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    METHODS OF OPERATING A DISPLAY DEVICE
    1.
    发明申请
    METHODS OF OPERATING A DISPLAY DEVICE 有权
    操作显示装置的方法

    公开(公告)号：US20120154899A1

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：US13326310

    申请日：2011-12-14

    申请人： Seongdeok Ahn ,  Seung Youl Kang

    发明人： Seongdeok Ahn ,  Seung Youl Kang

    IPC分类号： G02F1/167

    CPC分类号： G09G3/344 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0242

    摘要： Provided are methods of operating display devices. The method includes applying a first electric field to a capsule including first particles having a first color and second particles having a second color to move the first and second particles into a first region of the capsule; and applying a second electric field to the capsule to move the second particles into a second region of the capsule different from the first region and to leave the first particles in the first region of the capsule.

    摘要翻译： 提供操作显示设备的方法。 所述方法包括将第一电场施加到胶囊，所述胶囊包括具有第一颜色的第一颗粒和具有第二颜色的第二颗粒，以将所述第一和第二颗粒移动到所述胶囊的第一区域中; 以及将第二电场施加到所述胶囊以将所述第二颗粒移动到所述胶囊的与所述第一区域不同的第二区域中，并将所述第一颗粒留在所述胶囊的所述第一区域中。

    Methods of operating a display device
    3.
    发明授权
    Methods of operating a display device 有权
    操作显示设备的方法

    公开(公告)号：US08687265B2

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：US13326310

    申请日：2011-12-14

    申请人： Seongdeok Ahn ,  Seung Youl Kang

    发明人： Seongdeok Ahn ,  Seung Youl Kang

    IPC分类号： G02B26/00 ,  G09G3/34

    CPC分类号： G09G3/344 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0242

    摘要： Provided are methods of operating display devices. The method includes applying a first electric field to a capsule including first particles having a first color and second particles having a second color to move the first and second particles into a first region of the capsule; and applying a second electric field to the capsule to move the second particles into a second region of the capsule different from the first region and to leave the first particles in the first region of the capsule.

    摘要翻译： 提供操作显示设备的方法。 所述方法包括将第一电场施加到胶囊，所述胶囊包括具有第一颜色的第一颗粒和具有第二颜色的第二颗粒，以将所述第一和第二颗粒移动到所述胶囊的第一区域中; 以及将第二电场施加到所述胶囊以将所述第二颗粒移动到所述胶囊的与所述第一区域不同的第二区域中，并将所述第一颗粒留在所述胶囊的所述第一区域中。

    Method of fabricating bottom gate type organic thin film transistor
    4.
    发明授权
    Method of fabricating bottom gate type organic thin film transistor 有权
    底栅型有机薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号：US07459337B2

    公开(公告)日：2008-12-02

    申请号：US11009831

    申请日：2004-12-10

    申请人： Seung Youl Kang ,  Seongdeok Ahn ,  Chul Am Kim ,  Meyoung Ju Joung ,  Kyung Soo Suh

    发明人： Seung Youl Kang ,  Seongdeok Ahn ,  Chul Am Kim ,  Meyoung Ju Joung ,  Kyung Soo Suh

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068

    摘要： A method of fabricating a bottom gate type organic thin film transistor is provided. The method includes the acts of: forming a gate conductive layer pattern on a substrate; forming a gate insulating layer on an exposed portion of the surface of the substrate and the gate conductive layer pattern; forming source/drain electrodes on the gate insulating layer to expose a portion of the surface of the gate insulating layer above on the gate conductive layer pattern; forming an organic semiconductor thin film on the exposed portion of the gate insulating layer; forming on the organic semiconductor thin film a passivation layer pattern exposing a portion of the surface of the organic semiconductor thin film; and forming an organic semiconductor thin film pattern by etching the exposed surface of the organic semiconductor thin film using the passivation layer pattern as an etch mask.

