公开(公告)号：US08679968B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13471846

申请日：2012-05-15

申请人： Ruilong Xie ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian ,  David Vaclav Horak ,  Ponoth Shom

发明人： Ruilong Xie ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian ,  David Vaclav Horak ,  Ponoth Shom

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/76897

摘要： A self-aligned source/drain contact formation process without spacer or cap loss is described. Embodiments include providing two gate stacks, each having spacers on opposite sides, and an interlayer dielectric (ILD) over the two gate stacks and in a space therebetween, forming a vertical contact opening within the ILD between the two gate stacks, and laterally removing ILD between the two gate stacks from the vertical contact opening toward the spacers, to form a contact hole.

摘要翻译： 描述了没有间隔物或盖损失的自对准源极/漏极接触形成过程。 实施例包括提供两个栅极堆叠，每个栅极堆叠在相对的两侧具有间隔物，以及位于两个栅极堆叠之间并在它们之间的空间中的层间电介质（ILD），在两个栅极堆叠之间的ILD内形成垂直接触开口，并横向移除ILD 在两个栅极堆叠之间从垂直接触开口朝向间隔件，形成接触孔。

公开(公告)号：US20130307087A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13471846

申请日：2012-05-15

申请人： Ruilong Xie ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian ,  David Vaclav Horak ,  Ponoth Shom

发明人： Ruilong Xie ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian ,  David Vaclav Horak ,  Ponoth Shom

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/76897

摘要： A self-aligned source/drain contact formation process without spacer or cap loss is described. Embodiments include providing two gate stacks, each having spacers on opposite sides, and an interlayer dielectric (ILD) over the two gate stacks and in a space therebetween, forming a vertical contact opening within the ILD between the two gate stacks, and laterally removing ILD between the two gate stacks from the vertical contact opening toward the spacers, to form a contact hole.

摘要翻译： 描述了没有间隔物或盖损失的自对准源极/漏极接触形成过程。 实施例包括提供两个栅极堆叠，每个栅极堆叠在相对的两侧具有间隔物，以及位于两个栅极堆叠之间并在它们之间的空间中的层间电介质（ILD），在两个栅极堆叠之间的ILD内形成垂直接触开口，并横向移除ILD 在两个栅极堆叠之间从垂直接触开口朝向间隔件，形成接触孔。

公开(公告)号：US20130328111A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13491857

申请日：2012-06-08

申请人： Ruilong Xie ,  David V. Horak ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian

发明人： Ruilong Xie ,  David V. Horak ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： A method for recessing and capping metal gate structures is disclosed. Embodiments include: forming a dummy gate electrode on a substrate; forming a hard mask over the dummy gate electrode; forming spacers on opposite sides of the dummy gate electrode and the hard mask; forming an interlayer dielectric (ILD) over the substrate adjacent the spacers; forming a first trench in the ILD down to the dummy gate electrode; removing the dummy gate electrode to form a second trench below the first trench; forming a metal gate structure in the first and second trenches; and forming a gate cap over the metal gate structure.

摘要翻译： 公开了一种用于凹陷和封盖金属栅极结构的方法。 实施例包括：在基板上形成虚拟栅电极; 在虚拟栅电极上形成硬掩模; 在虚拟栅电极和硬掩模的相对侧上形成间隔物; 在邻近所述间隔物的衬底上形成层间电介质（ILD）; 在所述ILD中形成第一沟槽至所述伪栅电极; 去除所述伪栅电极以在所述第一沟槽下方形成第二沟槽; 在所述第一和第二沟槽中形成金属栅极结构; 以及在所述金属栅极结构上形成栅极盖。

公开(公告)号：US08679909B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13491857

申请日：2012-06-08

申请人： Ruilong Xie ,  David V. Horak ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian

发明人： Ruilong Xie ,  David V. Horak ,  Su Chen Fan ,  Pranatharthiharan Haran Balasubramanian

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： A method for recessing and capping metal gate structures is disclosed. Embodiments include: forming a dummy gate electrode on a substrate; forming a hard mask over the dummy gate electrode; forming spacers on opposite sides of the dummy gate electrode and the hard mask; forming an interlayer dielectric (ILD) over the substrate adjacent the spacers; forming a first trench in the ILD down to the dummy gate electrode; removing the dummy gate electrode to form a second trench below the first trench; forming a metal gate structure in the first and second trenches; and forming a gate cap over the metal gate structure.

摘要翻译： 公开了一种用于凹陷和封盖金属栅极结构的方法。 实施例包括：在基板上形成虚拟栅电极; 在虚拟栅电极上形成硬掩模; 在虚拟栅电极和硬掩模的相对侧上形成间隔物; 在邻近所述间隔物的衬底上形成层间电介质（ILD）; 在所述ILD中形成第一沟槽至所述伪栅电极; 去除所述伪栅电极以在所述第一沟槽下方形成第二沟槽; 在所述第一和第二沟槽中形成金属栅极结构; 以及在所述金属栅极结构上形成栅极帽。