公开(公告)号：US20170054055A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：US15147039

申请日：2016-05-05

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Jung Sub KIM ,  Dong Hyun LEE ,  Jin Sub LEE ,  Kyung Wook HWANG ,  In Su SHIN ,  Eui Joon YOON ,  Gun Do LEE ,  Jeong Hwan JANG

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: A semiconductor ultraviolet light emitting device includes: a substrate; a buffer layer disposed on the substrate and comprising a plurality of nanorods between which a plurality of voids are formed; a first conductive nitride layer disposed on the buffer layer and having a first conductive AlGaN layer; an active layer disposed on the first conductive nitride layer and having a quantum well including AlxInyGa1-x-yN (0≦x+y≦1, 0≦y

Abstract translation: 一种半导体紫外线发射装置，包括：基板; 缓冲层，其设置在所述基板上并且包括多个纳米棒，在所述多个纳米棒之间形成有多个空隙; 第一导电氮化物层，设置在所述缓冲层上并具有第一导电AlGaN层; 设置在第一导电氮化物层上并具有包括Al x In y Ga 1-x-y N（0≤x+y≤1,0≤y<0.15）的量子阱的有源层）。 以及设置在所述有源层上并具有第二导电AlGaN层的第二导电氮化物层，其中所述多个纳米棒满足3.5≤n（λ）×D /λ≤5.0，其中λ表示由所述活性物质产生的光的波长 层，n（λ）表示波长为λ的多个纳米棒的折射率，D表示多个纳米棒的直径。