公开(公告)号：US20130121060A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13672113

申请日：2012-11-08

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Chang-bum LEE ,  Young-bae KIM ,  Kyung-min KIM ,  Chang-jung KIM ,  Dong-soo LEE ,  Myoung-jae LEE ,  Seung-ryul LEE ,  Man CHANG

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  H01L21/62 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: Non-volatile memory elements, memory devices including the same, and methods for operating and manufacturing the same may include a memory layer between a first electrode and a second electrode spaced apart from the first electrode. The memory layer may include a first material layer and a second material layer, and may have a resistance change characteristic due to movement of ionic species between the first material layer and the second material layer. At least the first material layer of the first and second material layers may be doped with a metal.

Abstract translation: 非易失性存储器元件，包括其的存储器件及其操作和制造方法可以包括在与第一电极间隔开的第一电极和第二电极之间的存储层。 存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以由于第一材料层和第二材料层之间的离子物质的移动而具有电阻变化特性。 至少第一和第二材料层的第一材料层可以掺杂金属。

公开(公告)号：US20150123078A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：US14506041

申请日：2014-10-03

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： David SEO ,  Ho-jung KIM ,  In-kyeong YOO ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-ho CHO

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10808 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/685 ,  H01L29/7606

Abstract: According to example embodiments, a graphene device includes a first electrode, a first insulation layer on the first electrode, an information storage layer on the first insulation layer, a second insulation layer on the information storage layer, a graphene layer on the second insulation layer, a third insulation layer on a first region of the graphene layer, a second electrode on the third insulation layer, and a third electrode on a second region of the graphene layer.

Abstract translation: 根据示例性实施例，石墨烯装置包括第一电极，第一电极上的第一绝缘层，第一绝缘层上的信息存储层，信息存储层上的第二绝缘层，第二绝缘层上的石墨烯层 ，在所述石墨烯层的第一区域上的第三绝缘层，所述第三绝缘层上的第二电极和所述石墨烯层的第二区域上的第三电极。