公开(公告)号：US5962196A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US135324

申请日：1993-10-13

申请人： Siddhartha Das ,  Harry H. Fujimoto ,  Henry Gaw

发明人： Siddhartha Das ,  Harry H. Fujimoto ,  Henry Gaw

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/0045

摘要： Process for post exposure treatment of a latent image on a semiconductor wafer. After a deep ultraviolet (UV) photoresist has been exposed, the wafer, including the latent image in the attached photoresist, is maintained in an inert gas to protect the resist from the air atmosphere. Then the latent image is baked to stabilize the image.

摘要翻译： 在半导体晶片上曝光后处理潜像的方法。 在暴露了深紫外线（UV）光致抗蚀剂之后，将包括附着的光致抗蚀剂中的潜像的晶片保持在惰性气体中，以保护抗蚀剂免受空气气氛的影响。 然后烘焙潜像以稳定图像。

公开(公告)号：US5384219A

公开(公告)日：1995-01-24

申请号：US114953

申请日：1993-08-31

申请人： Giang T. Dao ,  Qi De Qian ,  Nelson N. Tam ,  Eng T. Gaw ,  Harry H. Fujimoto

发明人： Giang T. Dao ,  Qi De Qian ,  Nelson N. Tam ,  Eng T. Gaw ,  Harry H. Fujimoto

IPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

摘要： A phase-shifted reticle with patterns proximate each other having inverted phases for the features and phase-shifting elements, and method of fabricating the reticle. Each of the patterns and inverted patterns are structurally identical with regard to the direction of phase shift, so that any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns. In a preferred embodiment, the structurally identical inverted reticle is used to form an array of closely spaced contact or via openings. For a first pattern on the reticle, the feature will be the 0.degree. phase and the phase-shifting rim surrounding that feature will be the 180.degree. phase. All patterns surrounding the first pattern have phase-shifting rims of the 0.degree. phase and features of the 180.degree. phase. In this way, each pattern can form below conventional resolution features in the resist. Additionally, there will not be exposure of the regions between the closely spaced features since radiation transmitted through the closely spaced phase-shifting rims of the two patterns is 180.degree. out of phase. Also, since each pattern is structurally identical, any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns, so that an acceptable depth of field is maintained for a substrate exposed with the reticle.

摘要翻译： 具有彼此相邻的图案的相移掩模版具有用于特征和相移元件的反相，以及制造掩模版的方法。 每个图案和反相图案在相移方向上在结构上是相同的，因此对于所有图案，由相位误差引起的任何焦点偏移都是相同的方向。 在优选实施例中，结构相同的相反的掩模版用于形成紧密间隔的接触或通孔的阵列。 对于标线板上的第一个图案，该特征将为0°相位，该特征周围的相移边缘将为180°相位。 围绕第一图案的所有图案都具有0°相位的相移边界和180°相位的特征。 以这种方式，每个图案可以在抗蚀剂中形成为低于常规分辨率特征。 另外，在紧密间隔的特征之间不会发生区域的曝光，因为通过两个图案的紧密间隔的相移轨道的辐射是180°异相的。 此外，由于每个图案在结构上相同，所以对于所有图案，由相位误差引起的任何焦点偏移都是相同的方向，因此对于用掩模版曝光的基底，可以保持可接受的景深。

公开(公告)号：US5465860A

公开(公告)日：1995-11-14

申请号：US270051

申请日：1994-07-01

申请人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

发明人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/065 ,  C23F1/02

CPC分类号： G02F1/065 ,  G02B6/1221 ,  G02B2006/12176

摘要： Manufacturing techniques for forming waveguide channels and devices. A trench is formed in a cladding layer through an opening in a conductive layer. The trench is then filled with an active waveguide polymer and the conductive layer is patterned such that the active waveguide polymer may be poled. Also, a trench may be isotropically etched through a cladding layer to an underlying etch stop layer. The etch stop layer is thereafter removed from within the trench region to expose a previously formed, smooth, underlying cladding layer. Finally, a waveguide formed in a cladding layer, bounded in width by an overlying barrier layer, underlies a masking layer having a gap formed therein. Within the gap, a portion of the waveguide channel along with juxtaposing sections of the barrier layer are exposed. An etch is thereafter performed to remove the portion of the waveguide polymer in the waveguide channel bounded by both the masking layer and the barrier layer. Then an alternate type of waveguide polymer is formed in the void left behind by the etched waveguide polymer in the waveguide channel. Thus, a single waveguide channel having a plurality of waveguide polymers is formed.

