公开(公告)号：US20160358658A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：US15173357

申请日：2016-06-03

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Giulio Martinozzi ,  Min Sang PARK ,  Sang Jo LEE

IPC分类号： G11C16/10 ,  G06F3/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0632 ,  G06F3/0679 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/32

摘要： A method is provided for programming a non-volatile memory having a plurality of word lines, the method comprising: applying a pass voltage to a selected word line among the plurality of word lines; and applying one of first and second program voltages to the selected word line by increasing the pass voltage, wherein the applying of one of the first and second program voltages increases the pass voltage with a single increment.

摘要翻译： 提供了一种用于对具有多个字线的非易失性存储器进行编程的方法，所述方法包括：对所述多个字线中的选定字线施加通过电压; 以及通过增加通过电压将第一和第二编程电压中的一个施加到所选择的字线，其中施加第一和第二编程电压中的一个以单个增量增加通过电压。

公开(公告)号：US20160049200A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14592672

申请日：2015-01-08

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Min Sang PARK ,  Yun Bong LEE ,  Suk Kwang PARK ,  Hwang HUH ,  Dong Wook LEE ,  Myung Su KIM ,  Sung Hoon CHO ,  Sang Jo LEE ,  Chang Jin SUNWOO ,  Gil Bok CHOI

IPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/12 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/3486 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5622

摘要： A method of operating a semiconductor memory device includes performing a first program operation to simultaneously increase threshold voltages of memory cells having different target levels to sub-levels lower than the different target levels, verifying the memory cells by using different verify voltages, respectively, performing a second program operation to divide the threshold voltages of the memory cells, and performing a third program operation to increase the threshold voltages of the memory cells to the different target levels, respectively.

摘要翻译： 一种操作半导体存储器件的方法包括执行第一编程操作，以将具有不同目标电平的存储单元的阈值电压同时增加到低于不同目标电平的子电平，通过分别使用不同的验证电压来验证存储器单元，执行 用于分割存储单元的阈值电压的第二编程操作，并且执行第三编程操作以分别将存储器单元的阈值电压增加到不同的目标电平。

公开(公告)号：US20170011801A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15274602

申请日：2016-09-23

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Min Sang PARK ,  Yun Bong LEE ,  Suk Kwang PARK ,  Hwang HUH ,  Dong Wook LEE ,  Myung Su KIM ,  Sung Hoon CHO ,  Sang Jo LEE ,  Chang Jin SUNWOO ,  Gil Bok CHOI

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/12 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/3486 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5622

摘要： A method of operating a semiconductor memory device includes performing a first program operation to simultaneously increase threshold voltages of memory cells having different target levels to sub-levels lower than the different target levels, verifying the memory cells by using different verify voltages, respectively, performing a second program operation to divide the threshold voltages of the memory cells, and performing a third program operation to increase the threshold voltages of the memory cells to the different target levels, respectively.

摘要翻译： 一种操作半导体存储器件的方法包括执行第一编程操作，以将具有不同目标电平的存储单元的阈值电压同时增加到低于不同目标电平的子电平，通过分别使用不同的验证电压来验证存储器单元，执行 用于分割存储单元的阈值电压的第二编程操作，并且执行第三编程操作以分别将存储器单元的阈值电压增加到不同的目标电平。