公开(公告)号：US20130128683A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13742488

申请日：2013-01-16

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Ho Jung Kim ,  Chul Woo Park ,  Sang Beom Kang ,  Hyun Ho Choi ,  Jung Min Lee ,  Seung Eon Ahn

IPC: G11C5/14 ,  G11C8/10

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/20 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2207/2254

Abstract: A method of changing a parameter in a semiconductor device is provided. The method includes receiving and storing data in a storage region; and changing at least one between a DC characteristic and an AC timing characteristic of a parameter, used to access a non-volatile memory cell included in a memory core of the semiconductor device, according to the data stored in the storage.

Abstract translation: 提供了一种改变半导体器件中的参数的方法。 该方法包括在存储区域中接收和存储数据; 以及根据存储在存储器中的数据，改变用于访问包括在半导体器件的存储器核心中的非易失性存储单元的参数的DC特性和AC定时特性中的至少一个。

公开(公告)号：US08711649B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13742488

申请日：2013-01-16

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Ho Jung Kim ,  Chul Woo Park ,  Sang Beom Kang ,  Hyun Ho Choi ,  Jung Min Lee ,  Seung Eon Ahn

IPC: G11C7/00

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/20 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2207/2254

Abstract: A method of changing a parameter in a semiconductor device is provided. The method includes receiving and storing data in a storage region; and changing at least one between a DC characteristic and an AC timing characteristic of a parameter, used to access a non-volatile memory cell included in a memory core of the semiconductor device, according to the data stored in the storage.

Abstract translation: 提供了一种改变半导体器件中的参数的方法。 该方法包括在存储区域中接收和存储数据; 以及根据存储在存储器中的数据，在用于访问包括在半导体器件的存储器核心中的非易失性存储单元的参数的DC特性和AC定时特性之间改变至少一个。