摘要翻译： 用于形成波导通道和器件的制造技术。 通过导电层中的开口在包层中形成沟槽。 然后用有源波导聚合物填充沟槽，并且使导电层图案化，使得有源波导聚合物可以极化。 此外，沟槽可以通过包覆层各向同性地蚀刻到下面的蚀刻停止层。 之后，在沟槽区域内去除蚀刻停止层，以暴露先前形成的，平滑的下面的包层。 最后，形成在包覆层中的波导形成在其上形成间隙的掩模层的下面，覆盖层由覆盖的势垒层限制。 在间隙内，波导通道的一部分与阻挡层的并置部分露出。 此后进行蚀刻以去除由掩模层和阻挡层两者界定的波导通道中的波导聚合物的部分。 然后在波导通道中被蚀刻的波导聚合物留下的空隙中形成另一种类型的波导聚合物。 因此，形成具有多个波导聚合物的单个波导通道。

公开(公告)号：US5302477A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US933400

申请日：1992-08-21

申请人： Giang T. Dao ,  Ruben A. Rodriguez ,  Harry H. Fujimoto

发明人： Giang T. Dao ,  Ruben A. Rodriguez ,  Harry H. Fujimoto

IPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

摘要： A phase-shifted reticle with patterns proximate each other having inverted phases for the features and phase-shifting elements, and methods of fabricating the reticle, are disclosed. In a preferred embodiment, the inverted reticle is used to form an array of closely spaced contact or via openings. For a first pattern on the reticle, the feature will be the 0.degree. phase and the phase-shifting rim surrounding that feature will be the 180.degree. phase. All patterns surrounding the first pattern have phase-shifting rims of the 0.degree. phase and features of the 180.degree. phase. In this way, each pattern can form below conventional resolution features in the resist. Additionally, there will not be exposure of the regions between the closely spaced features since radiation transmitted through the closely spaced phase-shifting rims of the two patterns is 180.degree. out of phase.

摘要翻译： 公开了一种具有彼此邻近的图案的相移掩模版，具有用于特征和相移元件的反相，以及制造掩模版的方法。 在优选实施例中，反相的掩模版用于形成紧密间隔的接触或通孔的阵列。 对于刻线上的第一个图案，该特征将为0度相位，并且该特征周围的相移边缘将为180度相位。 围绕第一图案的所有图案都具有0度相位和180度相位特征的移相轮缘。 以这种方式，每个图案可以在抗蚀剂中形成为低于常规分辨率特征。 另外，在紧密间隔的特征之间不会发生区域的曝光，因为通过两个图案的紧密间隔的相移轨道的辐射是相位相差180度。

公开(公告)号：US06709898B1

公开(公告)日：2004-03-23

申请号：US09679733

申请日：2000-10-04

申请人： Qing Ma ,  Harry H. Fujimoto ,  Steven Towle ,  John E. Evert

发明人： Qing Ma ,  Harry H. Fujimoto ,  Steven Towle ,  John E. Evert

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： Microelectronic packages including a microelectronic die disposed within a recess in a heat spreader and build-up layers of dielectric materials and conductive traces are then fabricated on the microelectronic die and the heat spreader to form the microelectronic package, and methods for the fabrication of the same, including methods to align the microelectronic die within the heat spreader. In another embodiment, a microelectronic die is disposed on a heat spreader which has a filler material disposed therearound and build-up layers of dielectric materials and conductive traces are then fabricated on the microelectronic die and the filler material to form the microelectronic package, and methods for the fabrication of the same, including methods to align the microelectronic die on the heat spreader.

摘要翻译： 然后在微电子管芯和散热器上制造微电子封装，其中包括设置在散热器的凹槽内的微电子管芯和介电材料和导电迹线的堆积层，以形成微电子封装，以及制造相同的方法 包括在散热器内对准微电子管芯的方法。 在另一个实施例中，微电子管芯设置在散热器上，散热器具有设置在其周围的填充材料，然后在微电子管芯和填充材料上制造介电材料和导电迹线的层，以形成微电子封装，以及方法 用于制造它们，包括在散热器上对准微电子管芯的方法。

公开(公告)号：US5747879A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US672413

申请日：1996-06-28

申请人： Rajiv Rastogi ,  Sandra J. Underwood ,  Harry H. Fujimoto

发明人： Rajiv Rastogi ,  Sandra J. Underwood ,  Harry H. Fujimoto

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/12 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/2855 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915

摘要： An improvement in a metal stack used for interconnecting structures in an integrated circuit. The improvement comprises the entrapping in a titanium layer of nitrogen at the interface where the titanium layer contacts a bulk conductor layer such as an aluminum-copper alloy layer. The entrapped nitrogen prevents the formation of any substantial amount of titanium aluminide thereby reducing current densities and also improving the electromigration properties of the stack. As currently preferred, the nitrogen is entrapped in approximately the first 30.ANG. of the titanium layer.

