公开(公告)号：US08252626B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12820024

申请日：2010-06-21

申请人： Seung-Hwan Cho ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seung-Hwan Cho ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor array panel including forming a gate electrode, forming an insulating layer on the gate electrode, sequentially forming a lower conducting layer and a upper conducting layer on the insulating layer, etching the upper conducting layer to form a first source electrode and a first drain electrode, etching the lower conducting layer to form the second source electrode and the second drain electrode, over-etching the second source electrode and the second drain electrode, and forming an organic semiconductor between the second source electrode and the second drain electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列板的制造方法，包括形成栅电极，在栅电极上形成绝缘层，在绝缘层上依次形成下导电层和上导电层，蚀刻上导电层以形成第一 源电极和第一漏电极，蚀刻下导电层以形成第二源电极和第二漏电极，过蚀刻第二源电极和第二漏电极，以及在第二源电极和第二漏电极之间形成有机半导体 第二漏电极。

公开(公告)号：US20100255633A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12820024

申请日：2010-06-21

申请人： Seung-Hwan CHO ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seung-Hwan CHO ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor array panel including forming a gate electrode, forming an insulating layer on the gate electrode, sequentially forming a lower conducting layer and a upper conducting layer on the insulating layer, etching the upper conducting layer to form a first source electrode and a first drain electrode, etching the lower conducting layer to form the second source electrode and the second drain electrode, over-etching the second source electrode and the second drain electrode, and forming an organic semiconductor between the second source electrode and the second drain electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列板的制造方法，包括形成栅电极，在栅电极上形成绝缘层，在绝缘层上依次形成下导电层和上导电层，蚀刻上导电层以形成第一 源电极和第一漏电极，蚀刻下导电层以形成第二源电极和第二漏电极，过蚀刻第二源电极和第二漏电极，以及在第二源电极和第二漏电极之间形成有机半导体 第二漏电极。

公开(公告)号：US20080078993A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11864581

申请日：2007-09-28

申请人： Seung-Hwan CHO ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seung-Hwan CHO ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor array panel including forming a gate electrode, forming an insulating layer on the gate electrode, sequentially forming a lower conducting layer and a upper conducting layer on the insulating layer, etching the upper conducting layer to form a first source electrode and a first drain electrode, etching the lower conducting layer to form the second source electrode and the second drain electrode, over-etching the second source electrode and the second drain electrode, and forming an organic semiconductor between the second source electrode and the second drain electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列板的制造方法，包括形成栅电极，在栅电极上形成绝缘层，在绝缘层上依次形成下导电层和上导电层，蚀刻上导电层以形成第一 源电极和第一漏电极，蚀刻下导电层以形成第二源电极和第二漏电极，过蚀刻第二源电极和第二漏电极，以及在第二源电极和第二漏电极之间形成有机半导体 第二漏电极。

公开(公告)号：US07768000B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11864581

申请日：2007-09-28

申请人： Seung-Hwan Cho ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seung-Hwan Cho ,  Bo-Sung Kim ,  Keun-Kyu Song ,  Tae-Young Choi ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor array panel including forming a gate electrode, forming an insulating layer on the gate electrode, sequentially forming a lower conducting layer and a upper conducting layer on the insulating layer, etching the upper conducting layer to form a first source electrode and a first drain electrode, etching the lower conducting layer to form the second source electrode and the second drain electrode, over-etching the second source electrode and the second drain electrode, and forming an organic semiconductor between the second source electrode and the second drain electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列板的制造方法，包括形成栅电极，在栅电极上形成绝缘层，在绝缘层上依次形成下导电层和上导电层，蚀刻上导电层以形成第一 源电极和第一漏电极，蚀刻下导电层以形成第二源电极和第二漏电极，过蚀刻第二源电极和第二漏电极，以及在第二源电极和第二漏电极之间形成有机半导体 第二漏电极。

公开(公告)号：US20080296566A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12156213

申请日：2008-05-30

申请人： Keun-Kyu Song ,  Jung-Han Shin ,  Bo-Sung Kim ,  Seon-Pil Jang ,  Seung-Hwan Cho ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

发明人： Keun-Kyu Song ,  Jung-Han Shin ,  Bo-Sung Kim ,  Seon-Pil Jang ,  Seung-Hwan Cho ,  Min-Ho Yoon ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/28

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin film transistor substrate for a display device includes a gate line, a data line insulated from the gate line, at least two organic thin film transistors, each of which is connected between the gate line and the data line, and both of which are commonly connected to a main drain electrode, and a pixel electrode connected to the main drain electrode.

