公开(公告)号：US20070187737A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11691770

申请日：2007-03-27

申请人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜堆叠的工艺和装置。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US20060286748A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11158220

申请日：2005-06-21

申请人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

公开(公告)号：US20070231995A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11757594

申请日：2007-06-04

申请人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜叠层的工艺。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US07262053B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11158220

申请日：2005-06-21

申请人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜堆叠的工艺和装置。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US07473613B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11757594

申请日：2007-06-04

申请人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜叠层的工艺。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US07468533B2

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：US11691770

申请日：2007-03-27

申请人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜堆叠的工艺和装置。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US07595521B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US12274824

申请日：2008-11-20

申请人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜堆叠的工艺和装置。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US20090072288A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12274824

申请日：2008-11-20

申请人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

发明人： Robert J. Hanson ,  Alex Schrinsky ,  Terry McDaniel

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/10885

摘要： A process and apparatus directed to forming a terraced film stack of a semiconductor device, for example, a DRAM memory device, is disclosed. The present invention addresses etch undercut resulting from materials of different etch selectivity used in the film stack, which if not addressed can cause device failure.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件（例如DRAM存储器件）的梯形膜堆叠的工艺和装置。 本发明解决了由薄膜堆叠中使用的不同蚀刻选择性的材料产生的蚀刻底切，如果不能解决，则可能导致器件故障。

公开(公告)号：US08802525B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13205316

申请日：2011-08-08

申请人： Alex Schrinsky ,  Anish Khandekar ,  Pavan Aella ,  Niraj B. Rana

发明人： Alex Schrinsky ,  Anish Khandekar ,  Pavan Aella ,  Niraj B. Rana

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： Methods are disclosed that include selectively etching diffused regions to form recesses in semiconductor material, and forming charge storage structures in the recesses. Additional embodiments are disclosed.

摘要翻译： 公开了包括选择性地蚀刻扩散区域以在半导体材料中形成凹槽的方法，以及在凹槽中形成电荷存储结构。 公开了其他实施例。

公开(公告)号：US08367303B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US11487246

申请日：2006-07-14

申请人： David J. Keller ,  Alex Schrinsky

发明人： David J. Keller ,  Alex Schrinsky

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/31122 ,  G03F1/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： The critical dimension (CD) of features formed during the fabrication of a semiconductor device may be controlled through the use of a dry develop chemistry comprising O2, SO2 and a hydrogen halide. For example, a dry develop chemistry comprising a gas comprising O2 and a gas comprising SO2 and a gas comprising HBr may be used to remove exposed areas of a carbon-based mask. The addition of HBr to the conventional O2 and SO2 dry develop chemistry enables a user to tune the critical dimension by growing, trimming and/or sloping the sidewalls and to enhance sidewall passivation and reduce sidewall bowing.

摘要翻译： 在制造半导体器件期间形成的特征的临界尺寸（CD）可以通过使用包含O 2，SO 2和卤化氢的干式显影化学品来控制。 例如，包括包含O 2的气体和包含SO 2的气体和包含HBr的气体的干式显影化学物质可用于除去碳基掩模的暴露区域。 向传统的O2和SO2干式开发化学物质中添加HBr可使用户通过增长，修整和/或倾斜侧壁来调节临界尺寸，并增强侧壁钝化并减少侧壁弯曲。