公开(公告)号：US07955962B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11695657

申请日：2007-04-03

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US20080026492A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11695657

申请日：2007-04-03

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US08216927B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US13094144

申请日：2011-04-26

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US20110201135A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13094144

申请日：2011-04-26

申请人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Frank Feustel ,  Thomas Werner ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02096

摘要： By providing a protective layer in an intermediate manufacturing stage, an increased surface protection with respect to particle contamination and surface corrosion may be achieved. In some illustrative embodiments, the protective layer may be used during an electrical test procedure, in which respective contact portions are contacted through the protective layer, thereby significantly reducing particle contamination during a respective measurement process.

摘要翻译： 通过在中间制造阶段提供保护层，可以实现相对于颗粒污染和表面腐蚀的增加的表面保护。 在一些说明性实施例中，保护层可以在电测试过程中使用，其中相应的接触部分通过保护层接触，从而在相应的测量过程中显着地减少颗粒污染。

公开(公告)号：US07871941B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US11743502

申请日：2007-05-02

申请人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Thomas Werner

发明人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  Y02P80/30

摘要： By providing a silicon cap layer on a compressive silicon nitride layer, the diffusion of nitrogen into sensitive resist material may be efficiently reduced, while the silicon may be converted into a highly compressive silicon dioxide in a later manufacturing stage. Consequently, yield loss due to contact failures during the formation of semiconductor devices requiring differently stressed silicon nitride layers may be reduced.

摘要翻译： 通过在压缩氮化硅层上设置硅覆盖层，可以有效地降低氮气到敏感抗蚀剂材料中的扩散，同时可以在随后的制造阶段将硅转化为高度压缩的二氧化硅。 因此，可能会降低在形成需要不同应力的氮化硅层的半导体器件期间由于接触故障导致的屈服损失。

公开(公告)号：US20080081481A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11743502

申请日：2007-05-02

申请人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Thomas Werner

发明人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Thomas Werner

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  Y02P80/30

摘要： By providing a silicon cap layer on a compressive silicon nitride layer, the diffusion of nitrogen into sensitive resist material may be efficiently reduced, while the silicon may be converted into a highly compressive silicon dioxide in a later manufacturing stage. Consequently, yield loss due to contact failures during the formation of semiconductor devices requiring differently stressed silicon nitride layers may be reduced.

摘要翻译： 通过在压缩氮化硅层上设置硅覆盖层，可以有效地降低氮气到敏感抗蚀剂材料中的扩散，同时可以在随后的制造阶段将硅转化为高度压缩的二氧化硅。 因此，可能会降低在形成需要不同应力的氮化硅层的半导体器件期间由于接触故障导致的屈服损失。

公开(公告)号：US08492269B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13234529

申请日：2011-09-16

申请人： Jens Heinrich ,  Ralf Richter ,  Torsten Huisinga ,  Kai Frohberg

发明人： Jens Heinrich ,  Ralf Richter ,  Torsten Huisinga ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, superior contact resistivity may be accomplished for a given contact configuration by providing hybrid contact elements, at least a portion of which may be comprised of a highly conductive material, such as copper. To this end, a well-established contact material, such as tungsten, may be used as buffer material in order to preserve integrity of sensitive device areas upon depositing the highly conductive metal.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，通过提供混合接触元件，对于给定的接触构型可以实现优异的接触电阻率，其中至少一部分可由高导电材料（例如铜）构成。 为此，可以使用诸如钨的良好接触材料作为缓冲材料，以便在沉积高导电性金属时保持敏感器件区域的完整性。

公开(公告)号：US08384161B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12823438

申请日：2010-06-25

申请人： Ralf Richter ,  Kai Frohberg ,  Holger Schuehrer

发明人： Ralf Richter ,  Kai Frohberg ,  Holger Schuehrer

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/84 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： By appropriately designing the geometric configuration of a contact level of a sophisticated semiconductor device, the tensile stress level of contact elements in N-channel transistors may be increased, while the tensile strain component of contact elements caused in the P-channel transistor may be reduced.

摘要翻译： 通过适当地设计复杂半导体器件的接触电平的几何形状，可以增加N沟道晶体管中的接触元件的拉伸应力水平，同时在P沟道晶体管中引起的接触元件的拉伸应变分量可能减小 。

公开(公告)号：US20110291292A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13102411

申请日：2011-05-06

申请人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Torsten Huisinga ,  Katrin Reiche

发明人： Kai Frohberg ,  Ralf Richter ,  Torsten Huisinga ,  Katrin Reiche

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, the contact elements connecting to active semiconductor regions having formed thereabove closely spaced gate electrode structures may be provided on the basis of a liner material so as to reduce the lateral width of the contact opening, while, on the other hand, non-critical contact elements may be formed on the basis of non-reduced lateral dimensions. To this end, at least a first portion of the critical contact element is formed and provided with a liner material prior to forming the non-critical contact element.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以基于衬垫材料提供连接到形成在其上方的紧密间隔的栅电极结构的有源半导体区域的接触元件，以便减小接触开口的横向宽度，而另一方面， 非临界接触元件可以基于非减小的横向尺寸形成。 为此，临界接触元件的至少第一部分形成并在形成非关键接触元件之前设置有衬垫材料。

公开(公告)号：US08722511B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13154754

申请日：2011-06-07

申请人： Ralf Richter ,  Peter Javorka ,  Kai Frohberg

发明人： Ralf Richter ,  Peter Javorka ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Contact failures in sophisticated semiconductor devices may be reduced by relaxing the pronounced surface topography in isolation regions prior to depositing the interlayer dielectric material system. To this end, a deposition/etch sequence may be applied in which a fill material may be removed from the active region, while the recesses in the isolation regions may at least be partially filled.

摘要翻译： 复杂的半导体器件中的接触故障可以通过在沉积层间绝缘材料系统之前放宽隔离区域中显着的表面形貌来降低。 为此，可以施加沉积/蚀刻顺序，其中填充材料可以从有源区域移除，而隔离区域中的凹部可以至少部分地被填充。