公开(公告)号：US20150041982A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：US13960110

申请日：2013-08-06

Applicant: QUALCOMM Incorporated

Inventor： Christine Sung-An Hau-Riege ,  You-Wen Yau ,  Kevin Patrick Caffey ,  Lizabeth Ann Keser ,  Gene H. McAllister ,  Reynante Tamunan Alvarado ,  Steve J. Bezuk ,  Damion Bryan Gastelum

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: Some implementations provide a semiconductor device (e.g., die) that includes a substrate, several metal layers and dielectric layers coupled to the substrate, a pad coupled to one of the plurality of metal layers, a first metal redistribution layer coupled to the pad, and a second metal redistribution layer coupled to the first metal redistribution layer. The second metal redistribution layer includes a cobalt tungsten phosphorous material. In some implementations, the first metal redistribution layer is a copper layer. In some implementations, the semiconductor device further includes a first underbump metallization (UBM) layer and a second underbump metallization (UBM) layer.

Abstract translation: 一些实施方案提供了一种半导体器件（例如，管芯），其包括衬底，耦合到衬底的几个金属层和电介质层，耦合到多个金属层中的一个的焊盘，耦合到衬垫的第一金属再分布层，以及 耦合到第一金属再分配层的第二金属再分配层。 第二金属再分布层包括钴钨磷材料。 在一些实施方案中，第一金属再分配层是铜层。 在一些实施方案中，半导体器件还包括第一底部浸渍金属化（UBM）层和第二底部金属化（UBM）层。