摘要翻译： 用于显示装置的有机薄膜晶体管基板包括栅极线，与栅极线绝缘的数据线，至少两个有机薄膜晶体管，每个有源薄膜晶体管连接在栅极线和数据线之间， 通常连接到主漏电极和连接到主漏电极的像素电极。

公开(公告)号：US07952091B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12347438

申请日：2008-12-31

申请人： Seon-Pil Jang ,  Jung-Han Shin ,  Min-Ho Yoon ,  Seong-Sik Shin ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seon-Pil Jang ,  Jung-Han Shin ,  Min-Ho Yoon ,  Seong-Sik Shin ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/107

摘要： Disclosed are an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same. The organic thin film transistor includes a gate electrode, an insulating layer, an organic semiconductor layer, a protective layer, and source and drain electrodes. The insulating layer is on the gate electrode, and the organic semiconductor layer is on the insulating layer. The protective layer is on the organic semiconductor layer, and includes an electrode pattern part to expose the organic semiconductor layer. The source and drain electrodes are in the electrode pattern part and connected to the organic semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法。 有机薄膜晶体管包括栅电极，绝缘层，有机半导体层，保护层以及源极和漏极。 绝缘层位于栅电极上，有机半导体层位于绝缘层上。 保护层在有机半导体层上，并且包括用于暴露有机半导体层的电极图案部分。 源极和漏极在电极图案部分中并连接到有机半导体层。

公开(公告)号：US20090230385A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12347438

申请日：2008-12-31

申请人： Seon-Pil Jang ,  Jung-Han Shin ,  Min-Ho Yoon ,  Seong-Sik Shin ,  Jung-Hun Noh

发明人： Seon-Pil Jang ,  Jung-Han Shin ,  Min-Ho Yoon ,  Seong-Sik Shin ,  Jung-Hun Noh

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/107

摘要： Disclosed are an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same. The organic thin film transistor includes a gate electrode, an insulating layer, an organic semiconductor layer, a protective layer, and source and drain electrodes. The insulating layer is on the gate electrode, and the organic semiconductor layer is on the insulating layer. The protective layer is on the organic semiconductor layer, and includes an electrode pattern part to expose the organic semiconductor layer. The source and drain electrodes are in the electrode pattern part and connected to the organic semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法。 有机薄膜晶体管包括栅电极，绝缘层，有机半导体层，保护层以及源极和漏极。 绝缘层位于栅电极上，有机半导体层位于绝缘层上。 保护层在有机半导体层上，并且包括用于暴露有机半导体层的电极图案部分。 源极和漏极在电极图案部分中并连接到有机半导体层。

公开(公告)号：US08014060B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12553002

申请日：2009-09-02

申请人： Seok-Joon Hong ,  Min-Ho Yoon ,  Nam-Seok Roh ,  Woo-Jae Lee ,  Jong-Seong Kim

发明人： Seok-Joon Hong ,  Min-Ho Yoon ,  Nam-Seok Roh ,  Woo-Jae Lee ,  Jong-Seong Kim

IPC分类号： G02B26/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/062

CPC分类号： G02F1/167 ,  G02F2201/086 ,  G02F2201/50 ,  G02F2202/10

摘要： In a substrate for a display apparatus, the substrate includes a base substrate and a shielding layer formed on a surface of the base substrate. The shielding layer has an energy bandgap corresponding to a reference wavelength of external light. Thus, the shielding layer blocks light having wavelength equal to or less than the reference wavelength, so that a wavelength band of light may be adjusted.

摘要翻译： 在显示装置的基板中，基板包括基底基板和形成在基底基板的表面上的屏蔽层。 屏蔽层具有对应于外部光的参考波长的能量带隙。 因此，屏蔽层阻挡波长等于或小于参考波长的光，从而可以调节光的波长带。

公开(公告)号：US20080038881A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11621807

申请日：2007-01-10

申请人： Jung-Han Shin ,  Joon-Hak Oh ,  Min-Ho Yoon

发明人： Jung-Han Shin ,  Joon-Hak Oh ,  Min-Ho Yoon

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/107

摘要： A thin film transistor array panel according to an embodiment of the present invention includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode opposing each other and separated from each other on the gate electrode. An organic semiconductor is in contact with the source electrode and the drain electrode. A gate insulator is formed between the gate electrode and the organic semiconductor. A pixel electrode is connected to the drain electrode. A passivation member covers the organic semiconductor and includes a nonionic soluble polymer.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列面板包括彼此相对并且在栅电极上彼此分离的栅电极，源电极和漏电极。 有机半导体与源电极和漏电极接触。 在栅电极和有机半导体之间形成栅极绝缘体。 像素电极连接到漏电极。 钝化构件覆盖有机半导体并且包括非离子可溶性聚合物。

公开(公告)号：US08593592B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12825570

申请日：2010-06-29

申请人： Min-Ho Yoon ,  Seung-Ju Lee ,  Jong-Seong Kim

发明人： Min-Ho Yoon ,  Seung-Ju Lee ,  Jong-Seong Kim

IPC分类号： G02F1/1335

CPC分类号： G02B5/3033 ,  G02F1/133528 ,  G02F2001/133311

摘要： A polarizer includes a polarizer main body, a first barrier layer disposed above the polarizer main body and/or a second barrier layer disposed below the polarizer main body. The first barrier layer and the second barrier layer include silicon nitride (SiNx).

摘要翻译： 偏振器包括偏振器主体，设置在偏振器主体上方的第一阻挡层和/或设置在偏振器主体下方的第二阻挡层。 第一阻挡层和第二阻挡层包括氮化硅（SiNx）。