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    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ECC METHOD THEREOF
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ECC METHOD THEREOF 审中-公开
    半导体存储器件及其ECC方法

    公开(公告)号：US20160132388A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：US14895819

    申请日：2013-06-14

    Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD

    Inventor： BoGeun KIM

    IPC: G06F11/10 ,  G11C29/52 ,  G06F3/06

    CPC classification number: G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/1012 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0411

    Abstract: A semiconductor memory device and ECC method thereof are provided which a first nonvolatile memory; a second nonvolatile memory having a type different from the first nonvolatile memory; a controller; a first error correction circuit configured to correct an error of first write data to be programmed at the first nonvolatile memory; and a second error correction circuit included in the controller and configured to correct an error of first write data or an error of second write data to be programmed at the second nonvolatile memory, based on an error correction algorithm different from that of the first error correction circuit. Error correction data for correcting an error of the first write data is generated using one of the first error correction circuit and the second error correction circuit according to an attribute of the first write data.

    Abstract translation: 提供了一种半导体存储器件及其ECC方法，其中第一非易失性存储器; 具有与第一非易失性存储器不同的类型的第二非易失性存储器; 控制器 第一错误校正电路，被配置为校正要在第一非易失性存储器处编程的第一写入数据的错误; 以及第二纠错电路，其包括在所述控制器中，并且被配置为基于与所述第一错误校正不同的纠错算法来校正所述第二非易失性存储器中要编程的第一写入数据或第二写入数据的错误的错误 电路。 根据第一写入数据的属性，使用第一纠错电路和第二纠错电路中的一个生成用于校正第一写入数据的错误的纠错数据。

    MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD OF CONTROLLER
    2.
    发明申请
    MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD OF CONTROLLER 有权
    控制器的存储系统和操作方法

    公开(公告)号：US20130265826A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：US13738983

    申请日：2013-01-10

    Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    Inventor： ChulHo LEE ,  Eun-Jin YUN ,  BoGeun KIM

    IPC: G11C16/10 ,  G11C13/00

    CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F13/1694 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/26

    Abstract: A memory system including a first memory of a first type; a second memory of a second type; and a controller configured to control the first memory and the second memory. The first type and second type are different, and the controller is configured to control the first memory and the second memory according to substantially the same command sequence.

    Abstract translation: 一种存储器系统，包括第一类型的第一存储器; 第二种类型的第二存储器; 以及控制器，被配置为控制所述第一存储器和所述第二存储器。 第一类型和第二类型不同，并且控制器被配置为根据基本上相同的命令序列来控制第一存储器和第二存储器。

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