公开(公告)号：US20100125098A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12618501

申请日：2009-11-13

申请人： Russell R. Chianelli ,  Siddhartha Das

发明人： Russell R. Chianelli ,  Siddhartha Das

IPC分类号： A61K31/404 ,  A61P35/00

CPC分类号： A61K33/06 ,  A61K31/404 ,  A61K45/06 ,  A61K2300/00

摘要： The present invention includes compositions and methods for treating disorders of the skin or mucosa resulting from cancer therapies comprising: identifying a patient receiving cancer treatment; and administering to said patient an effective dose of a treated organic/inorganic complex material with an organic dye molecule or derivative thereof, in a pharmaceutically acceptable carrier.

摘要翻译： 本发明包括用于治疗由癌症治疗产生的皮肤或粘膜疾病的组合物和方法，包括：鉴定接受癌症治疗的患者; 并且在药学上可接受的载体中向所述患者施用有效剂量的经处理的有机/无机复合材料与有机染料分子或其衍生物。

公开(公告)号：US08563595B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12618501

申请日：2009-11-13

申请人： Russell R. Chianelli ,  Siddhartha Das

发明人： Russell R. Chianelli ,  Siddhartha Das

IPC分类号： A01N43/38 ,  A61K31/40 ,  C09B7/02

CPC分类号： A61K33/06 ,  A61K31/404 ,  A61K45/06 ,  A61K2300/00

摘要： The present invention includes compositions and methods for treating disorders of the skin or mucosa resulting from cancer therapies comprising: identifying a patient receiving cancer treatment; and administering to said patient an effective dose of a treated organic/inorganic complex material with an organic dye molecule or derivative thereof, in a pharmaceutically acceptable carrier.

摘要翻译： 本发明包括用于治疗由癌症治疗产生的皮肤或粘膜疾病的组合物和方法，包括：鉴定接受癌症治疗的患者; 并且在药学上可接受的载体中向所述患者施用有效剂量的经处理的有机/无机复合材料与有机染料分子或其衍生物。

公开(公告)号：US5962196A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US135324

申请日：1993-10-13

申请人： Siddhartha Das ,  Harry H. Fujimoto ,  Henry Gaw

发明人： Siddhartha Das ,  Harry H. Fujimoto ,  Henry Gaw

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/0045

摘要： Process for post exposure treatment of a latent image on a semiconductor wafer. After a deep ultraviolet (UV) photoresist has been exposed, the wafer, including the latent image in the attached photoresist, is maintained in an inert gas to protect the resist from the air atmosphere. Then the latent image is baked to stabilize the image.

摘要翻译： 在半导体晶片上曝光后处理潜像的方法。 在暴露了深紫外线（UV）光致抗蚀剂之后，将包括附着的光致抗蚀剂中的潜像的晶片保持在惰性气体中，以保护抗蚀剂免受空气气氛的影响。 然后烘焙潜像以稳定图像。

公开(公告)号：US06207541B1

公开(公告)日：2001-03-27

申请号：US09465549

申请日：1999-12-16

申请人： Siddhartha Das ,  Chunlin Liang

发明人： Siddhartha Das ,  Chunlin Liang

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/949

摘要： A process for patterning a gate of a semiconductor device is provided. A gate material layer is formed upon an oxide layer of a substrate. A photoresist layer is formed upon the gate material layer. A portion of the photoresist layer is photo oxidized. The portion defines a gate pattern. The portion of the photoresist layer is converted into a hard mask. A portion of the gate material layer is patterned with the hard mask. The portion of the gate material layer defines a gate.

摘要翻译： 提供了用于图案化半导体器件的栅极的工艺。 栅极材料层形成在衬底的氧化物层上。 在栅极材料层上形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层的一部分被光氧化。 该部分限定了栅极图案。 光致抗蚀剂层的一部分被转换成硬掩模。 用硬掩模对栅极材料层的一部分进行图案化。 栅极材料层的部分限定栅极。

公开(公告)号：US5540346A

公开(公告)日：1996-07-30

申请号：US495988

申请日：1995-06-28

申请人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

发明人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/065 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/065 ,  G02B6/1221 ,  G02B2006/12176

摘要： Manufacturing techniques for forming waveguide channels and devices. A trench is formed in a cladding layer through an opening in a conductive layer. The trench is then filled with an active waveguide polymer and the conductive layer is patterned such that the active waveguide polymer may be poled. Also, a trench may be isotropically etched through a cladding layer to an underlying etch stop layer. The etch stop layer is thereafter removed from within the trench region to expose a previously formed, smooth, underlying cladding layer. Finally, a waveguide formed in a cladding layer, bounded in width by an overlying barrier layer, underlies a masking layer having a gap formed therein. Within the gap, a portion of the waveguide channel along with juxtaposing sections of the barrier layer are exposed. An etch is thereafter performed to remove the portion of the waveguide polymer in the waveguide channel bounded by both the masking layer and the barrier layer. Then an alternate type of waveguide polymer is formed in the void left behind by the etched waveguide polymer in the waveguide channel. Thus, a single waveguide channel having a plurality of waveguide polymers is formed.

