公开(公告)号：US5891809A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：US536653

申请日：1995-09-29

申请人： Robert S. K. Chau ,  Lawrence N. Brigham ,  Chia-Hong Jan ,  Chan-Hong Chern ,  Binny P. Arcot

发明人： Robert S. K. Chau ,  Lawrence N. Brigham ,  Chia-Hong Jan ,  Chan-Hong Chern ,  Binny P. Arcot

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/51 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a thin, robust nitrided oxide layer. The process results in a manufacturable, uniform, low-defect density, reliable nitrided oxide that may be used as a gate dielectric, as a portion of a spacer, or as a portion of a trench isolation. First, a substrate is oxidized in a chlorinated dry oxidation followed by a low temperature pyrogenic steam oxidation. Next, a low temperature ammonia anneal is performed, followed by a high temperature anneal in an inert ambient.

摘要翻译： 形成薄而坚固的氮化氧化物层的方法。 该方法产生可制造，均匀，低缺陷密度，可靠的氮化氧化物，其可以用作栅极电介质，作为间隔物的一部分，或者作为沟槽隔离的一部分。 首先，将基板在氯化干燥氧化中氧化，然后进行低温热解蒸汽氧化。 接下来，进行低温氨退火，随后在惰性环境中进行高温退火。