号： B22F9/20

CPC分类号： G11B5/712 ,  B22F9/22 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C33/0235 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/70642 ,  H01F1/11 ,  H01F1/112 ,  H01F1/113 ,  C01B13/00 ,  B22F1/0088 ,  B22F1/0085 ,  B22F2201/013

摘要： The present invention relates to a process for producing magnetic metal particles for magnetic recording, comprising:heat-treating goethite particles having an aluminum content of 4 to 50 atom % in terms of Al based on whole Fe to obtain hematite particles; andheat-reducing the hematite particles at a temperature of 200 to 600° C.,the goethite particles being obtained by adding a peroxodisulfate to a reaction solution comprising:a ferrous salt aqueous solution anda mixed alkali aqueous solution comprising:an alkali hydrogen carbonate aqueous solution or alkali carbonate aqueous solution andan alkali hydroxide aqueous solution before initiation of an oxidation reaction of the reaction solution, and then conducting the oxidation reaction.

摘要翻译： 本发明涉及一种磁记录用磁性金属粒子的制造方法，其特征在于，以全Fe为基准，以Al为基准热处理铝含量为4〜50原子％的针铁矿粒子，得到赤铁矿粒子; 并在200〜600℃的温度下还原赤铁矿颗粒，通过向反应溶液中加入过二硫酸盐而得到的针铁矿颗粒，所述反应溶液包含：亚铁盐水溶液和混合碱水溶液，所述混合碱水溶液包含：碱金属氢氧化物 水溶液或碱金属碳酸盐水溶液和碱性氢氧化物水溶液，然后进行氧化反应。

公开(公告)号：US20100148367A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12711628

申请日：2010-02-24

申请人： Takahiro MATSUO ,  Akio Furusawa ,  Shigeaki Sakatani

发明人： Takahiro MATSUO ,  Akio Furusawa ,  Shigeaki Sakatani

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/603

CPC分类号： C22C1/002 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device includes a die pad having a surface on which a first solder bonding layer is formed, and made of metal; and a semiconductor element fixed on the first solder bonding layer on the die pad by a solder material made mostly of bismuth. The first solder bonding layer is made of a softer material than the solder material, a recess is formed in a part of the first solder bonding layer by pressing the solder material against the first solder bonding layer, and the solder material partially fills the recess.

摘要翻译： 半导体器件包括具有表面的芯片焊盘，其上形成有第一焊料接合层，并由金属制成; 以及半导体元件，其通过主要由铋制成的焊料固定在芯片焊盘上的第一焊料接合层上。 第一焊料接合层由比焊料材料更软的材料制成，通过将焊料材料压靠在第一焊料接合层上而在第一焊料接合层的一部分中形成凹部，并且焊料材料部分地填充凹部。