摘要翻译： 用于集成电路中互连结构的金属堆叠的改进。 该改进包括在钛层接触诸如铝 - 铜合金层的体导体层的界面处在氮钛层中截留。 夹带的氮防止形成任何相当量的铝化钛，从而降低电流密度，并且还改善了叠层的电迁移性能。 目前优选的是，氮被截留在钛层的大约前30个角度。

公开(公告)号：US5540346A

公开(公告)日：1996-07-30

申请号：US495988

申请日：1995-06-28

申请人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

发明人： Harry H. Fujimoto ,  Siddhartha Das

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/065 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/065 ,  G02B6/1221 ,  G02B2006/12176

摘要： Manufacturing techniques for forming waveguide channels and devices. A trench is formed in a cladding layer through an opening in a conductive layer. The trench is then filled with an active waveguide polymer and the conductive layer is patterned such that the active waveguide polymer may be poled. Also, a trench may be isotropically etched through a cladding layer to an underlying etch stop layer. The etch stop layer is thereafter removed from within the trench region to expose a previously formed, smooth, underlying cladding layer. Finally, a waveguide formed in a cladding layer, bounded in width by an overlying barrier layer, underlies a masking layer having a gap formed therein. Within the gap, a portion of the waveguide channel along with juxtaposing sections of the barrier layer are exposed. An etch is thereafter performed to remove the portion of the waveguide polymer in the waveguide channel bounded by both the masking layer and the barrier layer. Then an alternate type of waveguide polymer is formed in the void left behind by the etched waveguide polymer in the waveguide channel. Thus, a single waveguide channel having a plurality of waveguide polymers is formed.

摘要翻译： 用于形成波导通道和器件的制造技术。 通过导电层中的开口在包层中形成沟槽。 然后用有源波导聚合物填充沟槽，并且使导电层图案化，使得有源波导聚合物可以极化。 此外，沟槽可以通过包覆层各向同性地蚀刻到下面的蚀刻停止层。 之后，在沟槽区域内去除蚀刻停止层，以暴露先前形成的，平滑的下面的包层。 最后，形成在包覆层中的波导形成在其上形成间隙的掩模层的下面，覆盖层由覆盖的势垒层限制。 在间隙内，波导通道的一部分与阻挡层的并置部分露出。 此后进行蚀刻以去除由掩模层和阻挡层两者界定的波导通道中的波导聚合物的部分。 然后在波导通道中被蚀刻的波导聚合物留下的空隙中形成另一种类型的波导聚合物。 因此，形成具有多个波导聚合物的单个波导通道。

公开(公告)号：US5348826A

公开(公告)日：1994-09-20

申请号：US12564

申请日：1993-02-02

申请人： Giang T. Dao ,  Qi De Qian ,  Nelson N. Tam ,  Eng T. Gaw ,  Harry H. Fujimoto

发明人： Giang T. Dao ,  Qi De Qian ,  Nelson N. Tam ,  Eng T. Gaw ,  Harry H. Fujimoto

IPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

摘要： A phase-shifted reticle with patterns proximate each other having inverted phases for the features and phase-shifting elements, and methods of fabricating the reticle. Each of the patterns and inverted patterns are structurally identical with regard to the direction of phase shift, so that any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns. In a preferred embodiment, the structurally identical inverted reticle is used to form an array of closely spaced contact or via openings. For a first pattern on the reticle, the feature will be the 0.degree. phase and the phase-shifting rim surrounding that feature will be the 180.degree. phase. All patterns surrounding the first pattern have phase-shifting rims of the 0.degree. phase and features of the 180.degree. phase. In this way, each pattern can form below conventional resolution features in the resist. Additionally, there will not be exposure of the regions between the closely spaced features since radiation transmitted through the closely spaced phase-shifting rims of the two patterns is 180.degree. out of phase. Also, since each pattern is structurally identical, any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns, so that an acceptable depth of field is maintained for a substrate exposed with the reticle.

摘要翻译： 具有彼此相邻的图案的相移掩模版具有用于特征和相移元件的反相，以及制造掩模版的方法。 每个图案和反相图案在相移方向上在结构上是相同的，因此对于所有图案，由相位误差引起的任何焦点偏移都是相同的方向。 在优选实施例中，结构相同的相反的掩模版用于形成紧密间隔的接触或通孔的阵列。 对于标线板上的第一个图案，该特征将为0°相位，该特征周围的相移边缘将为180°相位。 围绕第一图案的所有图案都具有0°相位的相移边界和180°相位的特征。 以这种方式，每个图案可以在抗蚀剂中形成为低于常规分辨率特征。 另外，在紧密间隔的特征之间不会发生区域的曝光，因为通过两个图案的紧密间隔的相移轨道的辐射是180°异相的。 此外，由于每个图案在结构上相同，所以对于所有图案，由相位误差引起的任何焦点偏移都是相同的方向，因此对于用掩模版曝光的基底，可以保持可接受的景深。