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    Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate
    1.
    发明申请
    Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate 有权
    无色单晶CVD金刚石生长速度快

    公开(公告)号：US20070196263A1

    公开(公告)日：2007-08-23

    申请号：US11438260

    申请日：2006-05-23

    申请人： Russell Hemley ,  Ho-Kwang Mao ,  Chih-Shiue Yan

    发明人： Russell Hemley ,  Ho-Kwang Mao ,  Chih-Shiue Yan

    IPC分类号： C01B31/06 ,  B01J3/06 ,  H05H1/24 ,  B01J3/08

    CPC分类号： C30B29/04 ,  C01B32/25 ,  C23C16/274 ,  C23C16/277 ,  C23C16/279 ,  C30B25/105

    摘要： The present invention relates to a method for producing colorless, single-crystal diamonds at a rapid growth rate. The method for diamond production includes controlling temperature of a growth surface of the diamond such that all temperature gradients across the growth surface of the diamond are less than about 20° C., and growing single-crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition on the growth surface of a diamond at a growth temperature in a deposition chamber having an atmosphere, wherein the atmosphere comprises from about 8% to about 20% CH4 per unit of H2 and from about 5 to about 25% O2 per unit of CH4. The method of the invention can produce diamonds larger than 10 carats. Growth rates using the method of the invention can be greater than 50 μm/hour.

    摘要翻译： 本发明涉及以快速生长速度生产无色单晶金刚石的方法。 用于金刚石生产的方法包括控制金刚石的生长表面的温度，使得穿过金刚石的生长表面的所有温度梯度小于约20℃，并且通过微波等离子体化学气相沉积生长单晶金刚石 在具有气氛的沉积室中的生长温度下的金刚石的生长表面，其中所述气氛包含每单位H 2的约8％至约20％CH 4 和每单位CH 4的约5至约25％O 2 2。 本发明的方法可以生产大于10克拉的钻石。 使用本发明的方法的生长速度可以大于50mum /小时。