公开(公告)号：US20140225208A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：US13777475

申请日：2013-02-26

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： Shiqun Gu ,  Ron Zhang ,  Vidhya Ramachandran ,  Dong Wook Kim

IPC: H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: Some implementations provide a die that includes a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell array that includes several MRAM cells. The die also includes a first ferromagnetic layer positioned above the MRAM cell array, a second ferromagnetic layer positioned below the MRAM cell array, and several vias positioned around at least one MRAM cell. The via comprising a ferromagnetic material. In some implementations, the first ferromagnetic layer, the second ferromagnetic layer and the several vias define a magnetic shield for the MRAM cell array. The MRAM cell may include a magnetic tunnel junction (MTJ). In some implementations, the several vias traverse at least a metal layer and a dielectric layer of the die. In some implementations, the vias are through substrate vias. In some implementations, the ferromagnetic material has high permeability and high B saturation.

Abstract translation: 一些实施方案提供了包括包括几个MRAM单元的磁阻随机存取存储器（MRAM）单元阵列的管芯。 芯片还包括位于MRAM单元阵列上方的第一铁磁层，位于MRAM单元阵列下方的第二铁磁层和位于至少一个MRAM单元周围的几个通孔。 通孔包括铁磁材料。 在一些实施方案中，第一铁磁层，第二铁磁层和几个通孔限定用于MRAM单元阵列的磁屏蔽。 MRAM单元可以包括磁性隧道结（MTJ）。 在一些实施方案中，几个通孔至少穿过管芯的金属层和电介质层。 在一些实施方案中，通孔通过衬底通孔。 在一些实施方案中，铁磁材料具有高磁导率和高B饱和度。