公开(公告)号：US20150144885A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14558923

申请日：2014-12-03

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. ,  SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY FOUNDATION FOR CORPORATE COLLABORATION

Inventor： Byoung-Iyong CHOI ,  Eun-kyung LEE ,  Dong-mok WHANG

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: A graphene structure and a method of manufacturing the graphene structure, and a graphene device and a method of manufacturing the graphene device. The graphene structure includes a substrate; a growth layer disposed on the substrate and having exposed side surfaces; and a graphene layer disposed on the side surfaces of the growth layer.

Abstract translation: 石墨烯结构和石墨烯结构的制造方法以及石墨烯装置和石墨烯装置的制造方法。 石墨烯结构包括基材; 生长层，其设置在所述基板上并且具有暴露的侧表面; 以及设置在生长层的侧表面上的石墨烯层。

公开(公告)号：US20130134361A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13681955

申请日：2012-11-20

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Eun-kyung LEE ,  Byoung-lyong CHOI ,  Jae-hyun LEE ,  Dong-mok WHANG

IPC: H01B1/04

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  H01B1/04 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/773

Abstract: A graphene dot structure and a method of manufacturing the same. The graphene dot structure includes a core including a semiconductor material; and a graphene shell formed on the surface of the core. The graphene dot structure may form a network.

Abstract translation: 石墨烯点结构及其制造方法。 石墨烯点结构包括：包括半导体材料的芯; 以及形成在芯的表面上的石墨烯壳。 石墨烯点结构可形成网络。

公开(公告)号：US20160052788A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：US14929842

申请日：2015-11-02

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Eun-kyung LEE ,  Byoung-lyong CHOI ,  Jae-hyun LEE ,  Dong-mok WHANG

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  H01B1/04 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/773

Abstract: A graphene dot structure and a method of manufacturing the same. The graphene dot structure includes a core including a semiconductor material; and a graphene shell formed on the surface of the core. The graphene dot structure may form a network.

Abstract translation: 石墨烯点结构及其制造方法。 石墨烯点结构包括：包括半导体材料的芯; 以及形成在芯的表面上的石墨烯壳。 石墨烯点结构可形成网络。

公开(公告)号：US20130139865A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13689055

申请日：2012-11-29

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Eun-kyung LEE ,  Byoung-lyong CHOI ,  Seung-nam CHA ,  Jae-hyun LEE ,  Dong-mok WHANG

IPC: H01L35/28 ,  B32B3/26

CPC classification number: H01L35/28 ,  B32B3/263 ,  B32B3/30 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24612

Abstract: A composite structure of graphene and polymer and a method of manufacturing the complex. The composite structure of graphene and polymer includes: at least one polymer structure having a three-dimensional shape; and a graphene layer formed on the at least one polymer structure.

Abstract translation: 石墨烯和聚合物的复合结构和复合体的制造方法。 石墨烯和聚合物的复合结构包括：至少一种具有三维形状的聚合物结构; 以及在所述至少一种聚合物结构上形成的石墨烯层。