公开(公告)号：US20090081386A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US12208287

申请日：2008-09-10

Applicant: ROBERT J. VON GUTFELD ,  ALAN C. WEST

Inventor： ROBERT J. VON GUTFELD ,  ALAN C. WEST

IPC: B05D3/02 ,  B05C1/02

CPC classification number: C25D5/50 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D5/024 ,  C25D5/026 ,  C25D17/00 ,  C25D17/06 ,  C25D21/02

Abstract: Systems and methods for in-situ annealing of metal layers as they are being plated on a substrate by action of a chemical solution are provided. The in-situ annealing, in conjunction with controlled slow growth rates, allows control of the structure of the plated metal layers. The systems and methods are used for maskless plating of the substrates.

Abstract translation: 提供了通过化学溶液的作用将金属层原位退火的系统和方法，其被电镀在基板上。 原位退火结合受控的缓慢生长速率，允许控制电镀金属层的结构。 该系统和方法用于基板的无掩模电镀。

公开(公告)号：US20120201956A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13447982

申请日：2012-04-16

Applicant: SUPRATIK GUHA ,  HENDRIK F. HAMANN ,  HERSCHEL M. MARCHMAN ,  ROBERT J. VON GUTFELD

Inventor： SUPRATIK GUHA ,  HENDRIK F. HAMANN ,  HERSCHEL M. MARCHMAN ,  ROBERT J. VON GUTFELD

IPC: B05D5/12 ,  B05D3/02

CPC classification number: H01L21/76892 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892

Abstract: A method and apparatus for fabricating or altering a microstructure use means for heating to facilitate a local chemical reaction that forms or alters the submicrostructure.

Abstract translation: 一种用于制造或改变微结构的方法和装置，用于加热以促进形成或改变亚微结构的局部化学反应。