公开(公告)号：US20120032131A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13278245

申请日：2011-10-21

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

公开(公告)号：US20100102308A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12390711

申请日：2009-02-23

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US08343801B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13278240

申请日：2011-10-21

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US20120040496A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13278240

申请日：2011-10-21

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US08058646B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12390711

申请日：2009-02-23

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US08288753B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13278245

申请日：2011-10-21

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L47/02

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US08289751B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13117849

申请日：2011-05-27

申请人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

发明人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell with a programmable unipolar switching element, and a method of programming the memory element are disclosed. In some embodiments, the memory cell comprises a programmable bipolar resistive sense memory element connected in series with a programmable unipolar resistive sense switching element. The memory element is programmed to a selected resistance state by application of a selected write current in a selected direction through the cell, wherein a first resistance level is programmed by passage of a write current in a first direction and wherein a second resistance level is programmed by passage of a write current in an opposing second direction. The switching element is programmed to a selected resistance level to facilitate access to the selected resistance state of the memory element.

摘要翻译： 公开了一种具有可编程单极开关元件的非易失性存储单元，以及编程存储器元件的方法。 在一些实施例中，存储单元包括与可编程单极性电阻感测开关元件串联连接的可编程双极性电阻读出存储元件。 通过在所选择的方向上通过单元施加选择的写入电流将存储元件编程为所选择的电阻状态，其中通过沿第一方向的写入电流来编程第一电阻电平，并且其中第二电阻电平被编程 通过在相反的第二方向上的写入电流。 开关元件被编程为所选择的电阻水平以便于访问存储元件的所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20110228599A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13117849

申请日：2011-05-27

申请人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

发明人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell with a programmable unipolar switching element, and a method of programming the memory element are disclosed. In some embodiments, the memory cell comprises a programmable bipolar resistive sense memory element connected in series with a programmable unipolar resistive sense switching element. The memory element is programmed to a selected resistance state by application of a selected write current in a selected direction through the cell, wherein a first resistance level is programmed by passage of a write current in a first direction and wherein a second resistance level is programmed by passage of a write current in an opposing second direction. The switching element is programmed to a selected resistance level to facilitate access to the selected resistance state of the memory element.

摘要翻译： 公开了一种具有可编程单极开关元件的非易失性存储单元，以及编程存储器元件的方法。 在一些实施例中，存储单元包括与可编程单极性电阻感测开关元件串联连接的可编程双极性电阻读出存储元件。 通过在所选择的方向上通过单元施加选择的写入电流将存储元件编程为所选择的电阻状态，其中通过沿第一方向的写入电流来编程第一电阻电平，并且其中第二电阻电平被编程 通过在相反的第二方向上的写入电流。 开关元件被编程为所选择的电阻水平以便于访问存储元件的所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20100193761A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12362640

申请日：2009-01-30

申请人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

发明人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14

摘要： Programmable metallization memory cells having an active electrode, an opposing inert electrode and a variable resistive element separating the active electrode from the inert electrode. The variable resistive element includes a plurality of alternating solid electrolyte layers and electrically conductive layers. The electrically conductive layers electrically couple the active electrode to the inert electrode in a programmable metallization memory cell. Methods to form the same are also disclosed.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元具有有源电极，相对的惰性电极和将活性电极与惰性电极分开的可变电阻元件。 可变电阻元件包括多个交替的固体电解质层和导电层。 导电层在可编程金属化存储单元中将有源电极电耦合到惰性电极。 也公开了形成它们的方法。

公开(公告)号：US08248836B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。