公开(公告)号：US20090224337A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12467847

申请日：2009-05-18

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及第一应力层上的第二应力层，其中第二应力源具有与第一和第二晶格常数基本上不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US08274071B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12985507

申请日：2011-01-06

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr.-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr.-Hung Li

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及在所述第一应力层上的第二应力层，其中所述第二应力源具有与所述第一和第二晶格常数基本不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US07868317B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12467847

申请日：2009-05-18

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及在所述第一应力层上的第二应力层，其中所述第二应力源具有与所述第一和第二晶格常数基本不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US07554110B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11732380

申请日：2007-04-03

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及第一应力层上的第二应力层，其中第二应力源具有与第一和第二晶格常数基本上不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US20080067557A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11732380

申请日：2007-04-03

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及在所述第一应力层上的第二应力层，其中所述第二应力源具有与所述第一和第二晶格常数基本不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US20110101305A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12985507

申请日：2011-01-06

申请人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

发明人： Ming-Hua Yu ,  Mong-Song Liang ,  Tze-Liang Lee ,  Jr-Hung Li

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first lattice constant; a gate dielectric on the semiconductor substrate; a gate electrode on the semiconductor substrate; and a stressor having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent the gate electrode. The stressor has a tilted sidewall on a side adjacent the gate electrode. The stressor includes a first stressor layer having a second lattice constant substantially different from the first lattice constant; and a second stressor layer on the first stressor layer, wherein the second stressor has a third lattice constant substantially different from the first and the second lattice constants.

摘要翻译： 半导体结构包括具有第一晶格常数的半导体衬底; 半导体衬底上的栅极电介质; 半导体衬底上的栅电极; 以及在半导体衬底中具有至少一部分并且与栅电极相邻的应力源。 应力源在与栅电极相邻的一侧具有倾斜的侧壁。 应激源包括具有与第一晶格常数基本不同的第二晶格常数的第一应力层; 以及在所述第一应力层上的第二应力层，其中所述第二应力源具有与所述第一和第二晶格常数基本不同的第三晶格常数。

公开(公告)号：US20080290420A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11805894

申请日：2007-05-25

申请人： Ming-Hua Yu ,  Tai-Chun Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Jr.-Hung Li ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

发明人： Ming-Hua Yu ,  Tai-Chun Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Jr.-Hung Li ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate; an opening in the semiconductor substrate; a semiconductor layer in the opening and covering a bottom and sidewalls of the opening, wherein the semiconductor layer and the semiconductor substrate comprise different materials; and a dielectric material over the semiconductor layer and filling a remaining portion of the opening.

摘要翻译： 半导体结构包括半导体衬底; 半导体衬底中的开口; 所述开口中的半导体层覆盖所述开口的底部和侧壁，其中所述半导体层和所述半导体衬底包括不同的材料; 以及在所述半导体层上方的电介质材料，并填充所述开口的剩余部分。

公开(公告)号：US20080146012A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11695227

申请日：2007-04-02

申请人： Wenli Lin ,  Yong-Tian Hou ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Tze-Liang Lee ,  Mong-Song Liang

发明人： Wenli Lin ,  Yong-Tian Hou ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang ,  Tze-Liang Lee ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a gate dielectric on a substrate; introducing metal dopants into the gate dielectric; annealing the gate dielectric; and forming a gate electrode on the gate dielectric.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极电介质; 将金属掺杂剂引入栅极电介质中; 退火栅电介质; 以及在栅极电介质上形成栅电极。

公开(公告)号：US06440833B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09619030

申请日：2000-07-19

申请人： Tze-Liang Lee ,  Mong-Song Liang

发明人： Tze-Liang Lee ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5256 ,  H01L24/02 ,  H01L2924/01079

摘要： A process for simultaneously forming a first opening to a copper contact structure, and a deeper, second opening, overlying a fuse structure, has been developed. The process features the use of a barrier metal shape, located on a recessed copper contact structure, providing the needed etch stop during a dry etching procedure used to define a first opening in a composite insulator layer. The low etch rate exhibited by the barrier metal shape, in this dry etching environment provides protection of the recessed copper contact structure during the extended dry etching procedure, which is employed to form a deeper, second opening, in thicker dielectric layers, in a region overlying the fuse structure.

摘要翻译： 已经开发了一种用于同时形成对铜接触结构的第一开口以及覆盖熔丝结构的较深的第二开口的方法。 该方法的特征在于使用位于凹陷铜接触结构上的阻挡金属形状，在用于限定复合绝缘体层中的第一开口的干蚀刻过程中提供所需的蚀刻停止。 在这种干蚀刻环境中，通过阻挡金属形状表现的低蚀刻速率在延长的干蚀刻工艺期间提供凹陷铜接触结构的保护，其用于在更厚的电介质层中形成较深的第二开口 覆盖保险丝结构。

公开(公告)号：US20100075480A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12235329

申请日：2008-09-22

申请人： Ming-Han Liao ,  Tze-Liang Lee ,  Ling-Yen Yeh ,  Mong-Song Liang

发明人： Ming-Han Liao ,  Tze-Liang Lee ,  Ling-Yen Yeh ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7846

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure is provided. The method includes forming a hard mask pattern on a semiconductor substrate, wherein the hard mask pattern covers active regions; forming a trench in the semiconductor substrate within an opening defined by the hard mask pattern; filling the trench with a dielectric material, resulting in a trench isolation feature; performing an ion implantation to the trench isolation feature using the hard mask pattern to protect active regions of the semiconductor substrate; and removing the hard mask pattern after the performing of the ion implantation.

摘要翻译： 提供一种制造半导体结构的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成硬掩模图案，其中硬掩模图案覆盖有源区; 在由所述硬掩模图案限定的开口内在所述半导体衬底中形成沟槽; 用电介质材料填充沟槽，导致沟槽隔离特征; 使用所述硬掩模图案对所述沟槽隔离特征进行离子注入以保护所述半导体衬底的有源区; 并且在执行离子注入之后去除硬掩模图案。