公开(公告)号：US08846540B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13712733

申请日：2012-12-12

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Sung-Kwon Lee ,  Jun-Hyeub Sun ,  Young-Kyun Jung

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/06

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate having an etch target layer provided on the surface thereof, and a hard mask layer formed over the etch target layer and including silicon, wherein the hard mask layer includes a dual structure including a first area and a second area having a larger etch rate than the first area, in order to increase an etching selectivity of the hard mask layer.

摘要翻译： 半导体器件包括在其表面上具有蚀刻目标层的半导体衬底和形成在蚀刻目标层上并包括硅的硬掩模层，其中硬掩模层包括双结构，其包括第一区域和第二区域 具有比第一区域更大的蚀刻速率，以增加硬掩模层的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US09437444B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US14062563

申请日：2013-10-24

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Sung-Kwon Lee ,  Jun-Hyeub Sun ,  Ho-Jin Jung ,  Chun-Hee Lee

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a plurality of first hard mask patterns separated by a plurality of trenches on a target layer, forming a plurality of second hard mask patterns filling the plurality of trenches, forming a plurality of first opening units in the plurality of second hard mask patterns, forming a plurality of second opening units in the plurality of first hard mask patterns and forming a plurality of patterns using the plurality of first opening units and the plurality of second opening units, which are transferred by etching the target layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在目标层上形成多个由多个沟槽隔开的第一硬掩模图案，形成填充多个沟槽的多个第二硬掩模图案，形成多个第一开口单元， 多个第二硬掩模图案，在所述多个第一硬掩模图案中形成多个第二开口单元，并且使用所述多个第一开口单元和所述多个第二开口单元形成多个图案，所述多个第一开口单元和所述多个第二开口单元通过蚀刻所述目标 层。

公开(公告)号：US09425072B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14334139

申请日：2014-07-17

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Jun-Hyeub Sun ,  Sung-Kwon Lee ,  Sang-Oh Lee

IPC分类号： G03F1/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/67063 ,  G03F1/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming an etching target layer over a substrate including a first region and a second region; forming a hard mask layer over the etching target layer; forming a first etch mask over the hard mask layer, wherein the first etch mask includes a plurality of line patterns and a sacrificial spacer layer formed over the line patterns; forming a second etch mask over the first etch mask, wherein the second etch mask includes a mesh type pattern and a blocking pattern covering the second region; removing the sacrificial spacer layer; forming hard mask layer patterns having a plurality of holes by etching the hard mask layer using the second etch mask and the first etch mask; and forming a plurality of hole patterns in the first region by etching the etching target layer using the hard mask layer patterns.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在包括第一区域和第二区域的衬底上形成蚀刻目标层; 在蚀刻目标层上形成硬掩模层; 在所述硬掩模层上形成第一蚀刻掩模，其中所述第一蚀刻掩模包括多个线图案和形成在所述线图案上的牺牲间隔层; 在所述第一蚀刻掩模上形成第二蚀刻掩模，其中所述第二蚀刻掩模包括网状图案和覆盖所述第二区域的阻挡图案; 去除牺牲间隔层; 通过使用第二蚀刻掩模和第一蚀刻掩模蚀刻硬掩模层来形成具有多个孔的硬掩模层图案; 以及通过使用所述硬掩模层图案蚀刻所述蚀刻目标层，在所述第一区域中形成多个孔图案。