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    METHODS OF FORMING RELIEF IMAGES
    4.
    发明申请
    METHODS OF FORMING RELIEF IMAGES 审中-公开
    形成缓解图像的方法

    公开(公告)号：US20160133477A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：US14934628

    申请日：2015-11-06

    申请人： Rohm and Haas Electronic Materials, LLC ,  Dow Global Technologies LLC

    发明人： Peter Trefonas, III ,  Phillip Hustad ,  Jieqian Zhang ,  James C. Taylor

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138

    摘要： In a preferred aspect, methods are provided that comprise a) providing a semiconductor substrate comprising a patterned mask over a layer to be patterned; b) applying a layer of a first composition over the mask, wherein the composition comprises a polymer and the layer is coated on a sidewall of the mask; c) applying a layer of a second composition over the semiconductor substrate in a volume adjacent the coated sidewall of the mask; and d) removing the first composition from the sidewall of the mask, thereby exposing the layer to be patterned and forming a gap between the mask sidewall and the second composition layer to provide a relief image. The methods find particular applicability in semiconductor device manufacture.

    摘要翻译： 在优选的方面，提供了包括以下步骤的方法：a）在要图案化的层上提供包含图案化掩模的半导体衬底; b）在所述掩模上施加第一组合物层，其中所述组合物包含聚合物，并且所述层涂覆在所述掩模的侧壁上; c）在邻近所述掩模的涂覆侧壁的体积中在所述半导体衬底上施加第二组合物层; 以及d）从所述掩模的侧壁去除所述第一组合物，从而暴露所述图案化层并且在所述掩模侧壁和所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。 该方法特别适用于半导体器件制造。