公开(公告)号：US20090042124A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12184780

申请日：2008-08-01

申请人： Sou KAMIMURA ,  Yasutomo KAWANISHI ,  Kenji WADA ,  Tomotaka TSUCHIMURA

发明人： Sou KAMIMURA ,  Yasutomo KAWANISHI ,  Kenji WADA ,  Tomotaka TSUCHIMURA

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07D409/02

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A resist composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein each of R1 to R13 independently represents a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of R1 to R13 is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z represents a single bond or a divalent linking group; and X− represents an anion containing a proton acceptor functional group.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物包括（A）由下式（I）表示的化合物：其中R 1至R 13各自独立地表示氢原子或取代基，条件是R 1至R 13中的至少一个为含有醇羟基的取代基 ; Z表示单键或二价连接基团; X表示含有质子受体官能团的阴离子。

公开(公告)号：US20080085468A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11864049

申请日：2007-09-28

申请人： Sou KAMIMURA ,  Kenji WADA ,  Yasutomo KAWANISHI

发明人： Sou KAMIMURA ,  Kenji WADA ,  Yasutomo KAWANISHI

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

摘要： A resist composition, includes: (B) a polymer having a group capable of decomposing under an action of an acid and having a weight average molecular weight of 1,000 to 5,000, of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; and (Z) a compound containing a sulfonium cation having a structure represented by formula (Z-1): wherein Y1 to Y13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent, and adjacent members of Y1 to Y13 may combine with each other to form a ring; and Z represents a single bond or a divalent linking group.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物包括：（B）具有能够在酸的作用下分解并且重均分子量为1,000至5,000的基团的聚合物，其在碱性显影剂中的溶解度在酸的作用下增加; 和（Z）含有具有由式（Z-1）表示的结构的锍阳离子的化合物：其中Y 1至Y 13各自独立地表示氢原子或 取代基，Y 1〜Y 3的相邻成员可以相互结合形成环; Z表示单键或二价连接基团。

公开(公告)号：US20120052449A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13216903

申请日：2011-08-24

申请人： Keita KATO ,  Sou KAMIMURA ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Kaoru IWATO ,  Shohei KATAOKA ,  Shoichi SAITOH

发明人： Keita KATO ,  Sou KAMIMURA ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Kaoru IWATO ,  Shohei KATAOKA ,  Shoichi SAITOH

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： Provided is a method of forming pattern including (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, and (c) developing the exposed film with a developer containing a first organic solvent, wherein in the developer, particles each having a diameter of 0.3 μm or greater amount to a density of 30 particles/ml or less.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成在膜中，（b）将膜曝光，和（c）用含有第一有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，其中在 显影剂，每个具有0.3μm或更大直径的颗粒的密度为30个/ ml或更小。

公开(公告)号：US20120028196A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13192188

申请日：2011-07-27

申请人： Sou KAMIMURA ,  Kaoru IWATO ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Shohei KATAOKA ,  Keita KATO ,  Shoichi SAITOH

发明人： Sou KAMIMURA ,  Kaoru IWATO ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Shohei KATAOKA ,  Keita KATO ,  Shoichi SAITOH

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

摘要： An embodiment of the method of forming a pattern, comprises (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, and (c) processing the exposed film with an organic processing liquid, wherein the processing liquid contains an organic solvent whose normal boiling point is 175° C. or higher, the organic solvent being contained in the processing liquid in a content of less than 30 mass %.

摘要翻译： 形成图案的方法的一个实施方案包括：（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成膜，（b）将膜曝光，和（c）用有机处理液处理曝光的膜，其中处理 液体含有正常沸点为175℃以上的有机溶剂，处理液中含有的有机溶剂含量低于30质量％。

公开(公告)号：US20120003591A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13172273

申请日：2011-06-29

申请人： Yuichiro ENOMOTO ,  Shinji TARUTANI ,  Sou KAMIMURA ,  Kaoru IWATO ,  Keita KATO ,  Kana FUJII

发明人： Yuichiro ENOMOTO ,  Shinji TARUTANI ,  Sou KAMIMURA ,  Kaoru IWATO ,  Keita KATO ,  Kana FUJII

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/422

摘要： Provided is a method of forming a pattern, including (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, and (c) developing the exposed film with a developer containing an organic solvent, wherein the developer contains an alcohol compound (X) at a content of 0 to less than 500 ppm based on the total mass of the developer.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成为膜，（b）将膜曝光，和（c）用含有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，其中 显影剂含有基于显影剂总质量为0至小于500ppm的醇化合物（X）。