公开(公告)号：US20110073955A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12962159

申请日：2010-12-07

申请人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

发明人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/0623

摘要： A semiconductor device comprising a first transistor device (130) on or in a semiconductor substrate (115) and a second transistor device (132) on or in the substrate. The device further comprises an insulating trench (200) located between the first transistor device and the second transistor device. At least one upper corner (610) of the insulating trench is a rounded corner in a lateral plane (620) of the substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括在半导体衬底（115）上或半导体衬底（115）中的第一晶体管器件（130）和衬底上或衬底中的第二晶体管器件（132）。 该器件还包括位于第一晶体管器件和第二晶体管器件之间的绝缘沟槽（200）。 绝缘沟槽的至少一个上角（610）是衬底的横向平面（620）中的圆角。

公开(公告)号：US08274131B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12962159

申请日：2010-12-07

申请人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

发明人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/0623

摘要： A semiconductor device comprising a first transistor device (130) on or in a semiconductor substrate (115) and a second transistor device (132) on or in the substrate. The device further comprises an insulating trench (200) located between the first transistor device and the second transistor device. At least one upper corner (610) of the insulating trench is a rounded corner in a lateral plane (620) of the substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括在半导体衬底（115）上或半导体衬底（115）中的第一晶体管器件（130）和衬底上或衬底中的第二晶体管器件（132）。 该器件还包括位于第一晶体管器件和第二晶体管器件之间的绝缘沟槽（200）。 绝缘沟槽的至少一个上角（610）是衬底的横向平面（620）中的圆角。

公开(公告)号：US07846789B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11873205

申请日：2007-10-16

申请人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

发明人： Sameer P. Pendharkar ,  John Lin ,  Philip L. Hower ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/0623

摘要： A semiconductor device comprising a first transistor device on or in a semiconductor substrate and a second transistor device on or in the substrate. The device further comprises an insulating trench located between the first transistor device and the second transistor device. At least one upper corner of the insulating trench is a rounded corner in a lateral plane of the substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括半导体衬底上或半导体衬底中的第一晶体管器件和衬底上或衬底中的第二晶体管器件。 该器件还包括位于第一晶体管器件和第二晶体管器件之间的绝缘沟槽。 绝缘沟槽的至少一个上角是衬底的横向平面中的圆角。

公开(公告)号：US07187034B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10888776

申请日：2004-07-09

申请人： Philip L. Hower ,  John Lin ,  Sameer P. Pendharkar ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  John Lin ,  Sameer P. Pendharkar ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Segmented power transistors and fabrication methods are disclosed in which transistor segments are spaced from one another to facilitate thermal diffusion, and in which other electrical devices can be formed in the spaces between transistor segments.

摘要翻译： 公开了分段功率晶体管和制造方法，其中晶体管段彼此间隔开以促进热扩散，并且其中可以在晶体管段之间的空间中形成其它电气器件。

公开(公告)号：US06815276B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10264038

申请日：2002-10-03

申请人： Philip L. Hower ,  John Lin ,  Sameer P. Pendharkar ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  John Lin ,  Sameer P. Pendharkar ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Segmented power transistors and fabrication methods are disclosed in which transistor segments are spaced from one another to facilitate thermal diffusion, and in which other electrical devices can be formed in the spaces between transistor segments.

摘要翻译： 公开了分段功率晶体管和制造方法，其中晶体管段彼此间隔开以促进热扩散，并且其中可以在晶体管段之间的空间中形成其它电气器件。

公开(公告)号：US07910417B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12176488

申请日：2008-07-21

申请人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L21/337

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/1066

摘要： A Junction Field Effect Transistor (JFET) can be fabricated with a well region that include a channel region having an average dopant concentration substantially less the average doping concentration of the remaining portions of the well region. The lower average doping concentration of channel region compared to the remaining portions of the well region reduces the pinch-off voltage of the JFET.

