公开(公告)号：US20090004458A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11771683

申请日：2007-06-29

申请人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

发明人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/06

CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/249961

摘要： This invention generally relates to a process for suppressing silicon self-interstitial diffusion near the substrate/epitaxial layer interface of an epitaxial silicon wafer having a heavily doped silicon substrate and a lightly doped silicon epitaxial layer. Interstitial diffusion into the epitaxial layer is suppressed by a silicon self-interstitial sink layer comprising dislocation loops.

摘要翻译： 本发明总体上涉及一种用于抑制硅掺杂硅衬底和轻掺杂硅外延层的外延硅晶片的衬底/外延层界面附近的硅自间隙扩散的方法。 通过包含位错环的硅自间隙沉积层来抑制进入外延层的间隙扩散。

公开(公告)号：US20110250739A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13165430

申请日：2011-06-21

申请人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

发明人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/249961

摘要： This invention generally relates to a process for suppressing silicon self-interstitial diffusion near the substrate/epitaxial layer interface of an epitaxial silicon wafer having a heavily doped silicon substrate and a lightly doped silicon epitaxial layer. Interstitial diffusion into the epitaxial layer is suppressed by a silicon self-interstitial sink layer comprising dislocation loops.

摘要翻译： 本发明总体上涉及一种用于抑制硅掺杂硅衬底和轻掺杂硅外延层的外延硅晶片的衬底/外延层界面附近的硅自间隙扩散的方法。 通过包含位错环的硅自间隙沉积层来抑制进入外延层的间隙扩散。

公开(公告)号：US20090252974A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12486569

申请日：2009-06-17

申请人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

发明人： Robert J. Falster ,  Vladimir V. Voronkov ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

IPC分类号： H01L21/36 ,  B32B9/04

CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/249961

摘要： This invention generally relates to a process for suppressing silicon self-interstitial diffusion near the substrate/epitaxial layer interface of an epitaxial silicon wafer having a heavily doped silicon substrate and a lightly doped silicon epitaxial layer. Interstitial diffusion into the epitaxial layer is suppressed by a silicon self-interstitial sink layer comprising dislocation loops.

摘要翻译： 本发明总体上涉及一种用于抑制硅掺杂硅衬底和轻掺杂硅外延层的外延硅晶片的衬底/外延层界面附近的硅自间隙扩散的方法。 通过包含位错环的硅自间隙沉积层来抑制进入外延层的间隙扩散。

公开(公告)号：US20090004426A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11771667

申请日：2007-06-29

申请人： Robert J. Falster ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

发明人： Robert J. Falster ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

IPC分类号： B32B3/02 ,  C30B33/06

CPC分类号： H01L21/3225 ,  Y10T428/21

摘要： This invention generally relates to a process for suppressing oxygen precipitation in epitaxial silicon wafers having a heavily doped silicon substrate and a lightly N-doped silicon epitaxial layer by dissolving existing oxygen clusters and precipitates within the substrate. Furthermore, the formation of oxygen precipitates is prevented upon subsequent oxygen precipitation heat treatment.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种通过将现有的氧簇和沉淀物溶解在衬底中来抑制具有重掺杂硅衬底和轻掺杂N掺杂硅外延层的外延硅晶片中的氧沉淀的方法。 此外，在随后的氧沉淀热处理时，防止形成氧析出物。

公开(公告)号：US20110177682A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13020957

申请日：2011-02-04

申请人： Robert J. Falster ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

发明人： Robert J. Falster ,  Luca Moiraghi ,  DongMyun Lee ,  Chanrae Cho ,  Marco Ravani

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16

CPC分类号： H01L21/3225 ,  Y10T428/21

摘要： This invention generally relates to a process for suppressing oxygen precipitation in epitaxial silicon wafers having a heavily doped silicon substrate and a lightly N-doped silicon epitaxial layer by dissolving existing oxygen clusters and precipitates within the substrate. Furthermore, the formation of oxygen precipitates is prevented upon subsequent oxygen precipitation heat treatment.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种通过将现有的氧簇和沉淀物溶解在衬底中来抑制具有重掺杂硅衬底和轻掺杂N掺杂硅外延层的外延硅晶片中的氧沉淀的方法。 此外，在随后的氧沉淀热处理时，防止形成氧析出物。

公开(公告)号：US20060075960A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11284120

申请日：2005-11-21

申请人： Marco Borgini ,  Daniela Gambaro ,  Marco Ravani ,  Michael Ries ,  Laura Sacchetti ,  Robert Standley ,  Robert Falster ,  Mark Stinson

发明人： Marco Borgini ,  Daniela Gambaro ,  Marco Ravani ,  Michael Ries ,  Laura Sacchetti ,  Robert Standley ,  Robert Falster ,  Mark Stinson

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： H01L21/3225 ,  Y10T117/10

摘要： A process for nucleating and growing oxygen precipitates in a silicon wafer, including subjecting a wafer having a non-uniform concentration of crystal lattice vacancies with the concentration of vacancies in the bulk layer being greater than the concentration of vacancies in the surface layer to a non-isothermal heat treatment to form of a denuded zone in the surface layer and to cause the formation and stabilization of oxygen precipitates having an effective radial size 0.5 nm to 30 nm in the bulk layer. The process optionally includes subjecting the stabilized wafer to a high temperature thermal process (e.g. epitaxial deposition, rapid thermal oxidation, rapid thermal nitridation and etc.) at temperatures in the range of 1000 OC to 1275 OC without causing the dissolution of the stabilized oxygen precipitates.

摘要翻译： 一种用于在硅晶片中成核和生长氧沉淀物的方法，包括使具有不均匀浓度的晶格空位的晶片与本体层中的空位浓度大于表层中的空位浓度， 进行等温热处理以形成表面层中的剥离区域，并且使本体层中具有0.5nm至30nm有效径向尺寸的氧沉淀物的形成和稳定化。 该方法任选地包括在1000℃至1275℃范围内的温度下使稳定的晶片经受高温热处理（例如外延沉积，快速热氧化，快速热氮化等），而不会使稳定的氧沉淀物溶解 。