    摘要翻译： 提供一种制造底栅型有机薄膜晶体管的方法。 该方法包括以下动作：在基板上形成栅极导电层图案; 在所述衬底的表面和所述栅极导电层图案的暴露部分上形成栅极绝缘层; 在所述栅极绝缘层上形成源极/漏极，以在所述栅极导电层图案上露出所述栅极绝缘层的表面的一部分; 在所述栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体薄膜; 在所述有机半导体薄膜上形成暴露所述有机半导体薄膜表面的一部分的钝化层图案; 以及通过使用钝化层图案作为蚀刻掩模蚀刻有机半导体薄膜的暴露表面来形成有机半导体薄膜图案。

    Transferred thin film transistor and method for manufacturing the same
    5.
    发明授权
    Transferred thin film transistor and method for manufacturing the same 有权
    转移薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US08404532B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12782303

    申请日：2010-05-18

    申请人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

    发明人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

    摘要： Provided are a transferred thin film transistor and a method of manufacturing the same. The method includes: forming a source region and a drain region that extend in a first direction in a first substrate and a channel region between the source region and the drain region; forming trenches that extend in a second direction in the first substrate to define an active layer between the trenches, the second direction intersecting the first direction; separating the active layer between the trenches from the first substrate by performing an anisotropic etching process on the first substrate inside the trenches; attaching the active layer on a second substrate; and forming a gate electrode in the first direction on the channel region of the active layer.

    摘要翻译： 提供了一种转移的薄膜晶体管及其制造方法。 该方法包括：形成在第一衬底中沿第一方向延伸的源极区域和漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区域; 形成在所述第一衬底中沿第二方向延伸的沟槽，以在所述沟槽之间限定有源层，所述第二方向与所述第一方向相交; 通过在所述沟槽内的所述第一衬底上进行各向异性蚀刻工艺，从所述第一衬底分离所述沟槽之间的有源层; 将活性层附着在第二基底上; 以及在有源层的沟道区上沿第一方向形成栅电极。

    TRANSPARENT NONVOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    8.
    发明申请
    TRANSPARENT NONVOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20100243994A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12555986

    申请日：2009-09-09

    申请人： Sung Min Yoon ,  Shin Hyuk Yang ,  Soon Woon Jung ,  Seung Youl Kang ,  Doo Hee Cho ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Byoung Gon Yu ,  Kyoung Ik Cho

    发明人： Sung Min Yoon ,  Shin Hyuk Yang ,  Soon Woon Jung ,  Seung Youl Kang ,  Doo Hee Cho ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Byoung Gon Yu ,  Kyoung Ik Cho

    IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L51/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/8246

    CPC分类号： H01L21/28291 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7869

    摘要： Provided are a transparent nonvolatile memory thin film transistor (TFT) and a method of manufacturing the same. The memory TFT includes source and drain electrodes disposed on a transparent substrate. A transparent semiconductor thin layer is disposed on the source and drain electrodes and the transparent substrate interposed between the source and drain electrodes. An organic ferroelectric thin layer is disposed on the transparent semiconductor thin layer. A gate electrode is disposed on the organic ferroelectric thin layer in alignment with the transparent semiconductor thin layer. Thus, the transparent nonvolatile memory TFT employs the organic ferroelectric thin layer, the oxide semiconductor thin layer, and auxiliary insulating layers disposed above and below the organic ferroelectric thin layer, thereby enabling low-cost manufacture of a transparent nonvolatile memory device capable of a low-temperature process.

    摘要翻译： 提供了一种透明非易失性存储器薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。 存储TFT包括设置在透明基板上的源极和漏极。 透明半导体薄层设置在源电极和漏电极之间，并且透明基板设置在源极和漏极之间。 有机铁电薄层设置在透明半导体薄层上。 栅电极与透明半导体薄层对准地设置在有机铁电薄层上。 因此，透明非易失性存储器TFT采用有机铁电薄层，氧化物半导体薄层和设置在有机铁电薄层之上和之下的辅助绝缘层，从而能够低成本地制造能够低的透明非易失性存储器件 温度过程。