摘要翻译： 用于形成波导通道和器件的制造技术。 通过导电层中的开口在包层中形成沟槽。 然后用有源波导聚合物填充沟槽，并且使导电层图案化，使得有源波导聚合物可以极化。 此外，沟槽可以通过包覆层各向同性地蚀刻到下面的蚀刻停止层。 之后，在沟槽区域内去除蚀刻停止层，以暴露先前形成的，平滑的下面的包层。 最后，形成在包覆层中的波导形成在其上形成间隙的掩模层的下面，覆盖层由覆盖的势垒层限制。 在间隙内，波导通道的一部分与阻挡层的并置部分露出。 此后进行蚀刻以去除由掩模层和阻挡层两者界定的波导通道中的波导聚合物的部分。 然后在波导通道中被蚀刻的波导聚合物留下的空隙中形成另一种类型的波导聚合物。 因此，形成具有多个波导聚合物的单个波导通道。

公开(公告)号：US6133128A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US862

申请日：1997-12-30

申请人： Siddhartha Das ,  Chunlin Liang

发明人： Siddhartha Das ,  Chunlin Liang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/949

摘要： A process for patterning a gate of a semiconductor device is provided. A gate material layer is formed upon an oxide layer of a substrate. A photoresist layer is formed upon the gate material layer. A portion of the photoresist layer is photo-oxidized. The portion defines a gate pattern. The portion of the photoresist layer is converted into a hard mask. A portion of the gate material layer is patterned with the hard mask. The portion of the gate material layer defines a gate.

摘要翻译： 提供了用于图案化半导体器件的栅极的工艺。 栅极材料层形成在衬底的氧化物层上。 在栅极材料层上形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层的一部分被光氧化。 该部分限定了栅极图案。 光致抗蚀剂层的一部分被转换成硬掩模。 用硬掩模对栅极材料层的一部分进行图案化。 栅极材料层的部分限定栅极。

公开(公告)号：US5465860A

公开(公告)日：1995-11-14

申请号：US270051

申请日：1994-07-01

申请人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

发明人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/065 ,  C23F1/02

CPC分类号： G02F1/065 ,  G02B6/1221 ,  G02B2006/12176

摘要： Manufacturing techniques for forming waveguide channels and devices. A trench is formed in a cladding layer through an opening in a conductive layer. The trench is then filled with an active waveguide polymer and the conductive layer is patterned such that the active waveguide polymer may be poled. Also, a trench may be isotropically etched through a cladding layer to an underlying etch stop layer. The etch stop layer is thereafter removed from within the trench region to expose a previously formed, smooth, underlying cladding layer. Finally, a waveguide formed in a cladding layer, bounded in width by an overlying barrier layer, underlies a masking layer having a gap formed therein. Within the gap, a portion of the waveguide channel along with juxtaposing sections of the barrier layer are exposed. An etch is thereafter performed to remove the portion of the waveguide polymer in the waveguide channel bounded by both the masking layer and the barrier layer. Then an alternate type of waveguide polymer is formed in the void left behind by the etched waveguide polymer in the waveguide channel. Thus, a single waveguide channel having a plurality of waveguide polymers is formed.

摘要翻译： 用于形成波导通道和器件的制造技术。 通过导电层中的开口在包层中形成沟槽。 然后用有源波导聚合物填充沟槽，并且使导电层图案化，使得有源波导聚合物可以极化。 此外，沟槽可以通过包覆层各向同性地蚀刻到下面的蚀刻停止层。 之后，在沟槽区域内去除蚀刻停止层，以暴露先前形成的，平滑的下面的包层。 最后，形成在包覆层中的波导形成在其上形成间隙的掩模层的下面，覆盖层由覆盖的势垒层限制。 在间隙内，波导通道的一部分与阻挡层的并置部分露出。 此后进行蚀刻以去除由掩模层和阻挡层两者界定的波导通道中的波导聚合物的部分。 然后在波导通道中被蚀刻的波导聚合物留下的空隙中形成另一种类型的波导聚合物。 因此，形成具有多个波导聚合物的单个波导通道。