摘要翻译： 结型场效应晶体管（JFET）可以制造具有阱区，阱区包括平均掺杂剂浓度基本上小于阱区的剩余部分的平均掺杂浓度的沟道区。 与阱区域的其余部分相比，沟道区域的较低平均掺杂浓度降低了JFET的夹断电压。

公开(公告)号：US07605412B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11534395

申请日：2006-09-22

申请人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L31/112

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/1066

摘要： A Junction Field Effect Transistor (JFET) can be fabricated with a well region that include a channel region having an average dopant concentration substantially less the average doping concentration of the remaining portions of the well region. The lower average doping concentration of channel region compared to the remaining portions of the well region reduces the pinch-off voltage of the JFET.

摘要翻译： 结型场效应晶体管（JFET）可以制造具有阱区，阱区包括平均掺杂剂浓度基本上小于阱区的剩余部分的平均掺杂浓度的沟道区。 与阱区域的其余部分相比，沟道区域的较低平均掺杂浓度降低了JFET的夹断电压。

公开(公告)号：US20080299716A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12176488

申请日：2008-07-21

申请人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L21/337

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/1066

摘要： A Junction Field Effect Transistor (JFET) can be fabricated with a well region that include a channel region having an average dopant concentration substantially less the average doping concentration of the remaining portions of the well region. The lower average doping concentration of channel region compared to the remaining portions of the well region reduces the pinch-off voltage of the JFET.

摘要翻译： 结型场效应晶体管（JFET）可以制造具有阱区，阱区包括平均掺杂剂浓度基本上小于阱区的剩余部分的平均掺杂浓度的沟道区。 与阱区域的其余部分相比，沟道区域的较低平均掺杂浓度降低了JFET的夹断电压。

公开(公告)号：US07417270B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US10874479

申请日：2004-06-23

申请人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

发明人： Philip L. Hower ,  David A. Walch ,  John Lin ,  Steven L. Merchant

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/1066

摘要： A Junction Field Effect Transistor (JFET) can be fabricated with a well region that include a channel region having an average dopant concentration substantially less the average doping concentration of the remaining portions of the well region. The lower average doping concentration of channel region compared to the remaining portions of the well region reduces the pinch-off voltage of the JFET.

摘要翻译： 结型场效应晶体管（JFET）可以制造具有阱区，阱区包括平均掺杂剂浓度基本上小于阱区的剩余部分的平均掺杂浓度的沟道区。 与阱区域的其余部分相比，沟道区域的较低平均掺杂浓度降低了JFET的夹断电压。

公开(公告)号：US06624481B1

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US10407037

申请日：2003-04-04

申请人： Sameer P. Pendharkar ,  Philip L. Hower ,  Robert Steinhoff

发明人： Sameer P. Pendharkar ,  Philip L. Hower ,  Robert Steinhoff

IPC分类号： H01L2362

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An ESD robust bipolar transistor (200) that includes first and second bipolar elements (210, 220), wherein a first trigger voltage of the first bipolar element (210) is proximate a second sustaining voltage of the second bipolar element (220). The first and second bipolar elements (210, 220) include first and second bases (214, 224), emitters (216, 226) and collectors (212, 222), respectively. The first and second bases (214, 224) are coupled and the first and second collectors (212, 222) are coupled. The ESD robust bipolar transistor (200) also includes an emitter resistor (250) and a base resistor (260), wherein the emitter resistor (250) couples the first and second emitters (216, 226) and the base resistor (260) couples the second emitter (226) and the first and second bases (214, 224).

摘要翻译： 包括第一和第二双极元件（210,220）的ESD坚固的双极晶体管（200），其中第一双极元件（210）的第一触发电压接近第二双极元件（220）的第二维持电压。 第一和第二双极元件（210,220）分别包括第一和第二基极（214,224），发射极（216,226）和集电极（212,222）。 耦合第一和第二基极（214,224），并且耦合第一和第二集电极（212,222）。 ESD稳健双极晶体管（200）还包括发射极电阻（250）和基极电阻（260），其中发射极电阻（250）将第一和第二发射极（216,226）和基极电阻（260）耦合 第二发射器（226）和第一和第二基极（214,224）。