公开(公告)号：US09223463B1

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13454758

申请日：2012-04-24

申请人： Ryo Kawaguchi ,  Masanori Goto ,  Takahiro Kosakai ,  Keiji Maekawa ,  Hector Ouilhet ,  Taj J. Campbell

发明人： Ryo Kawaguchi ,  Masanori Goto ,  Takahiro Kosakai ,  Keiji Maekawa ,  Hector Ouilhet ,  Taj J. Campbell

IPC分类号： G06F3/0482 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/0484 ,  G06F3/0488

CPC分类号： G06F3/0481 ,  G01C21/3679 ,  G06F3/04817 ,  G06F3/0482 ,  G06F3/04847 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04807

摘要： A user interface of a mobile computing device having a mobile operating system and a display device utilizes a picker application to facilitate selection of an activity. More specifically, the picker application presents at least one radial list of items to provide an effective process for selecting activities categorized amongst one or more locales or neighborhoods associated with a location.

摘要翻译： 具有移动操作系统和显示设备的移动计算设备的用户界面利用选择器应用来促进活动的选择。 更具体地，选择器应用呈现至少一个项目的径向列表，以提供用于选择分类在与位置相关联的一个或多个区域或邻域中的活动的有效过程。

公开(公告)号：US20100151151A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12333186

申请日：2008-12-11

申请人： Kiyohiro Matsushita ,  Akinori Nakano ,  Ryo Kawaguchi ,  Yuya Nonaka

发明人： Kiyohiro Matsushita ,  Akinori Nakano ,  Ryo Kawaguchi ,  Yuya Nonaka

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C23C16/401 ,  B05D1/62 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31633

摘要： A method of forming a low-k film containing silicon and carbon on a substrate by plasma CVD, includes: supplying gas of a precursor having a Si—R—O—R—Si bond into a reaction space in which a substrate is placed; and exciting the gas in the reaction space, thereby depositing a film on the substrate.

摘要翻译： 通过等离子体CVD在基板上形成含有硅和碳的低k膜的方法包括：将具有Si-R-O-R-Si键的前体的气体供给到其中放置基板的反应空间中; 并激发反应空间中的气体，从而在基板上沉积膜。

公开(公告)号：US20070032048A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11580152

申请日：2006-10-12

申请人： Naoto Tsuji ,  Ryo Kawaguchi ,  Atsuki Fukazawa ,  Rei Tanaka

发明人： Naoto Tsuji ,  Ryo Kawaguchi ,  Atsuki Fukazawa ,  Rei Tanaka

IPC分类号： H01L21/20 ,  B01J19/08

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/68735

摘要： A method for depositing a thin film on a substrate by plasma CVD includes: providing a vacuum chamber including a showerhead and a susceptor entirely facing the showerhead in parallel, placing a substrate on the susceptor entirely within the inner portion; and applying an RF power between the showerhead and the susceptor to deposit a thin film on the substrate. The susceptor includes an inner portion and a peripheral portion that is defined as any portion enclosing the inner portion and defines an electrically effective distance from the showerhead greater than that defined by the inner portion.

摘要翻译： 通过等离子体CVD在基板上沉积薄膜的方法包括：提供包括淋浴头和基座的真空室，所述基座完全面对所述喷头，所述基座在所述基座上整体位于所述内部内; 以及在所述喷头和所述基座之间施加RF功率以在所述基板上沉积薄膜。 感受体包括内部部分和周边部分，其被限定为包围内部部分的任何部分，并且限定从喷头大于由内部部分限定的距离。

公开(公告)号：US06905978B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10390451

申请日：2003-03-17

申请人： Naoto Tsuji ,  Yukihiro Mori ,  Satoshi Takahashi ,  Ryo Kawaguchi

发明人： Naoto Tsuji ,  Yukihiro Mori ,  Satoshi Takahashi ,  Ryo Kawaguchi

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

摘要： A method of forming an interlayer insulation film on a semiconductor substrate using plasma CVD includes introducing a source gas into a reaction chamber, applying radio-frequency power after the source gas is brought in, introducing an oxidizing gas with or without an additive gas into the reaction chamber after the completion of supplying the source gas and applying the radio-frequency power, and applying the radio-frequency power again. The concentration of the oxidizing gas may be 0.3% or higher and a processing time period by the oxidizing gas may be three seconds or longer.

摘要翻译： 使用等离子体CVD在半导体衬底上形成层间绝缘膜的方法包括将源气体引入反应室，在引入源气体之后施加射频电力，将具有或不具有添加气体的氧化气体引入到 在完成供给源气体并施加射频电力之后，再次施加射频电力的反应室。 氧化气体的浓度可以为0.3％以上，氧化气体的处理时间可以为3秒以上。