公开(公告)号：US09390942B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US13831067

申请日：2013-03-14

申请人： PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： Hiroshi Domyo ,  Michael McCafferty ,  Alain Duvallet ,  Masaki Sato ,  Christopher O'Brien ,  Anthony Mark Miscione ,  George Imthurn

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L29/36 ,  H01L23/31 ,  H01L21/762 ,  H01L23/26

CPC分类号： H01L21/3226 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/26 ,  H01L23/3128 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： Embodiments of preparing substrates for subsequent bonding with semiconductor layer are described herein. A substrate may be prepared with one or more chemicals or a sacrificial layer to limit or remove substrate contaminants and reduce substrate surface damage. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文描述了制备用于随后与半导体层接合的衬底的实施例。 可以用一种或多种化学品或牺牲层制备基底以限制或去除基底污染物并减少基底表面损伤。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20140151704A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US13831067

申请日：2013-03-14

申请人： Peregrine Semiconductor Corporation

发明人： Hiroshi Domyo ,  Michael McCafferty ,  Alain Duvallet ,  Masaki Sato ,  Christopher O'Brien ,  Anthony Mark Miscione ,  George Imthurn

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L21/3226 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/26 ,  H01L23/3128 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： Embodiments of preparing substrates for subsequent bonding with semiconductor layer are described herein. A substrate may be prepared with one or more chemicals or a sacrificial layer to limit or remove substrate contaminants and reduce substrate surface damage. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文描述了制备用于随后与半导体层接合的衬底的实施例。 可以用一种或多种化学品或牺牲层制备基底以限制或去除基底污染物并减少基底表面损伤。 可以描述和要求保护其他实施例。