公开(公告)号：US20100297667A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12746425

申请日：2008-08-05

申请人： Seong Eon Ryu ,  Dae Gwin Jeong ,  Tae Sung Yoon ,  Jeong Hee Moon ,  Seok-II Hong ,  Young Joon Hong

发明人： Seong Eon Ryu ,  Dae Gwin Jeong ,  Tae Sung Yoon ,  Jeong Hee Moon ,  Seok-II Hong ,  Young Joon Hong

IPC分类号： G01N33/573 ,  C12Q1/42 ,  C12N9/16 ,  C07K16/40

CPC分类号： G01N33/573 ,  C07K16/18 ,  C07K16/40 ,  C12N9/16 ,  G01N33/57484 ,  G01N2333/916

摘要： The present invention relates to a method for quantifying protein tyrosine phosphatase (referred as PTP hereinafter) in biosamples, precisely a diagnostic method for disease by quantifying PTP using mass spectrometry and profiling of comparative PTP levels. By quantifying PTP in biosamples and profiling thereof according to the method of the present invention, disease can be diagnosed and diverse disease conditions and health conditions can be confirmed via profiling.

摘要翻译： 本发明涉及一种在生物样品中定量蛋白酪氨酸磷酸酶（以下称为PTP）的方法，精确地是通过使用质谱法定量PTP和比较PTP水平的分析来诊断疾病的诊断方法。 通过根据本发明的方法对生物样品中的PTP进行定量分析和鉴定，可以诊断疾病，并且可以通过分析来确认各种疾病状况和健康状况。

公开(公告)号：US08298775B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12746425

申请日：2008-08-05

申请人： Seong Eon Ryu ,  Dae Gwin Jeong ,  Tae Sung Yoon ,  Jeong Hee Moon ,  Seok-II Hong ,  Young Joon Hong

发明人： Seong Eon Ryu ,  Dae Gwin Jeong ,  Tae Sung Yoon ,  Jeong Hee Moon ,  Seok-II Hong ,  Young Joon Hong

IPC分类号： G01N33/53

CPC分类号： G01N33/573 ,  C07K16/18 ,  C07K16/40 ,  C12N9/16 ,  G01N33/57484 ,  G01N2333/916

摘要： The present invention relates to a method for quantifying protein tyrosine phosphatase (referred as PTP hereinafter) in biosamples, precisely a diagnostic method for disease by quantifying PTP using mass spectrometry and profiling of comparative PTP levels. By quantifying PTP in biosamples and profiling thereof according to the method of the present invention, disease can be diagnosed and diverse disease conditions and health conditions can be confirmed via profiling.

摘要翻译： 本发明涉及一种在生物样品中定量蛋白酪氨酸磷酸酶（以下称为PTP）的方法，精确地通过使用质谱定量PTP和比较PTP水平的分析来诊断疾病的诊断方法。 通过根据本发明的方法对生物样品中的PTP进行定量分析和鉴定，可以诊断疾病，并且可以通过分析来确认各种疾病状况和健康状况。

公开(公告)号：US08598607B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US12731029

申请日：2010-03-24

申请人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。

公开(公告)号：US08643035B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13489158

申请日：2012-06-05

申请人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。

公开(公告)号：US07714337B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11707167

申请日：2007-02-16

申请人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。

公开(公告)号：US20120241757A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13489158

申请日：2012-06-05

申请人： Jong Wook KIM ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul YI ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook KIM ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul YI ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。

公开(公告)号：US20100176416A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12731029

申请日：2010-03-24

申请人： Jong Wook KIM ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook KIM ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Jin An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。

公开(公告)号：US20080272382A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11707167

申请日：2007-02-16

申请人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Ji An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

发明人： Jong Wook Kim ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyu Chul Yi ,  Sung Ji An ,  Jin Kyoung Yoo ,  Young Joon Hong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device and a method of manufacturing the same are disclosed. The light emitting device includes a buffer layer formed on a substrate, a nitride semiconductor layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, which are sequentially stacked on the buffer layer, a portion of the first semiconductor layer being exposed to the outside by performing mesa etching from the second semiconductor layer to the portion of the first semiconductor layer, and at least one nanocone formed on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，依次层叠在缓冲层上的包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的氮化物半导体层，第一半导体层的一部分为 通过从第二半导体层到第一半导体层的部分进行台面蚀刻，以及形成在第二半导体层上的至少一个纳米体，暴露于外部。